Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Статические характеристики транзистора в схеме с ОБ





 

Статические характеристики для схемы с ОБ (рис. 1.7) обычно представляются в виде семейства выходных (коллекторных) характеристик Ic(Vc) с параметром Ie (1.15а) и семейства входных (эмиттерных) характеристик Ie(Ve) с параметром Vc:

Ic = αIe – Ie0[exp(qVc/kT)-1] (1.15а)

В последнем случае связь между напряжением и током, действующими на эмиттере определяется соотношением:

Ve = , (1.15б)

где Ie0 и Ic0—обратные токи эмиттера и коллектора при разомкнутом коллекторе и эмиттере соответственно, а α — коэффициент передачи коллекторного тока, который учитывает обратное влияние тока коллектора на ток эмиттера.

В зависимости от того, как включены р— n-переходы транзистора, различают три режима работы транзистора.

1. Активный режим (эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт, т. е. Vc <0). В нем имеет место эффективное управление транзистором, и он может выполнять функции активного элемента — быть усилителем, генератором и т. д.

2. Режим отсечки (оба перехода закрыты, т. е. Ie<0), ток коллектора неуправляем.

3. Режим насыщения (оба перехода открыты, т. е. Vc >0), ток коллектора неуправляем.

Последние два режима транзистора используются в ключевых импульсных схемах.

 

Рис. 1.7. Статические характеристики транзистора при включении по схеме с ОБ: а—коллекторные (выходные); б—эмиттерные (входные).

 

 

Рассмотрим более детально активный режим. Для него справедливы соотношения Vc < 0; |Vc|>>kT/q, Ve>>kT/q, при которых выражения (1.15а) и (1.15б) переходят в следующие:

Ic = αIe+Ic0 (1.16а)

Ve = (1.16б)

Выражение (1.16а) широко используется на практике. Как видно из рис. 1.7а, в активной области ток коллектора практически не зависит от напряжения на коллекторе. При изменении тока эмиттера на величину ΔIe зависимость Ic(Vc)сдвигается на величину ΔIc = αΔIe. Реальные коллекторные характеристики за счет зависимости α и Ic0 от Ie и Vc.имеют конечный наклон, который резко увеличивается в области, близкой к пробою, когда напряжение на коллекторе Vc достигает напряжения лавинного пробоя VM. При больших обратных смещениях на коллекторе начинаются процессы ударной ионизации, и при любом Ie коллекторный ток увеличивается в М раз: Ic(VM) =MIc0, где М— коэффициент ударной ионизации, описывающейся полуэмпирической формулой

M = (1.17)

где n=3 для базы из п—Ge и р—Si и n=5 для базы из р—Ge и п— Si. Лавинное умножение тока в области больших Vc приводит также к увеличению α, т. е. α M α.

Влияние Vc на эмиттерные характеристики не столь существенно, и последние образуют довольно плотный пучок. Кривая при Vc = 0 является обычной диодной характеристикой.







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 556. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...


Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

Тема: Кинематика поступательного и вращательного движения. 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью, проекция которой изменяется со временем 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью...

Условия приобретения статуса индивидуального предпринимателя. В соответствии с п. 1 ст. 23 ГК РФ гражданин вправе заниматься предпринимательской деятельностью без образования юридического лица с момента государственной регистрации в качестве индивидуального предпринимателя. Каковы же условия такой регистрации и...

Седалищно-прямокишечная ямка Седалищно-прямокишечная (анальная) ямка, fossa ischiorectalis (ischioanalis) – это парное углубление в области промежности, находящееся по бокам от конечного отдела прямой кишки и седалищных бугров, заполненное жировой клетчаткой, сосудами, нервами и...

Прием и регистрация больных Пути госпитализации больных в стационар могут быть различны. В цен­тральное приемное отделение больные могут быть доставлены: 1) машиной скорой медицинской помощи в случае возникновения остро­го или обострения хронического заболевания...

ПУНКЦИЯ И КАТЕТЕРИЗАЦИЯ ПОДКЛЮЧИЧНОЙ ВЕНЫ   Пункцию и катетеризацию подключичной вены обычно производит хирург или анестезиолог, иногда — специально обученный терапевт...

Ситуация 26. ПРОВЕРЕНО МИНЗДРАВОМ   Станислав Свердлов закончил российско-американский факультет менеджмента Томского государственного университета...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия