Ход работы. «Культура речи и основы логического мышления»

«Культура речи и основы логического мышления»

(библиотечный фонд АГАУ)

 

№ п/п	Библиографическое описание издания	Примечание Количество экземпляров, шт.
1.	Голуб И. Б.Культура письменной и устной речи: учебное пособие / И. Б. Голуб. - М.: КНОРУС, 2010. - 264 с.
2.	Бочаров В. А. Введение в логику: университетский курс: учебник для вузов, изучающих философские дисциплины/ В. А. Бочаров, В. И. Маркин. - М.: Форум: Инфра-М, 2010. - 560 с.
3.	Русский языки культура речи: учебник для вузов / ред. О. Я. Гойхман. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: ИНФРА-М, 2010. - 240 с.
4.	Русский языки культура речи: учебник для вузов/ ред.: В. И. Максимов, А. В. Голубева. -2-е изд., перераб. и доп.. -М.: Юрайт, 2011. -358 с.
5.	Мандель Б. Р. Русский язык и культура речи: история, теория, практика: учебное пособие/ Б. Р. Мандель. -М.: Вузовский учебник: ИНФРА-М, 2011. -267 с.

Список изданий дополнительной учебной литературы по дисциплине

 

№ п/п	Библиографическое описание издания	Примечание
1.	Останин В. В. Культура речи и основы логического мышления: практикум/ В. В. Останин, Н. А. Даренская, Н. Н. Буянкина; АГАУ. - Барнаул: Изд-во АГАУ, 2012. - 54 с.	Изд. ППС кафедры
i. 2 2.	Войшвилло Е. К. Логика: учебник для вузов/ Е. К. Войшвилло, М. Г. Дегтярев. - М.: Владос, 1998. - 528 с.
3.	Логика и риторика: Хрестоматия: учебное пособие для вузов/ сост.: В. Ф. Берков, Я. С. Яскевич. - Минск: ТетраСистемс, 1997. - 624 с.
4.	Берков В. Ф. Логика: учебное пособие/ В. Ф. Берков, Я. С. Яскевич, В. И. Павлюкевич. - 3-е изд., испр. и доп. - Минск: ТетраСистемс, 1998. - 480 с.
5.	Демидов И.В. Логика: Учебное пособие для пед.вузов/ Демидов И.В.; ред. Каверин Б.И. - М.: Юриспруденция, 2000. - 208 с.
6.	Войшвилло Е.К. Логика/ Войшвилло Е.К., Дегтярев М.Г. - М.: ВЛАДОС-ПРЕСС, 2001. - 528 с.
7.	Лысенко Е.Е. Логика: Учебно-практическое пособие/ Лысенко Е.Е. - М.: [s. n.], 2001. - 50 с
8.	Малыхина Г.И. Логика: Учебное пособие для вузов/ Малыхина Г.И. - Минск: Вышэйшая школа, 2002. - 240 с.
9.	Яшин Б.Л. Логика: учебник для учащихся высших и средних учеб. заведений/ Яшин Б.Л. - М.: ЭЛИТ, 2004. - 416 с.

 

Ход работы

 

2.1. Собрал электрическую цепь в соответствии со схемой, показанной на рисунке

Рисунок 1 – схема, которую нужно собрать.

 

2.1.1. Перенес на рабочий стол программы все ЭРЭ (электрорадиоэлементы), используемые для сборки цепи (рисунок 8)

 

 

 

 

Рисунок 2 – Вид ЭРЭ на рабочем столе программы Electronics

Workbench

 

2.1.2 Соединил детали как показано на рисунке 3.

Рисунок 3 - Схема измерений в программе Electronics Workbench

2.1.3 Выставил значения номиналов сопротивлений и выбрать из библиотеки необходимый транзистор:

R₁ = 1 кОм;

VT - 2N4401.

2.2 Снял входную характеристику транзистора, как зависимость Iб =ƒ(Uбэ) при Uкэ = const. Для этого:

2.2.1 Выставить значение напряжения U_вых2 = U_кэ=6.

