Устройство МДП транзистора

На рис. 2.1 схематически показано устройство МДП транзистора с каналом р-типа. В подложке из кремния п-типа путем диффузии создаются две сильнолегированные р-области. Одна из этих областей, от которой начинают движение, основные носители в канале, называется истоком; другая область, к которой движутся основные носители, называется стоком. На поверхности кремния между стоком и истоком расположен тонкий слой диэлектрика нанесенного тем или иным технологическим способом. Эта область называется затвором и является управляющим электродом. МДП транзистор часто называют транзистором с изолированным затвором.

В качестве диэлектрика в МДП транзисторе используют SiO₂, Аl₂O₃, TiO₂ и другие материалы. Однако наибольшее применение нашла двуокись кремния SiO₂. МДП транзистор с диэлектриком из SiO₂ исходной полупроводниковой пластины называется МОП транзистором (металл — окисел — полупроводник).

МДП транзисторы делятся на два вида: транзисторы с встроенными каналами и транзисторы с индуцированными каналами (рис. 2.2). В транзисторах со встроенными каналами канал между стоком и истоком создается технологическим путем. В транзисторах с индуцированными каналами канал наводится (индуцируется) под действием управляющего напряжения. Транзисторы с встроенными каналами могут работать в режимах обогащения и обеднения канала основными носителями, а транзисторы с индуцированными каналами работают только в режиме обогащения.

Рис. 2.1. Устройство МДП транзистора с каналом р-типа и изолированным затвором.

По типу проводимости каналов различают МДП транзисторы с каналами п- и р-типов. Исходный полупроводниковый материал, на котором изготавливается транзистор, называется подложкой. В отличие от биполярных транзисторов в полевых транзисторах ток в канале переносится основными носителями. Входное сопротивление полевых транзисторов превосходит входное сопротивление биполярных транзисторов и для МДП транзистора составляет 10¹⁰ —10¹⁴ Ом. Так как входные токи полевых транзисторов малы, то управление изменением тока в выходной цепи осуществляется входным напряжением. Усилительные свойства полевого транзистора характеризуются крутизной. Крутизна полевых транзисторов для большинства практических применений может считаться частотно-независимым параметром. Поэтому быстродействие электронных схем на полевых транзисторах ограничено в основном паразитными параметрами схемы.

Рис. 2.2. Типовые структуры полевых транзисторов: а) МДП транзистор с индуцированным каналом; б) МДП транзистор с встроенным каналом: Д — диэлектрик; М — металл; П — полупроводник