Применение

1)Для определения звукопоглащения

2)в качестве генераторов случ чисел

3)Для определения помехоустойч САУ КГ401А

 

 

11. Лавинно-пролётные диоды (ЛПД) – п/п диод, работающий в режиме лавинного размножения зарядов при обратном смещении p-n-перехода и предназначенный для генерации СВЧ колебаний.

Дорисовать

Рассмотрим структуру pn

Рассмотрим структуру pnn⁺ при обратном напряжении, имеющем постоянную периодическую составляющую. КогдаUа>Uпробивного=> удар иониз=> лавин пробой. Пара электрон-дырка генерируют в узкой области p-n перехода вблизи металлургической границы, где Е>Е_{пробивное,} разделяются электрическим полем.

Eпроб – когда происходит ударная ионизация и лавинный пробой. - обл. генерации.Ток вызванный движением НЗ происходит то тех пор пока эти НЗ не выйдут из поля. Пока они пролетают напряжение U может умень-ся если f увел. Т.о. из за конечного времени пролёта появляется фазовый сдвиг м/у I и U. Этот сдвиг определяется инерционностью образования лавины.

Увеличение тока сопровождается уменьшением напряжения. Т.е. на этой частоте выполняется условие отрицательного дифференциального напряжения следовательно диод может быть использован в качестве генератора СВЧ сигнала.

Параметры:

1)P=10 Ватт

2)f=100ГГц и выше

Недостатки: 1) низкий КПД из-за узкого диапазона амплитуд напряжений; 2) большой шум.

12. Биполярный транзистор: Это п.п. прибор с двумя взаимодействующими переходами и с тремя внешними выводами усилительные, свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Классификация:

1) по количеству переходов.

2)по порядку чередования областей: pnp, npn.

3)По характеру распределения примесей и движению носителей: бездрейфовые, лавинные, туннельные.

Работа транзисторов в активном режиме.

Основой работы любого транзистора является 1)малая толщина базы 2)базовая область является всегда более высокоомной (слабо легированной) по сравнению с другими областями.

Физические процессы. Толщина W (базы)<< диффузионной длины. В зависимости от смещения переходо различают: 1) режим отсечки (оба перехода смещены в обратном направлении, ток ч/з структуру очень мал); 2)режим насыщения (оба смещения в прямом направлении, ток ч/з структуру довольно большой); 3)активный режим (1-е смещение в прямом направлении, а др. в обратном. Наиболее эффективно осуществляется управление токами.). Конструктивные и технологические области изготавливаются так, что из одна из областей наиболее эффективно работает в режиме инжекции, а другая в режиме собирания нз. Поэтому одна область – эмитер, а др. – коллектор. Основные процессы определяются процессами, происходящими в базе. В зависимости от распределения концентрации примесей может существовать или отсутствовать внутреннее электрическое поле. Если при отсутствии тока в базе есть электрическое поле, то такие транзисторы называются дрейфовыми, если не, то бездрейфовые. Электрическое поле в базе обусловлено градиентом концентрации примесей. Градиент концентрации основных носителей вызывает их перераспределение в базе. Из области с большой концентрацией основные носители уходят, оставляя некомпенсированные ионы, и переходят в область с меньшей концентрацией примесей. Возникает эл. поле направленного тока, что способствует движению неосновных носителей из области с большей в область с меньшей концентрацией. Т.е. эл. поле способствует движению носителей от Э к К. Коэффициент передачи:

Напряжённость внутреннего поля напралена так, чтобы способствовать движению неосновных носителей зарда от Э к К.

База энергетически нейтральна.

Вывод: принцип действия бип-ного транз-ра основан на создании транзитного потока нз из эммитера в коллектор ч/з базу, и на создании и управлении выходным (колл-ным) током за счёт входного (эмитерного), т.е. биполярный транз-р управляется током.