 

2.2.2 Изменял напряжение U_бэ = U_{вых 1} от 0 с шагом 0,05 В до тех пор, пока ток Iк, измеряемый прибором РА2, не достигнет значения 50 мА. Напряжение U_бэ и ток Iб измерять соответственно приборами PV1 и PA1.

 

2.2.3 Данные занес в таблицу 2

 

 

Таблица 2

Uбэ, В		0,05	0,1	0,15	0,20	0,25	0,30	0,35	0,4	0,45	0,50
Iб, мА						0,001	0,002	0,004	0,011	0,029	0,077
Iк, мА								0,001	0,006	0,044	0,304
βстат	-	-	-	-	-	-	-	0,25	0,54	1,51	3,94
Rвх. стат, Ом	-	-	-	-	-	250*103	150*103	87,5*103	36,36*103	15,51*103	6,49*103
βдиф	-	-	-	-	-	-	0,5	0,71	2,11	5,4	13,95
Rвх. диф, Ом	-	-	-	-	-	-	-	25 *103	7,14 *103	2,7 *103	1 *103

 

Uбэ, В	0,55	0,60	0,65	0,70	0,75	0,80	0,85	0,90	0,95
Iб, мА	0,205	0,557	1,575	4,279	13,99	33,84	63,27	98,68	137,6	178,7
Iк, мА	2,09	14,25	94,59		2,731	8,347	17,15	27,63	38,72	49,90
βстат	10,19	22,58	60,05	164,61	0,19	0,24	0,27	0,27	0,28	0,27
Rвх. стат, Ом	2,68*103	1,07*103	1,13*103	0,16*103	0,05*103	0,02*103	0,01*103	0,009*103	0,006*103	0,005*103
βдиф	13,95	34,5	78,9			0,28	0,29	0,29	0,28	0,21
Rвх. диф, Ом	0,39*103	0,14 *103	0,049 *103	0,018*103	0,0051 *103	0,0025 *103	0,0016 *103	0,0014 *103	0,0013 *103	0,0012*103

 

 

 

 

 

β_стат8=0,001/0,004=0,25

β_стат9=0,006/0,011=0,54

β_стат10=0,044/0,029=1,51

β_стат11=0,304/0,077=3,94

β_стат12=2,09/0,205=10,19

β_стат13=14,25/0,557=22,58

β_стат14=94,59/1,575=60,05

β_стат15=576/4,279=134,61

β_стат16=2,731/13,99=0,19

β_стат17=8,347/33,84=0,24

β_стат18=17,15/63,27=0,27

β_стат19=27,63/98,68=0,27

β_стат20=38,72/137,6=0,28

β_стат21=49,9/178,7=0,27

R_{вх. стат} = ,

 

R_{вх. стат}6=0,25/0,001=250 *10³Ом

R_{вх. стат}7=0,3/0,002=150*10³ Ом

R_{вх. стат}8=0,35/0,004=87,5 *10³Ом

R_{вх. стат}9=0,4/0,011=36,36 *10³Ом

R_{вх. стат}10=0,45/0,029=15,51 *10³Ом

R_{вх. стат}11=0,5/0,077=6,49 *10³Ом

R_{вх. стат}12=0,55/0,205=2,68 *10³Ом

R_{вх. стат}13=0,6/0,557=1,07 *10³Ом

R_{вх. стат}14=0,65/1,575=1,13 *10³Ом

R_{вх. стат}15=0,7/4,279=0,16*10³ Ом

R_{вх. стат}16=0,75/13,99=0,05 *10³Ом

R_{вх. стат}17=0,8/33,84=0,02*10³ Ом

R_{вх. стат}18=0,85/63,27=0,01*10³ Ом

R_{вх. стат}19=0,9/98,68=0,009*10³ Ом

R_{вх. стат}20=0,95/137,6=0,006*10³ Ом

R_{вх. стат}21=1/178,7=0,005*10³ Ом

 

.

 

 

8=0,001-0=0,001 мА

9=0,006-0,001=0,005 мА

10=0,044-0,006=0,038 мА

11=0,304-0,044=0,260 мА

12=2,09-0,304=1,786 мА

13=14,25-2,09=12,16 мА

14=94,59-14,25=80,34 мА

15=576-94,59=481,41 мА

16=2,731-576=-573,269 мА

17=8,347-2,731=5,616 мА

18=17,15-8,347=8,803 мА

19=27,63-17,15=10,48 мА

20=38,72-27,63=11,09 мА

21=29,9-38,72=-8,82 мА

 

8=0,004-0,002=0,002 мА

9=0,011-0,004=0,007 мА

10=0,029-0,011=0,018 мА

11=0,077-0,029=0,048 мА

12=0,205-0,077=0,128 мА

13=0,557-0,205=0,352 мА

14=1,575-0,557=1,018 мА

15=4,279-1,575=2,704 мА

16=13,99-4,279=9,711 мА

17=33,84-13,99=19,85 мА

18=63,27-33,84=29,43 мА

19=98,68-63,27=35,41 мА

20=137,6-98,68=38,92 мА

21=178,7-137,6=41,1мА

 

 

8=0,001/0,002=0,5

9=0,005/0,007= 0,71

10=0,038/0,018=2,11

11=0,26/0,048=5,4

12=1,786/0,128=13,95

13=12,16/0,352=34,5

14=80,34/1,018=78,91

15=481,41/2,704=178

16=573,269/9,711=59,0

17=5,616/19,85=0,28

18=8,803/29,43=0,29

19=10,48/35,41=0,29

20=11,09/38,92=0,28

21=8,82/41,1=0,21

 

 

 

 

2=0,05-0=0,05 В

3=0,1-0,05=0,05 В

4=0,15-0,1=0,05 В

5=0,2-0,15=0,05 В

6=0,25-0,2=0,05 В

7=0,3-0,25=0,05 В

8=0,35-0,3=0,05 В

9=0,4-0,35=0,05 В

10=0,45-0,4=0,05 В

11=0,5-0,45=0,05 В

12=0,55-0,5=0,05 В

13=0,6-0,55=0,05 В

14=0,65-0,6=0,05 В

15=0,7-0,65=0,05 В

16=0,75-0,7=0,05 В

17=0,8-0,75=0,05 В

18=0,85-0,8=0,05 В

19=0,9-0,85=0,05 В

20=0,95-0,9=0,05 В

21=1-0,95=0,05 В

 

8=0,05/0,002=25 *10³Ом

9=0,05/0,007=7,14 *10³Ом

10=0,05/0,018=2,7 *10³Ом

11=0,05/0,048=1 *10³Ом

12=0,05/0,128=0,39*10³ Ом

13=0,05/0,352=0,14 *10³Ом

14=0,05/1,018=0,049 *10³Ом

15=0,05/2,704=0,018*10³ Ом

16=0,05/9,711=0,0051 *10³Ом

17=0,05/19,85=0,0025 *10³Ом

18=0,05/29,43=0,0016 *10³Ом

19=0,05/35,41=0,0014 *10³Ом

20=0,05/35,92=0,0013 *10³Ом

21=0,05/41,1=0,0012*10³ Ом

 

2.2.4 По данным таблицы построл графики: Iб = f (Uбэ) /Uкэ = const, Iк = f (Iб)/Uкэ = const, Iк = f (Uбэ) /Uкэ = const.

 

 

2.2.5 Используя таблицу 2 и характеристики рассчитал статический коэффициент передачи тока базы β_стат, входное сопротивление транзистора постоянному току R_{вх. стат}, дифференциальный коэффициент передачи тока базы β_диф, дифференциальное входное сопротивление R_{вх. диф}.

