icq # 330-803-890
КАИ 5-й факультет: Дипломы Курсовые проекты Курсовые работы Рефераты Тесты - Справочная литература Свои работы присылайте на e-mail: info@kai5.ru Удачной сессии! Принимаются заявки на размещение рекламы. Пишите: admin@kai5.ru icq # 330-803-890 = www.kai5.ru = Предварительный расчет усилителя:
На Рис.1 представлено примерное распределение коэффициента усиления по напряже- нию: Кобщ = К1·К2·К3·К4=15000
На Рис.1 Zн является параллельно включенным Rн=6 кОм и Сн=10 нФ, и Z н на верхней частоте fв=27кГц будет рассчитываться так: Zн = ; Zн = = 4 кОм
Максимальная выходная мощность сигнала при Uвых = 10 В и Zн=4 кОм равна:
Рвых = = Вт
Тат как усилитель является усилителем гармонического сигнала, следовательно, кас- кады работают в режиме "А", а КПД каскадов не превышает 25%, поэтому необходи- мо обеспечить трехкратный запас по мощности: Ррасс = 3Pвых=75 мВт
Найдём входные и выходные напряжения на каждом из каскадов: Из Рис.1 следует, что Uвых=U8=10В, К4=15 Так как К4= , следовательно, U7= =0.67B Так как U7=U6=0.67B, К3=10, то =67мВ Так как U5=U4=0.067B, К2=10, то =6.7мВ Так как U3=U2=0.0067B, К1=10, то =0.67мВ Распределим коэффициент частотных искажений по каскадам: Мобщ=М1·М2·М3·М4≤5% Пусть М1=0.5, М2=0.47, М3=0.47, М4=0.44
Расчет схемы усилителя на транзисторах: Данный усилитель является усилителем звуковой частоты, следовательно, сигнал должен проходить через усилитель без искажений. Поэтому выбираем усилитель, работающий в режиме «А». В данном режиме рабочая точка находится на линейном участке ВАХ и КПД усилителя всего 25%, поэтому на каскадах необходимо обеспечить трехкратный запас по мощности. Расчет усилителя ведется с оконечного каскада.
Расчет оконечного каскада:
Рис.1
На Рис.1 представлена схема оконечного каскада. Транзистор для оконечного каскада выбирается по мощности рассеивания и граничной частоте. Для оконечного каскада Ррасс=75мВт и fгр>81кГц. Анализируя параметры каскада, и построив рабочую точку на ВАХ транзистора КТ368А. (Рис.5) Получаем координаты рабочей точки: Uкэ=12В, Iк=3.2мА, Iб=50мкА, Uбэ=0.75В ΔIб=83мкА-18мкА=65мкА ΔIк=6мА-0.8мА=5.2мА ΔUбэ=0.785В-0.72В=0.065В ΔUкэ=20В
Оконечный каскад опишем Y-параметрами: См См См См Определим допустимое изменение Iк: А Определим Скэ: , где
Ск находим в справочных данных транзистора Ск=1.2пФ, тогда Скэ равно: пФ Определим изменение обратного тока коллектора: С, находим по справочным данным на транзистор =2 мкА, тогда равно: мкА Определим коэффициент нестабильности Ns:
Определим величину Rэ: , где = 0.5 мкА, α=0.06 1/˚С, Δt=40˚C, тогда мкА Находим В (статический коэффициент усиления постоянного тока базы): Находим ΔЕ (внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе): , где Δt=40˚C, Uбэ=0.75В, Е=1.1В, Т=293К, тогда мВ Находим ΔI (приращение коллекторного тока, вызванное температурным изменением): мА Учитывая, что крутизна S=Y21 и подставив все значения в формулу нахождения Rэ, получим: Ом
Определим величину сопротивления делителя Rd: , где Rэ=1300 Ом, Ns=3,
Подставив значения Rэ, Ns, α0 в формулу нахождения Rd, получим: Ом Определение номиналов R1 и R2:
Rd есть параллельное включение сопротивлений R1 и R2, следовательно: ;
Ом
Из ряда номиналов выбираем R1=5.2 кОм, тогда R2 равно: ; Ом По ряду номиналов R2=20 кОм
Произведем проверку: Необходимо что бы и мА и Отсюда можно сделать вывод, что все параметры удовлетворяют условиям проверки.
Рассмотрим эквивалентную схему оконечного каскада:
С0=Свых+См Yi=Y22, Yн=1/Zн Рассмотрим область СЧ: эквивалентная схема на СЧ: Оконечный каскад должен обеспечить К0=15, т.е. , где S=0.08, Yn=0.25 мСм, Yi=0.26 мСм, тогда , где En=24B, Imax=6.4мВ См, Ом Рассмотрим область НЧ: эквивалентная схема на НЧ: На НЧ проявляется действие разделительной емкости, следовательно, необходимо определить, ее наминал: , где Yn=0.167 мСм, Yk=4.795 мСм, Yi=0.26 мСм, ωн=200π
, где М1н это частотные искажения на НЧ вносимые Ср. Пусть М1н=0.96, тогда Ан равно: Подставим полученные значения в формулу нахождения Ср и получим: нФ
Частотные искажения на НЧ вносятся не только Ср. но и Сэ, т.е. Мн=М1н·М2н Из предварительного расчета следует, что Мн=1-0.44=0.56, тогда М2н, которое вносится емкостью в цепи эмиттера, будет равно: Найдем емкость в цепи эмиттера: , где ωн=200π, Rэ=1300Ом, F=1+S·Rэ=105, тогда мкФ Рассмотрим область ВЧ: эквивалентная схема на ВЧ: В области ВЧ крутизна становится частотно зависимой: , где ωв=54000π, τ=2.5нс, S=0.08
Определим τв: , при Ск=1.2пФ, rб=60Ом, S=0.08 Ф Подставив, значения получим: нс Определим коэффициент усиления на верхней частоте: , при К0=20 получим: Определив, коэффициент усиления на верхней частоте можно определить частотные искажения на ВЧ:
Расчет предоконечного каскада:
Рис.2
На Рис.2 представлена схема предоконечного каскада. Транзистор для предоконечного каскада выбирается по мощности рассеивания и граничной. частоте. Для предоконечного каскада Ррасс=2мВт и fгр>81кГц. Анализируя параметры каскада, и построив рабочую точку на ВАХ транзистора КТ202А, En=24B. (Рис.6) Получаем координаты рабочей точки: Uкэ=4В, Iк=2.5мА, Iб=139мкА, Uбэ=1В ΔIб=11.2мкА ΔIк=0.25мА ΔUбэ=0.015В ΔUкэ=1.34В
Оконечный каскад опишем Y-параметрами: См См См См Определим допустимое изменение Iк: А Определим Скэ: , где
Ск находим в справочных данных транзистора Ск=25пФ, тогда Скэ равно: нФ Определим изменение обратного тока коллектора: С, находим по справочным данным на транзистор =5 мкА, тогда равно: мкА Определим коэффициент нестабильности Ns:
Определим величину Rэ: , где = 0.5 мкА, α=0.06 1/˚С, Δt=40˚C, тогда мкА Находим В (статический коэффициент усиления постоянного тока базы): Находим ΔЕ (внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе): , где Δt=40˚C, Uбэ=1В, Е=1.1В, Т=293К, тогда мВ Находим ΔI (приращение коллекторного тока, вызванное температурным изменением): мА Учитывая, что крутизна S=Y21 и подставив все значения в формулу нахождения Rэ, получим: Ом
По ряду сопротивлений выберем Rэ=1800Ом. Определим величину сопротивления делителя Rd: , где Rэ=1800 Ом, Ns=0.933, Подставив значения Rэ, Ns, α0 в формулу нахождения Rd, получим: Ом Определение номиналов R1 и R2:
Rd есть параллельное включение сопротивлений R1 и R2, следовательно: ;
Ом
Тогда R2 равно: ; Ом
Произведем проверку: Необходимо что бы и мА и Отсюда можно сделать вывод, что все параметры удовлетворяют условиям проверки. Рассмотрим эквивалентную схему предоконечного каскада:
С0= С вых+ С м+ С вх Yi=Y22, Yн=Yд+Yвх Yвх это входная проводимость предыдущего каскада, а Yд это проводимость делителя предыдущего каскада. Рассмотрим область СЧ: эквивалентная схема на СЧ: Оконечный каскад должен обеспечить К0=10, , где S=0.017, Yд=0.24мСм Yi=0.18 мСм, Yвх=0.92мСм,
, где En=24B, Imax=3мА
мСм, Rк=1/Yк=6.2кОм тогда:
Рассмотрим область НЧ: эквивалентная схема на НЧ: На НЧ проявляется действие разделительной емкости, следовательно, необходимо определить, ее наминал: , где Yн=Yд+Yвх=1.16 мСм, Yk=0.16 мСм, Yi=0.18 мСм, ωн=200π
