Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Статические характеристики в схеме с ОЭ





При включении с ОЭ семейством выходных характеристик являются Ic(Vc) с параметром Ib, а входных— Ib(Vb) с параметром Vc. Для активного режима работы эти зависимости (рис. 1.13)

имеют вид

Ic = (1.18а)

Ib = (1.18б)

 

где rc — усредненное сопротивление коллектора.

Рис. 1.8. Статические характеристики транзистора при включении по схеме с ОЭ: а—выходные; б—входные

 

Коэффициент при Ib называется коэффициентом передачи базового тока в схеме с ОЭ:

B0 = α/(1-α) (1.19)

Поскольку последний член в правой части (1.18а) мал, им можно пренебречь, и тогда семейство выходных характеристик описывается выражением:

Ic = B0Ib + I*c0. (1.20)

Здесь I*c0 = (1+ B0) Ic0.

Из сравнения рис. 1.7 и 1.8 можно отметить основные различия между включением с ОЭ и с ОБ.

1. Кривые коллекторного семейства с ОЭ не пересекают ось ординат. Поскольку |Vce| = |Vcb|+ |Ve|, они получаются путем сдвига кривых в схеме с ОБ (рис. 1.7) на величину Ve, которая зависит от Ib, и область насыщения, в которой коллекторный переход отпирается, в зависимости от Ib перемещается в область более отрицательных значений Vce.

2. Ток при разомкнутой базе (Ib =0) равен I*c0 = (1+ B0) Ic0. Из (1.20) следует, что минимальное значение коллекторного тока Ic = Ic0 получается при Ib = -Ic0, т. е. в.интервале токов от Ib = 0 до Ib = - Ic0 транзистор в схеме ОЭ управляется отрицательным входным током, и, следовательно, области отсечки соответствуют значения тока Ib <-Ic0.

3. Входные характеристики (рис. 1.8,6) сдвинуты вниз на величину Ic0. Вид их подобен семейству эмиттерных характеристик но, поскольку Ib <-Ic0, эти кривые имеют другой масштаб тока.

В предпробойной области коэффициент передачи а увеличивается в М раз. Напряжение лавинного пробоя VB в схеме с ОЭ, определяемое из условия Mα = 1, оказывается равным

VB = VM(1-α)1/3 (1.21)

При α~ 0,95 получаем VB = 0,4VM. Пробой в схеме с ОЭ происходит при значительно меньших напряжениях, чем в схеме с ОБ.

Рассмотрение статистических характеристик в схемах с ОБ и с ОЭ показывает, что для описания свойства транзисторов необходимо знать следующие параметры: коэффициент передачи тока базы B0, коэффициент передачи тока эмиттера а, обратный ток коллекторного перехода /ко. Рассмотрим, 'каким образом эти величины определяются через физические параметры транзистора.

а) Коэффициент передачи эмиттерного тока α;

Коэффициент передачи тока в схеме с ОБ равен

α = γβ» (1.22)

Подставляя в (1.22) типичные для сплавных триодов значения σnp= 0,001 и полагая W=(0,1—0,3)Lp получаем α =0,95—0,98.

Чем меньше толщина базы W и отношение W/Lp а также разница в уровнях легирования эмиттера и базы σnp, тем лучше выполняется условие α»1.

Так как α ≤1, входной Ie и выходной Ic токи транзистора в схеме ОБ почти одинаковы, следовательно, усиление по току отсутствует. Однако, включив в выходную цепь сопротивление rc (рис. 1.6,б), можно получить усиление по мощности, поскольку сопротивление нагрузки Rн значительно превышает сопротивление эмиттерного перехода re.

 

б) Коэффициент усиления транзистора по току B0

Как следует из (1.19), при α~1 коэффициент передачи тока базы B0 >>1. Так, например, при характерных для сплавных транзисторов значениях α = 0,95—0,99 получаем B0 = 20—100. Следовательно, выходной ток Ic во много раз превышает входной ток Ib. Это означает, что при включении транзистора в схемах с ОЭ можно получить значительное усиление по току.

В реальных схемах α, а следовательно, B0 зависят от тока Ic и напряжения Vc. Зависимость α(Ic) имеет явно выраженный максимум. Рост α вначале объясняется ростом γ; с возрастанием инжекционного тока и в дальнейшем ростом β из-за ускорения диффузии в базе за счет появления тянущего поля при высоких уровнях инжекции. Однако увеличение инжекции электронов из базы в эмиттер и уменьшение времени жизни дырок в базе при их высокой концентрации приводят к уменьшению γ; и β соответственно и, следовательно, к уменьшению α.

В области Vc < VM коэффициент α зависит от Vc вначале очень сильно, возрастая из-за расширения области объемного заряда коллекторного перехода. В дальнейшем повышение α ограничивается из-за обратной связи между Vc и Ve и уменьшения Ve с ростом Vc. Все это приводит к тому, что семейства выходных характеристик при больших токах становятся неэквидистантными, причем этот эффект заметнее проявляется в семействе для схемы с ОЭ, поскольку зависимость B0(Ic) выражена гораздо сильнее из-за малости члена 1— α.

в) Обратный ток коллекторного перехода Ic0

Ток Ic0является неуправляемым током коллекторного перехода (при разомкнутой цепи эмиттера) и характеризует минимальное значение тока, при котором транзистор может работать при данном напряжении на коллекторе. Оценка дает для Ic0 значение порядка нескольких микроампер.

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 485. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...


Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...


Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Типовые ситуационные задачи. Задача 1.У больного А., 20 лет, с детства отмечается повышенное АД, уровень которого в настоящее время составляет 180-200/110-120 мм рт Задача 1.У больного А., 20 лет, с детства отмечается повышенное АД, уровень которого в настоящее время составляет 180-200/110-120 мм рт. ст. Влияние психоэмоциональных факторов отсутствует. Колебаний АД практически нет. Головной боли нет. Нормализовать...

Эндоскопическая диагностика язвенной болезни желудка, гастрита, опухоли Хронический гастрит - понятие клинико-анатомическое, характеризующееся определенными патоморфологическими изменениями слизистой оболочки желудка - неспецифическим воспалительным процессом...

Признаки классификации безопасности Можно выделить следующие признаки классификации безопасности. 1. По признаку масштабности принято различать следующие относительно самостоятельные геополитические уровни и виды безопасности. 1.1. Международная безопасность (глобальная и...

ОСНОВНЫЕ ТИПЫ МОЗГА ПОЗВОНОЧНЫХ Ихтиопсидный тип мозга характерен для низших позвоночных - рыб и амфибий...

Принципы, критерии и методы оценки и аттестации персонала   Аттестация персонала является одной их важнейших функций управления персоналом...

Пункты решения командира взвода на организацию боя. уяснение полученной задачи; оценка обстановки; принятие решения; проведение рекогносцировки; отдача боевого приказа; организация взаимодействия...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия