Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Статические характеристики транзистора в схеме с ОБ




 

Статические характеристики для схемы с ОБ (рис. 1.7) обычно представляются в виде семейства выходных (коллекторных) характеристик Ic(Vc) с параметром Ie (1.15а) и семейства входных (эмиттерных) характеристик Ie(Ve) с параметром Vc:

Ic = αIe – Ie0[exp(qVc/kT)-1] (1.15а)

В последнем случае связь между напряжением и током, действующими на эмиттере определяется соотношением:

Ve = , (1.15б)

где Ie0 и Ic0—обратные токи эмиттера и коллектора при разомкнутом коллекторе и эмиттере соответственно, а α — коэффициент передачи коллекторного тока, который учитывает обратное влияние тока коллектора на ток эмиттера.

В зависимости от того, как включены р—n-переходы транзистора, различают три режима работы транзистора.

1. Активный режим (эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт, т. е. Vc <0). В нем имеет место эффективное управление транзистором, и он может выполнять функции активного элемента — быть усилителем, генератором и т. д.

2. Режим отсечки (оба перехода закрыты, т. е. Ie<0), ток коллектора неуправляем.

3. Режим насыщения (оба перехода открыты, т. е. Vc >0), ток коллектора неуправляем.

Последние два режима транзистора используются в ключевых импульсных схемах.

 

Рис. 1.7. Статические характеристики транзистора при включении по схеме с ОБ: а—коллекторные (выходные); б—эмиттерные (входные).

 

 

Рассмотрим более детально активный режим. Для него справедливы соотношения Vc < 0; |Vc|>>kT/q, Ve>>kT/q, при которых выражения (1.15а) и (1.15б) переходят в следующие:

Ic = αIe+Ic0 (1.16а)

Ve = (1.16б)

Выражение (1.16а) широко используется на практике. Как видно из рис. 1.7а, в активной области ток коллектора практически не зависит от напряжения на коллекторе. При изменении тока эмиттера на величину ΔIe зависимость Ic(Vc)сдвигается на величину ΔIc = αΔIe. Реальные коллекторные характеристики за счет зависимости α и Ic0 от Ie и Vc .имеют конечный наклон, который резко увеличивается в области, близкой к пробою, когда напряжение на коллекторе Vc достигает напряжения лавинного пробоя VM. При больших обратных смещениях на коллекторе начинаются процессы ударной ионизации, и при любом Ie коллекторный ток увеличивается в М раз: Ic(VM) =MIc0, где М—коэффициент ударной ионизации, описывающейся полуэмпирической формулой

M = (1.17)

где n=3 для базы из п—Ge и р—Si и n=5 для базы из р—Ge и п—Si. Лавинное умножение тока в области больших Vc приводит также к увеличению α, т. е. αMα.

Влияние Vc на эмиттерные характеристики не столь существенно, и последние образуют довольно плотный пучок. Кривая при Vc = 0 является обычной диодной характеристикой.


Поможем в написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой





Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 377. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2022 год . (0.019 сек.) русская версия | украинская версия
Поможем в написании
> Курсовые, контрольные, дипломные и другие работы со скидкой до 25%
3 569 лучших специалисов, готовы оказать помощь 24/7