Полупроводниковые индикаторы.

Полупров-ые индик-ры основаны на способности арсенид-фосфид-галиевых диодов испускать свет при пропускании ч/з них тока. ПП индикаторы на основе СИД(светоизлучающих диодов) имеют небольшие габаритные размеры, высокую яркость. Свечение катода можно легко регулировать изменением тока ч/з диод. Все цифры индикаторов воспроизводятся в однои плоскости поэтому такие индикаторы имеют большой угол обзора.

СИД непосредственно согласуются с ТТЛ логикой(микросхемами) по Uпит и рабочим токам. Логическая часть схему управления светодиодными индикаторами отличаются от других схем управления семисегментными индикаторами лишь тем что выходные катоды и индикаторные узлы позволяют коммутировать большие токи иногда порядка 80¸100 мА.

Особенности СИД индикаторов:При работе в импульсных режимах наблюдается увеличение яркости. Объясняется тем что при наблюдении пульсирующий свет глазом воспринимается более ярким чем непрерывный от эквивалентной мощности. Если выбрать короткие импульсы тока исключающие разогрев диода, то можно сохранить высокую яркость при снижении потребляемой мощности. До 7мВт на знак. Реализовать импульсный режим работы СИД модно несколькими способами. Наиболее простой состоит в использовании резистора, обеспечивающего пропускание заданного тока в цепь питания СИД.

На рис.1. изображены схема управления СИД индикатором с накоплением заряда.

а) – последовательно с VD включен R который подключен ч/з VT1 к источнику питания +5В. VT2 – подключает индикатор VD к общей шине. Амплитуда тока ч/з такой СИД зависит от R, а среднее значение тока определяется отношением длительности импульсов тока t к длительности их повторения Т.

б) – применение схемы с накопителем энергии. Здесь R заменен на L подключенной к источнику питания ч/з формирователь VT1. индикатор VD подключен параллельно L ч/з VT2 и управляется им. Схема работает в 2 тока. 1-й (3мкс) открыт VT1, при этом происходит накопление энергии в L и ток в индуктивности»80мА. В течении второго тока(7мкс) транзистор VT1 закрыт, а VT2 открыт. Накопленная в L энергия рассеивается в виде тока ч/з заряд.