Студопедия — Анализ схемы электрической принципиальной и описание принципа работы изделия
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Анализ схемы электрической принципиальной и описание принципа работы изделия






 

Заготовка схемы электрической принципиальной приведена на рис. 1, а основные требования к схемным элементам, вытекающие из схемотехнического проектирования – в таблице 1.

Принцип действия Устройство представляет собой фильтр низкой частоты, собранный на операционных усилителях типа КР544УД2А и предназначен для фильтрации сигналов от высоких частот, частота среза фильтра составляет 15кГц, т. е не превышает диапазон, слышимых человеческим ухом.

При анализе схемы электрической принципиальной следует определить токи и напряжения, действующие в каждой цепи устройства. Это необходимо для оптимального подбора элементной базы для будущего функционального узла. Необходимо определить мощности рассеивания для резисторов, рабочие напряжения на конденсаторах. На вход схемы подадим периодический прямоугольный сигнал. Изображенный на рисунке:

Проведем анализ схемы по постоянному току используя программное обеспечение Micro-CAP V9. Результат анализа представлен на рисунках 2.1, 2.2, 2.3 и в таблице 2.1:

 

Рис. 2.1 - Напряжение в основных точках

 

 

Рис. 2.2 - Токи, протекающие в схеме

 

Рис. 2.3 -­­­­­­ Мощности выделяемые или поглощаемые на элементах

 

 

Таблица 2.1

Резисторы
Обозначение на схеме Величина тока, А Величина напряжения, В Рассеиваемая мощность, Вт
R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 198,48·10-6 198,44·10-6 40·10-9 69,812·10-9 1,302·10-3 1,302·10-3 6,548·10-9 139,592·10-9 68,994·10-6 68,994·10-6 68,994·10-6 104,719·10-6 6,894 6,894 6,894 209,389·10-6 153,637·10-6 153,575·10-6 7,52∙10-12 7,311∙10-12 7,969·10-3 7,968·10-3 184,353∙10-15 29,229∙10-12
Конденсаторы
Обозначение на схеме Величина напряжения, В
С1 С2 С3 С4 С5 С6 C7 C8 C9 C10 1000·10-6 68,994·10-6 773,846·10-3 6,894 6,894 13,013

 

 

 

Выбор элементной базы и вариантов ее установки

 

При выборе элементной базы руководствоваться ограничениями, которые накладываются условиями эксплуатации. Элементная база должна быть устойчивой к заданным механическим воздействиям, характеризующим объект установки; проявлять работоспособность в заданном диапазоне температур.

Выбор начнем с активных компонентов (микросхем), так как они определяют ток, а следовательно, и рассеиваемую мощность на пассивных компонентах – резисторах.

В качестве операционного усилителя выберем микросхему LA6458M (SO8). Габариты представлены на рис. 3.1, схема включения на рис. 3.2, а ее параметры приведены в таблице 3.1.

Рисунок 3.1 - Габаритный чертеж корпуса типа SO8, подтип 4301

Рис 3.2 - Условное графическое обозначение ОУ

 

Назначение выводов:

1,5 - балансировка;

2 - вход инвертирующий;

3 - вход неинвертирующий;

4 - напряжение питания -Uп;

6 - выход;

7 - напряжение питания +Uп;

8 - коррекция;

 

Таблица 3.1 - Параметры операционного усилителя LA6458M [4]

Напряжение питания В ±8..±16.5  
Максимальное выходное напряжение при Uп= 15 В, Uвх= 0,1 В, Rн = 2 кОм ±10 В  
 
Входной ток при Uп= 15 В, Rн = 2 кОм не более 0.05 нА  
Ток потребления при Uп= 15 В, Uвых = ±0.02 В не более 7 мА  
Входное сопротивление не менее 300 ГОм  
Коэффициент усиления напряжения при Uп=±15 В, Uвых=±4 В, Rн=2кОм не менее 20000  

Геометрические размеры (мм):

число выводов А1 А2 D E He
min max min Max min max min max min Max
  -   1,25 1,65 4,61   3,8   5,7 6,3

 

 

Электролитические конденсаторы С1, С8 емкостями 10 мкФ. Им соответствуют танталовые чип конденсаторы с типом корпуса SMD. Габаритный чертеж корпуса и размеры контактных площадок электролитического конденсатора представлены на рисунке 3.4 и в таблице 3.3.[3] c.34

