РАСЧЁТ ИСКАЖЕНИЙ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХЧастотные искажения, возникающие на высоких частотах, обусловлены зависимостью b транзисторов от частоты, а также наличием паразитных емкостей. Основные искажения вносят предварительный каскад на транзисторах VT3-VT4 и усилиителем мощности на транзисторах VT9-VT13. Искажения, вносимые эмиттерными повторителями, не будут учитываться ввиду того, что применены транзисторы с высокой граничной частотой, а также присутствуют 100%- обратные связи, охватывающие каждый повторитель. Суммарные частотные искажения:
Искажения, вносимые предварительным каскадом:
Искажения, вносимые повторителем на VT9-VT12:
Далее определяются суммарные искажения:
Затем полученный результат сравнивается с тем, который задан техническим заданием и делается вывод: удовлетворяет ли суммарный коэффициент частотных искажений на высоких частотах техническому заданию.
|
, где значения параметров для транзистора VT3:
-постоянная времени коэффициента b,
(с) -постоянная времени нагрузки каскада.
(Ф) -емкость коллекторного перехода транзистора VT3;
(Ф) -емкость монтажа;
(Ф) -емкость нагрузки.
, где значения параметров для транзистора VT4:
