Влияние условий осаждения на толщину пленок кобальтаУвеличение температуры подложки приводит к снижению толщины пленок Co и постепенной потере их сплошности. Рисунки 12,г и 15 наглядно демонстрирует формирование островковой структуры в пленке Со, осажденной при Tисп =120 °С и Tподл = 420 °С
Рисунок 15 – Изображение пленки Co, нанесенной на подложку Si при температуре 420 0С и Тисп = 120 (а) и профилограмма участка А – Б (б); оптическая профилометрия Сравнение пленок Co из первой партии, полученных при температурах подложки 350 и 370 0С, но при разной длительности осаждения, позволяет сделать вывод, что двукратное увеличение времени осаждения (от 2 до 4 часов) приводит к двукратному увеличению толщины пленки (таблица 3, рисунки 16 и 17).
Таблица 3 – Толщина пленок Co, полученных при различных температурах испарителя Тисп и подложки Тподл, а также длительности осаждения осаждения
* пленки Co имеют островковую структуру Более существенный рост толщины образцов Co достигается при увеличении температуры испарителя. Пленки Со, осажденные при Tисп =130 °С в течении 4 часов характеризуются четырехкратным увеличением толщины (таблица 3).
Рисунок 16 – Изображение пленки Co, нанесенной на подложку Si при температуре 350 0С и Тисп=120 (а) и профилограмма участка А – Б (б); оптическая профилометрия
Рисунок 17 – Изображение пленки Co, нанесенной на подложку Si при температуре 370 0С и Тисп=120 (а) и профилограмма участка А – Б (б); оптическая профилометрия
Как видно из таблицы 3 толщина пленок Co имеет экстремальную зависимость от температуры испарителя. В интервале от 120 до 140 0C толщина пленок увеличивается от 40 до 250 нм. Однако при дальнейшем увеличении температуры испарителя толщина пленок Co снижается и составляет 100 нм при Тисп =155 0C (рисунок 18).
Рисунок 18 – Изображение пленки Co, нанесенной на подложку Si при температуре 330 0С и Тисп=155 (а) и профилограмма участка А – Б (б); оптическая профилометрия
|