, где М1н это частотные искажения на НЧ вносимые Ср. Пусть М1н=0.96, тогда Ан равно: Подставим полученные значения в формулу нахождения Ср и получим: мкФ
Частотные искажения на НЧ вносятся не только Ср. но и Сэ, т.е. Мн=М1н·М2н Из предварительного расчета следует, что Мн=1-0.47=0.53, тогда М2н, которое вносится емкостью в цепи эмиттера, будет равно: Найдем емкость в цепи эмиттера: , где ωн=200π, Rэ=1800Ом, F=1+S·Rэ=31, тогда мкФ Рассмотрим область ВЧ: эквивалентная схема на ВЧ: В области ВЧ крутизна становится частотно зависимой:
, где ωв=54000π, τ=3нс, S=0.017 Определим τв: , при Ск=25пФ, rб=60Ом, S=0.017 Ф Подставив, значения получим: нс Определим коэффициент усиления на верхней частоте: , при К0=11 получим: Определив, коэффициент усиления на верхней частоте можно определить частотные искажения на ВЧ: Частотные искажения на ВЧ вполне удовлетворяют всем условиям. Расчет каскада №2:
Рис.3
На Рис.3 представлена схема каскада №2. Транзистор для каскада №2 выбирается по мощности рассеивания и граничной частоте. Для каскада №2 Ррасс=6мкВт и fгр>81кГц. Анализируя параметры каскада, и построив рабочую точку на ВАХ транзистора КТ202А.(Рис.7) Получаем координаты рабочей точки: Uкэ=4В, Iк=1.625мА, Iб=96мкА, Uбэ=0.94В ΔIб=0.55мкА ΔIк=0.012мА ΔUбэ=0.0007В ΔUкэ=0.134В
Оконечный каскад опишем Y-параметрами: См См См См Определим допустимое изменение Iк: А Определим Скэ: , где
Ск находим в справочных данных транзистора Ск=25пФ, тогда Скэ равно: нФ Определим изменение обратного тока коллектора: С, находим по справочным данным на транзистор =5 мкА, тогда равно: мкА Определим коэффициент нестабильности Ns:
Определим величину Rэ: , где = 0.5 мкА, α=0.06 1/˚С, Δt=40˚C, тогда мкА Находим В (статический коэффициент усиления постоянного тока базы): Находим ΔЕ (внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе): , где Δt=40˚C, Uбэ=0.94В, Е=1.1В, Т=293К, тогда мВ Находим ΔI (приращение коллекторного тока, вызванное температурным изменением): мА Учитывая, что крутизна S=Y21 и подставив все значения в формулу нахождения Rэ, получим: Ом
По ряду сопротивлений выберем Rэ=2700Ом. Определим величину сопротивления делителя Rd: , где Rэ=2700 Ом, Ns=0.606, Подставив значения Rэ, Ns, α0 в формулу нахождения Rd, получим: Ом Определение номиналов R1 и R2:
Rd есть параллельное включение сопротивлений R1 и R2, следовательно: ;
Ом
Из ряда номиналов выбираем R1=2.2 кОм. Тогда R2 равно: ; Ом
Произведем проверку: Необходимо что бы и мА и Отсюда можно сделать вывод, что все параметры удовлетворяют условиям проверки. Рассмотрим эквивалентную схему каскада №2:
С0= С вых+ С м+ С вх Yi=Y22, Yн=Yд+Yвх Рассмотрим область СЧ: эквивалентная схема на СЧ: Оконечный каскад должен обеспечить К0=10, , где S=0.017, Yд=0.6мСм Yi=0.089 мСм, Yвх=0.74мСм,
, где En=24B, Imax=2мА мСм, Rк=1/Yк=9.1кОм тогда:
Рассмотрим область НЧ: эквивалентная схема на НЧ: На НЧ проявляется действие разделительной емкости, следовательно, необходимо определить, ее наминал: , где Yн=Yд+Yвх=1.34 мСм, Yk=0.1 мСм, Yi=0.089 мСм, ωн=200π , где М1н это частотные искажения на НЧ вносимые Ср. Пусть М1н=0.96, тогда Ан равно: Подставим полученные значения в формулу нахождения Ср и получим: мкФ
Частотные искажения на НЧ вносятся не только Ср. но и Сэ, т.е. Мн=М1н·М2н Из предварительного расчета следует, что Мн=1-0.47=0.53, тогда М2н, которое вносится емкостью в цепи эмиттера, будет равно: Найдем емкость в цепи эмиттера: , где ωн=200π, Rэ=2700Ом, F=1+S·Rэ=47, тогда мкФ
Рассмотрим область ВЧ: эквивалентная схема на ВЧ: В области ВЧ крутизна становится частотно зависимой:
, где ωв=54000π, τ=3нс, S=0.017 Определим τв: , при Ск=25пФ, rб=60Ом, S=0.017 Ф Подставив, значения получим: нс Определим коэффициент усиления на верхней частоте: , при К0=11.19 получим: Определив, коэффициент усиления на верхней частоте можно определить частотные искажения на ВЧ: Частотные искажения на ВЧ вполне удовлетворяют всем условиям. Расчет входного каскада:
Транзистор для входного каскада выбирается по мощности рассеивания и граничной частоте. Для входного каскада Ррасс=0.06мкВт и fгр>81кГц. Анализируя параметры каскада, и построив рабочую точку на ВАХ транзистора КТ202А.(Рис.7) Получаем координаты рабочей точки: Uкэ=4В, Iк=1.625мА, Iб=96мкА, Uбэ=0.94В ΔIб=0.055мкА ΔIк=0.0012мА ΔUбэ=0.00007В ΔUкэ=0.0134В
Оконечный каскад опишем Y-параметрами: См См См См Определим допустимое изменение Iк: А Определим Скэ: , где
Ск находим в справочных данных транзистора Ск=25пФ, тогда Скэ равно: нФ Определим изменение обратного тока коллектора: С, находим по справочным данным на транзистор =5 мкА, тогда равно: мкА Определим коэффициент нестабильности Ns:
Определим величину Rэ: , где = 0.5 мкА, α=0.06 1/˚С, Δt=40˚C, тогда мкА Находим В (статический коэффициент усиления постоянного тока базы): Находим ΔЕ (внутреннее изменение смещения на эмиттерном переходе): , где Δt=40˚C, Uбэ=0.94В, Е=1.1В, Т=293К, тогда мВ Находим ΔI (приращение коллекторного тока, вызванное температурным изменением): мА Учитывая, что крутизна S=Y21 и подставив все значения в формулу нахождения Rэ, получим: Ом
По ряду сопротивлений выберем Rэ=2200Ом. Определим величину сопротивления делителя Rd: , где Rэ=2200 Ом, Ns=0.606, Подставив значения Rэ, Ns, α0 в формулу нахождения Rd, получим: Ом Определение номиналов R1 и R2:
Rd есть параллельное включение сопротивлений R1 и R2, следовательно: ;
Ом
Из ряда номиналов выбираем R1=1.8 кОм. Тогда R2 равно: ; Ом Произведем проверку: Необходимо что бы и мА и Отсюда можно сделать вывод, что все параметры удовлетворяют условиям проверки. Рассмотрим эквивалентную схему входного каскада:
С0= С вых+ С м+ С вх Yi=Y22, Yн=Yд+Yвх Рассмотрим область СЧ: эквивалентная схема на СЧ: Оконечный каскад должен обеспечить К0=10, , где S=0.017, Yд=0.6мСм Yi=0.089 мСм, Yвх=0.74мСм,
, где En=24B, Imax=2мА мСм, Rк=1/Yк=9.8кОм тогда:
Рассмотрим область НЧ: эквивалентная схема на НЧ: На НЧ проявляется действие разделительной емкости, следовательно, необходимо определить, ее наминал: , где Yн=Yд+Yвх=1.34 мСм, Yk=0.104 мСм, Yi=0.089 мСм, ωн=200π , где М1н это частотные искажения на НЧ вносимые Ср.
Пусть М1н=0.96, тогда Ан равно: Подставим полученные значения в формулу нахождения Ср и получим: мкФ
Частотные искажения на НЧ вносятся не только Ср. но и Сэ, т.е. Мн=М1н·М2н Из предварительного расчета следует, что Мн=1-0.5=0.5, тогда М2н, которое вносится емкостью в цепи эмиттера, будет равно: Найдем емкость в цепи эмиттера: , где ωн=200π, Rэ=2700Ом, F=1+S·Rэ=39, тогда мкФ Рассмотрим область ВЧ: эквивалентная схема на ВЧ: В области ВЧ крутизна становится частотно зависимой:
, где ωв=54000π, τ=3нс, S=0.017
Определим τв: , при Ск=25пФ, rб=60Ом, S=0.017 Ф Подставив, значения получим: нс Определим коэффициент усиления на верхней частоте: , при К0=10.8 получим: Определив, коэффициент усиления на верхней частоте можно определить частотные искажения на ВЧ: Частотные искажения на ВЧ вполне удовлетворяют всем условиям.
|