Дифференциальные параметры необходимо рассчитывать по методу двух точек, взяв приращения соответствующих величин на основе данных, помещенных в соседних столбцах таблицы №2.

2.3 Собрал электрическую цепь в соответствии со схемой, показанной на рисунке 7 (по аналогии с действиями, приведенными в п. 2.1). По завершению, получил готовую электрическую цепь (рисунок 10).

Рисунок 7 - Схема включения биполярного транзистора n - p - n типа с ОЭ для снятия статических выходных характеристик транзистора

 

Рисунок 10 – Схема измерений в программе Electronics Workbench

 

2.3.1 Выставил значения номиналов сопротивлений и выбрать из библиотеки необходимый транзистор:

R₁ = 1 кОм;

VT - 2N4401.

2.4 Снял выходную характеристику транзистора как зависимость Iк = f (Uкэ) при Iб=const. Для этого:

2.4.1 Устанавил напряжение источника питания Uвых1 так, чтобы получился ток базы Iб, указанный в таблице 3 (0,4 mA). Ток контролировать по прибору РА1 с базы.

2.4.2 Изменил напряжение Uкэ с помощью регулировки U_вых2 = Е₂ и контролировать его с помощью прибора PV1. Ток Iк контролировать по прибору РА2. При этом шаг изменения напряжения Uкэ до значения Uкэ = 1В должен составлять 0,2 В, а после – 1В до значения Uкэ = 10В.

2.4.3 Измерения произвел для трех разных температур (t =27⁰С; t =50⁰С; t =100⁰С). Изменение температуры осуществлял в окне «Analysis Setup после двойного щелчка левой клавишей мыши на условное графическое обозначение транзистора в окне необходимо убрать галочку перед текстом «Use glola ltemperature» выставить температуру и нажать на кнопку «ОК».

 

2.4.4 Данные занес в таблицу 4.

2.4.5 По данным таблицы построил выходные характеристики: Iк= f (Uкэ) при Iб= const для трех разных температур.

 

Таблица 4

 

Uкэ, В	0,2	0,4	0,6	0,8
Iк, мА t01, С	7.43	7.647	7.86	8.073	8.286	9.350	10.41	11.48	12.54	13.61	14.67	15.73	16.8	17.86
Iк, мА t02, С	37.84	38.16	38.42	38.69	38.96	40.29	41.63	42.96	44.30	45.63	46.97	48.3	49.63	50.97
Iк, мА t03, С	632.8	641.4	642.7	643.1	645.4	652.1	658.8	665.4	672.1	678.8	685.4	692.1	698.8	704.5
Rвых стат, (Ом)	26,91	52,35	76,33		120,68	213,9	288,1	348,43	398,72	440,8	396,61	508,58	538,71	559,9
Rвых диф, (Ом)	26,91	921,65	62,24	938,96	938,96	939,84	943,39	934,57	943,39	934,57	943,39	943,39	934,57	943,39

 

R_{вых. стат} = ,

 

R_{вых. стат}1=0.2/7.43 =26,91 Ом

R_{вых. стат}2=0.4/7.64 =52,35 Ом

R_{вых. стат}3=0.6/7.86 =76,33 Ом

R_{вых. стат}4=0.8/8.073 =99 Ом

R_{вых. стат}5=1/8.286 =120,68 Ом

R_{вых. стат}6=2/9.350 =213,9 Ом

R_{вых. стат}7=3/10.41 =288,1 Ом

R_{вых. стат}8=4/11.48 =348,43 Ом

R_{вых. стат}9=5/12.54 =398,72 Ом

R_{вых. стат}10=6/13.61 =440,8 Ом

R_{вых. стат}11=7/14.67 =396,61 Ом

R_{вых. стат}12=8/15.73 =508,58 Ом

R_{вых. стат}13=9/16.8 =535,71 Ом

R_{вых. стат}14=10/17.86 =559,9 Ом

 

R_{вых. диф} =

 

 

1=0,2-0=0,2 В

2=0,4-0,2=0,2 В

3=0,6-0,4=0,2 В

4=0,8-0,6=0,2 В

5=1-0,8=0,2 В

6=2-1=1 В

7=3-2=1 В

8=4-3=1 В

9=5-4=1 В

10=6-5=1 В

11=7-6=1 В

12=8-7=1 В

13=9-8=1 В

14=10-9=1 В

 

 

1=7,43-0=7,43 мА

2=7,647-7,43=0,217 мА

3=7,86-4,647=3,213 мА

4=8,073-7,86=0,213 мА

5=8,286-8,073=0,213 мА

6=9,35-8,286=1,064 мА

7=10,41-9,35=1,06 мА

8=11,48-10,41=1,07 мА

9=12,54-11,48=1,06 мА

10=13,61-12,54=1,07 мА

11=14,67-13,61=1,06 мА

12=15,73-14,67=1,06 мА

13=16,8-15,73=1,07 мА

14=17,86-16,8=1,06 мА

 

 

R_{вых. диф}1=0,2/7,43 =26,91 Ом

R_{вых. диф}2=0,2/0,217 =921,65 Ом

R_{вых. диф}3=0,2/3,213 =62,24 Ом

R_{вых. диф}4=0,2/0,213 =938,96 Ом

R_{вых. диф}5=0,2/0,213 =938,96 Ом

R_{вых. диф}6=1/1,064 =939,84 Ом

R_{вых. диф}7=1/1,06 =943,39 Ом

R_{вых. диф}8=1/1,07 =934,57 Ом

R_{вых. диф}9=1/1,06 =943,39 Ом

R_{вых. диф}10=1/1,07 =934,57 Ом

R_{вых. диф}11=1/1,06 =943,39 Ом

R_{вых. диф}12=1/1,06 =943,39 Ом

R_{вых. диф}13=1/1,07 =934,57 Ом

R_{вых.диф}14=1/1,06 =943,39Ом

 

2.4.6 Рассчитал статические и динамические выходные сопротивления транзистора R_{вых стат,} R_{вых диф} на основе таблицы 4 для выходной характеристики, построенной при температуре t⁰=27⁰С. Расчетные данные поместил в таблицу 4.

4 Контрольные вопросы:

4.1 Объяснить принцип действия транзистора p-n-p типа.

4.2 В чём преимущества и недостатки схемы с общим эмиттером по сравнению со схемой с общей базой?

4.3 Почему в транзисторах база имеет малую толщину?

4.4 Что собой представляют статические характеристики транзистора?

Вывод: Развили умения по измерению характеристик транзисторов на примере полевых транзисторов разных типов и научить по характеристикам определить основные параметры полевых транзисторов.

Ответы на контрольные вопросы:

4.1Транзистор может работать в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном – обратное. Режим отсечки, или запирания, достигается подачей обратного напряжения на оба перехода. Если же на обоих переходах напряжение прямое, то транзистор работает в режиме насыщения. Активный режим является основным. Он используется в большинстве усилителей и генераторов. Поэтому мы подробно рассмотрим работу транзистора в активном режиме. Режимы отсечки и насыщения характерны для импульсной работы транзистора и также будут рассмотрены в дальнейшем.

4.2 Достоинства схемы с общим эмиттером по сравнению со схемой с общей базой:
• Большой коэффициент усиления по току
• Бо́льшее входное сопротивление
• Можно обойтись одним источником питания

Недостатки схемы с общим эмиттером по сравнению со схемой с общей базой:
• Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой

4.3 База должна иметь достаточно малую толщину w (w «L, где L- диффузионная длина неосновных носителей), чтобы инжектированные неосновные носители не успевали рекомбинировать.

4.4 статические характеристики транзистора представляют собой графики экспериментально полученных усредненных зависимостей между токами, протекающими в цепях электродов транзистора, и напряжениями, приложенными к электродам.