РАСЧЁТ ИСКАЖЕНИЙ НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ

Частотные искажения, возникающие на высоких частотах, обусловлены зависимостью b транзисторов от частоты, а также наличием паразитных емкостей.

Основные искажения вносят предварительный каскад на транзисторах VT3-VT4 и усилиителем мощности на транзисторах VT9-VT13. Искажения, вносимые эмиттерными повторителями, не будут учитываться ввиду того, что применены транзисторы с высокой граничной частотой, а также присутствуют 100%- обратные связи, охватывающие каждый повторитель.

Суммарные частотные искажения:

Искажения, вносимые предварительным каскадом:

, где значения параметров для транзистора VT3:

-постоянная времени коэффициента b,

(с) -постоянная времени нагрузки каскада.

(Ф) -емкость коллекторного перехода транзистора VT3;

(Ф) -емкость монтажа;

(Ф) -емкость нагрузки.

, где значения параметров для транзистора VT4:

-постоянная времени коэффициента b,

(с) -постоянная времени нагрузки каскада.

(Ф) -емкость коллекторного перехода транзистора VT4;

(Ф) -емкость монтажа;

(Ф) -емкость нагрузки.

 

Искажения, вносимые повторителем на VT9-VT12:

Далее определяются суммарные искажения:

Затем полученный результат сравнивается с тем, который задан техническим заданием и делается вывод: удовлетворяет ли суммарный коэффициент частотных искажений на высоких частотах техническому заданию.