Рис. 3.4 - Габаритный чертеж корпуса и размеры контактных площадок алюминиевого оксидно-электролитического конденсатора

 

Таблица 3.3 - Габаритные размеры танталового чип конденсатора

Порядковый номер конденсатора Размер по стандарту EIA Размеры, мм
L W T A B
    3,5 3,5 2,8 2,8 2,2 2,2 6,5 6,5 1,9 1,9

 

В качестве конденсаторов C2=3900пФ, С3=1500пФ, C4-C5=0,022мкФ, С9-С10=0,022мкФ, С6=0,01мкФ, С7=620пФ выберем зарубежные многослойные керамические конденсаторы. Габаритные размеры представлены в таблице 3.4, внешний вид на рисунке 3.5. Интервал рабочих температур -55…+125 °С. Номинальное значение напряжения 16В.[3] c31


а - внешний вид, б - габаритный чертеж

Рис. 3.5 - габаритный чертеж компонентов в чип корпусах

 

 

Таблица 3.4 - Габаритные размеры компонента в чип корпусе

Порядковый номер конденсатора Размер по стандарту EIA Размеры, мм
L S W T H.max
2   3,2±0,2 2±0,2 1,9±0,4 0,7±0,4 1,6±0,2 1,3±0,15 0,5±0,25 0,5±0,25 1,35 1,1
    1,6±0,15 0,71±0,26 0,8±0,15 0,35±0,15 0,85
    1,6±0,15 0,71±0,26 0,8±0,15 0,35±0,15 0,85
    2±0,2 0,7±0,4 1,3±0,15 0,5±0,25 1,1
    2±0,2 0,7±0,4 1,3±0,15 0,5±0,25 1,1
    1,6±0,15 0,71±0,26 0,8±0,15 0,35±0,15 0,85

 

 

Резисторы нагружены не одинаково. Мощность, рассеиваемая на резисторах минимальна. Значит можно выбирать резисторы с любым значением мощности. В качестве резисторов выберем чип резисторы Р1-12-0,125, имеющие типоразмер 1206. Постоянные толстопленочные. Габаритные размеры и внешний вид представлены на рисунке 3.5 и таблице 3.5. [3] c234

 

 

Таблица 3.5 - Габаритные размеры компонента в чип корпусе

Тип корпуса Размеры, мм
L S W T H, макс
  3,2±0,15 1,93±0,38 1,6±0,15 0,5±0,25 0,71

 







Дата добавления: 2015-08-12; просмотров: 725. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Принципы резекции желудка по типу Бильрот 1, Бильрот 2; операция Гофмейстера-Финстерера. Гастрэктомия Резекция желудка – удаление части желудка: а) дистальная – удаляют 2/3 желудка б) проксимальная – удаляют 95% желудка. Показания...

Ваготомия. Дренирующие операции Ваготомия – денервация зон желудка, секретирующих соляную кислоту, путем пересечения блуждающих нервов или их ветвей...

Билиодигестивные анастомозы Показания для наложения билиодигестивных анастомозов: 1. нарушения проходимости терминального отдела холедоха при доброкачественной патологии (стенозы и стриктуры холедоха) 2. опухоли большого дуоденального сосочка...

ЛЕЧЕБНО-ПРОФИЛАКТИЧЕСКОЙ ПОМОЩИ НАСЕЛЕНИЮ В УСЛОВИЯХ ОМС 001. Основными путями развития поликлинической помощи взрослому населению в новых экономических условиях являются все...

МЕТОДИКА ИЗУЧЕНИЯ МОРФЕМНОГО СОСТАВА СЛОВА В НАЧАЛЬНЫХ КЛАССАХ В практике речевого общения широко известен следующий факт: как взрослые...

СИНТАКСИЧЕСКАЯ РАБОТА В СИСТЕМЕ РАЗВИТИЯ РЕЧИ УЧАЩИХСЯ В языке различаются уровни — уровень слова (лексический), уровень словосочетания и предложения (синтаксический) и уровень Словосочетание в этом смысле может рассматриваться как переходное звено от лексического уровня к синтаксическому...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия