Практическая часть работы.
1. Изобразить элементарную ячейку одной из сингоний и показать трансляции a,b,c(масштабные осевые векторы и углы между ними a,b,g). 2. Определить коэффициент заполнения h одной из решеток (простой кубической, ОЦК, ГЦК, компактной гексагональной). Найти координационное число для той же ячейки. 3. Написать базис одной из трех ячеек (К8, К12,Г12). 4. Найти индексы плоскости, отсекающей на координатных осях отрезки: 1,2,3; 2,1,4; 1,0,2; 3,1,5; -2,1,3, ……. 5. Показать плоскость с индексами (110), (101), (010), (111), 6. Определить (в буквенной форме) межплоскостное расстояние d для одной из плоскостей: (001), (110), (101), (111), (210), (211) в решетке одной из сингоний. 7. Изобразить в кубической сингонии плоскость с произвольно взятыми индексами и направлениями с индексами, численно равными индексам данной плоскости. 8. Дана одна из следующих осей зон: [001],[110],[101],[111]. Найти две-три плоскости, входящие в данную зону. 9. Выписать индексы всех плоскостей, входящих в кубической сингонии в одну из совокупностей: {100},{110},{111},{210},{211},{310}. Определить на сколько совокупностей разобьется данная совокупность в случаи тетрагональной сингонии. Каковы индексы плоскостей, входящих в каждую из этих совокупностей и каково число их? Варианты заданий
Отчет по работе должен включать ответы на вопросы, поставленные в задании, с необходимыми зарисовками и расчетами. В отчете дать определение основным кристаллографическим понятиям: сингонии; пространственная решетка; узлы, узловые прямые, узловые плоскости; кристаллографические направления; период идентичности; набор основных кристаллографических осей; элементарные трансляции; индексы узлов, узлов прямых и плоскостей; семейства узловых прямых и плоскостей; межплоскостные расстояния; элементарная ячейка, ее параметры и базис.
|