Прецезионный

В них используется как правило три последовательно включенных p-n перехода, один из которых – стабилизационный в обратном направлении, а два других термокомпенсирующих – в прямом.

Если стабилизационный переход работает в режиме лавинного пробоя то при увеличении температуры напряжение на нем увеличивается, одновременно напряжение на двух термокомпенсирующих уменьшается т.к. уменьшается высота потенциального барьера. В результате общее напряжение на стабилитроне меняется незначительно и αстаб очень мало.

Двуханодные стабилитроны:

Применяются в схемах стабилизации и двухстороннего ограничения двухполярных импульсов. Их структура формируется диффузией примесей в пластину nSi, одновременно с двух сторон, образующиеся при этом p-n переходы включены встречно. Внешние выводы имеют только анодные p-n области. При подаче напряжения любой полярности один из переходов будет стабилизирующим, другой – термокомпенсирующим.

Стабистор – п/п диод, в котором U в области прямого смещения слабо зависит от тока (в заданном диапазоне) и который предназначен для стабилизации U.

Имеет малое диф. сопротивление, отрицательный .

Стабистор отлич. От выпрям. Диода тем что формируется в низкоомном Si для получения меньшего Rдиф и Rобъём. В отличии от стабилитрона у страбистора малое Uстабилизации.

Стабисторы имеют Ткн<0? Малое напряжение пробоя.

8. Варикапы – п/п диоды, предназначенные для работы в качестве управляемой электрическим напряжением емкости. Принцип действия основан на зависимости ёмкости перехода от приложенного напряжения. Работают при обратном смещении, т.е. используется барьерная ёмкость. Ёмкость варикапа:

m- эмпирический показатель

m=0.3-для диф варикапа(-------)

m=0.5-для сплавн.варикапов.(сплошная)

Зависимоть С от U:

Чтобы зависимость была более резкой применяют метод обратной конц.:

 

 

Сопротивление базы варикапов должно быть маленьким.(уменьшение потерь).С др стор. Нужно большее r для больш Uпроб => подложка из двух слоёв

Рис

 

 

Параметры варикапа: 1)ёмкость,измеренная м/у выводами определяемая при заданном U_обр;(100пФ) 2).коэффициент перекрытия K_C=C_{Bварикапа max}/C_Bmin; 3)добротность Q=x_C/r, r – суммарное активное сопротивление потерь, где Х_с – реактивное сопротивление на заданной частоте.4) температурный коэффициент ёмкости (ТКЕ)

4) Частотный диапазон ∆f=fmax – fmin. Определяется граничными частотами, на которых Q=1

Пример:

Эквивалентная схема вар:

 

 

9. Туннельные диоды – п/п диод на основе вырожденного п/п, в котором тун.эф. приводит к появлениюна прямой ветви участка с отриц.диф. проводимостью на его основе ВАХ.для изготовления применён материал с выслк.конц. примесей (10^20см ^-3)

Осн. параметры помимо других: I_П – прямой ток в точке max ВАХ при dI/dU=0; I_В – прямой токв точке, min ВАХ; отношение I_П/I_В для Si>10

Uп-напряжение при токе Iп,

Uв-напр при токе Iв

Uраствора-прям напр. при U>U_B при I=I_П; С_УД=С_Диод/I_П.

Обозначается:

Эквивалентная схема:

Рабочим участком ТD являетсяучасток с отриц дифферн.проводимостью, существую-й при малых Uпрямых.Время тунелирования мало t=10^-13, поэтому ТD могут работать на f=сотни ГГц. Верхний частотный предел ограничен Сбар

Подразделяются по применению на: 1)переключательные.Важно получить max I_П/I_B, характ-ие разность двухлогарифмич уровней за малое tпереключнеия. 2)генераторные P=К(U_B-U_p)(I_П- I_В);

3) усилительные. Должны иметь min коэфицента шума и max произведения [K_у∆f]. K_{у -}коэф.усиления

Тун.диоды работают в диап-не высоких и сверхвысоких частот.

Применение т.д. позволяет исп-ть практически любой прибор с отриц.диф.сопр. для генерации и усиления эл/маг колебаний, а также в переключающих схемах.

Обр.диод – это п/п диод, в котором проводимость при обратном вкл., вследствие туннельного эффекта, значительно выше чем при прямом. В о.д. конц. примесей меньше чем в тун.диодах, но больше чем в обычных. ВАХ такого диода: дорисовать

Птолок валентной зоны и днозоны проводимости нах на одном уровне.Обратная ветвь совп с ветвьюТД, и обрат.токи получ-ся большими при малых Uобр.

При прямом смещении тун.эф. не проявляется., обусловлено инжекцией.Обладает выпрямляющим эффектом.Проводящее состояние соответсвует обратному мещению.