Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ. Схема измерительной установки приведена на рисунке 11.





Схема измерительной установки приведена на рисунке 11.

С помощью обогревателя 1 повышается температура полупроводника 2, контроль температуры осуществляется термопарой 3.

А. Статическая вольт-амперная характеристика снимается путём измерения зависимости тока от напряжения при постоянной температуре. Данные заносятся в таблицу 1.

Сопротивление полупроводника определяется по графику , построенному по данным таблицы 1.

Рис. 11.
Удельное сопротивление и электропроводность определяются с учётом параметров полупроводника (приводятся на стенде).

Таблица 1

№ измерения I
           
     
     
     
     
     
     
     
     
     

 

В. Зависимость силы тока от температуры снимается в процессе медленного нагревания полупроводника. Данные заносятся в таблицу 2. Прологарифмировав выражение (1) получим:

. (2)

Таблица 2.

№ измерения
               
               
               
               
               
               
               

 


Из (2) следует, что зависимость представляет собой прямую с наклоном равным , где – ширина запрещённой зоны в эВ, – постоянная Больцмана .

По данным таблицы 2 построить график зависимости от обратной температуры .

С. По результатам измерений и графику рассчитать ширину запрещённой зоны , коэффициент температурочувствительности: , температурный коэффициент сопротивления (TKR) равный:

(3)

Так как TKR зависит от температуры, то необходимо указать температуру, при которой коэффициент определён. Сравнить результат, полученный из (3) с вычислением по формуле:

(4)

Результаты записать в таблицу 3.

Таблица 3

       
       

 

Проанализировать результаты, сделать вывод.

Параметры терморезистора: ; .

Контрольные вопросы

1. Объясните механизм проводимости в полупроводниках.

2. Как объясняется электрическое сопротивление полупроводников?

3. Как изменяется (увеличивается или уменьшается) с ростом температуры электрическое сопротивление:

4. - металлов,

5. - полупроводников,

6. - электролитов.

7. Что называется температурным коэффициентом сопротивления? От чего он зависит? Единица измерения?

8. Объясните, как определяются в работе значения сопротивлений при t=00 C.

Литература

1. Савельев И.В. Курс общей физики: В 3-х т. М.: Наука, 1982. Т.1.

2. Сивухин Д.В. Общий курс физики: Механика. М.: Наука, 1979.

3. Майсова Н.Н. Практикум по курсу физики.- М.: Высш. школа, 1970.

4. Трофимова Т.И. Курс физики. М.: Высш. школа, 1985.

5. Хайкин С.Э. Физические основы механики.- М.: Наука, 1971

6. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике. М.: Наука, 1985.


 

Часть 2. «Электромагнетизм»







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 547. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...


Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...


Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Случайной величины Плотностью распределения вероятностей непрерывной случайной величины Х называют функцию f(x) – первую производную от функции распределения F(x): Понятие плотность распределения вероятностей случайной величины Х для дискретной величины неприменима...

Схема рефлекторной дуги условного слюноотделительного рефлекса При неоднократном сочетании действия предупреждающего сигнала и безусловного пищевого раздражителя формируются...

Уравнение волны. Уравнение плоской гармонической волны. Волновое уравнение. Уравнение сферической волны Уравнением упругой волны называют функцию , которая определяет смещение любой частицы среды с координатами относительно своего положения равновесия в произвольный момент времени t...

Мотивационная сфера личности, ее структура. Потребности и мотивы. Потребности и мотивы, их роль в организации деятельности...

Классификация ИС по признаку структурированности задач Так как основное назначение ИС – автоматизировать информационные процессы для решения определенных задач, то одна из основных классификаций – это классификация ИС по степени структурированности задач...

Внешняя политика России 1894- 1917 гг. Внешнюю политику Николая II и первый период его царствования определяли, по меньшей мере три важных фактора...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия