Биполярный транзистор

L_{об Э} W_Б L_{об К}

Эмиттер База Коллектор

n⁺p n

x

L_{об Э} W_Б0 L_{об К} а)

qδφ

qφ_0Э qφ_0К

E_ф

L_{об К} б)

q(φ_0Э - U_ЭБ) 1 2

E_{ф Э}

1эВ E_{ф Б} q(φ_0К + |U_КБ|)

L_{об Э} W_Б E_{ф К}

0,5 мкм

в)

Рисунок 4.2 – Одномерная модель транзистора (а) и энергетические диаграммы в состоянии равновесия (б) и в активном режиме (в).

Энергетическая диаграмма для одномерной модели в состоянии равновесия (при нулевых напряжениях на переходах) показана на рисунке 4.2, б. Она является совмещением энергетических диаграмм p-n -переходов. Равновесная система характеризуется единым уровнем Ферми Е_Ф. На границе эмиттера и базы образуется энергетический барьер высотой qφ_0Э, а на границе базы с коллектором – барьер высотой qφ_0К. Небольшое искривление границ энергетических зон в базе (разность энергий на границах базы qδφ; ~ 0,1 эВ) обусловлено внутренним электрическим полем в базе, возникающим вследствие неравномерного распределения акцепторов; их концентрация у границы базы с эмиттерным переходом значительно выше концентрации у границы с коллекторным переходом. Такое распределение примесей характерно для большинства транзисторов.

В активном режиме, являющимся основным для усилительных схем, на эмиттерный переход подается прямое напряжение, а на коллекторный – обратное. Энергетическая диаграмма в активном режиме приведена на рисунке 4.2, в. Потенциальный барьер эмиттерного перехода уменьшается на значение прямого напряжения U_ЭБ, что приводит к инжекции электронов из эмиттера в базу. Основное назначение эмиттера – обеспечить максимально возможную при данном прямом токе одностороннюю инжекцию электронов в базу. Для этого концентрация доноров в эмиттере N_gЭ на границе с переходом должна быть значительно больше концентрации акцепторов в базе: N_gЭ>>N_aБ.

Электроны, инжектируемые в базу, движутся к коллекторному переходу. Это движение является совокупностью диффузии и дрейфа. Диффузионное движение обусловлено повышением вследствие инжекции концентрации электронов в базе около эмиттерного перехода, тогда как около коллекторного перехода она мала из-за экстракции полем этого перехода. Диффузия присуща всем типам транзисторов. Дрейфовое движение вызывается внутренним электрическим полем в базе. Транзисторы с неоднородно легированной базой, в которой существенно дрейфовое движение, называют дрейфовыми. Менее распространены бездрейфовые транзисторы с однородно легированной базой, в которой нет внутреннего электрического поля.

Часть электронов, инжектированных в базу, не доходит до коллекторного перехода вследствие рекомбинации. Однако их число невелико, так как толщина базы мала по сравнению с диффузионной длиной электронов.

Электроны, достигающие коллекторного перехода, втягиваются в него электрическим полем и перебрасываются в коллектор. Таким образом, в активном режиме коллектор собирает инжектированные в базу электроны.

В активном режиме токи коллектора и эмиттера почти одинаковы, а их разность равна току базы. Коллекторный ток практически не зависит от напряжения на коллекторном переходе, поскольку при любом обратном напряжении все электроны, достигающие в базе коллекторного перехода, попадают в его ускоряющее поле и уносятся в коллектор. По этой причине дифференциальное сопротивление коллекторного перехода r_К = dU_КБ/dI_К очень велико, что характерно для p-n - переходов, включенных в обратном направлении. В цепь коллектора можно включить нагрузочный резистор с достаточно большим сопротивлением R_н без существенного уменьшения коллекторного тока. В то же время дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (r_Э = dU_ЭБ/dI_Э), включенного в прямом направлении, очень мало (r_Э << r_К). При увеличении эмиттерного (входного) тока на ΔI_Э коллекторный ток возрастает приблизительно на то же значение (ΔI_К ~ ΔI_Э). Изменение мощности ΔP_вх = ΔI_ЭΔU_ЭБ = ΔI_Э² r_Э, потребляемой в цепи эмиттера, может быть много меньше изменения мошности ΔP_вых = ΔI_КΔU_КБ = ΔI_К² R_н ~ ΔI_Э² R_н, выделяемой в нагрузке. Говорят, что электрическая схема, содержащая транзистор, источник питания и нагрузочный резистор R_н > r_Э, способна “усиливать” мощность электрического сигнала (ΔP_вых > ΔP_вх), причем коэффициент усиления по мощности ΔP_вых /ΔP_вх = R_н / r_Э.

4.1.2 Схемы включения

В схеме с общей базой (ОБ), представленной на рисунке 4.3, а, напряжения на эмиттере U_ЭБ и коллекторе U_КБ отсчитываются относительно базы – общего электрода для входной (эмиттерной) и выходной (коллекторной) цепей.

Эта схема обладает усилением по мощности и напряжению (ΔU_КБ > ΔU_ЭБ), но не обеспечивает усиления тока (ΔI_К ~ ΔI_Э) и характеризуется малым входным сопротивлением (равным сопротивлению эмиттерного перехода при прямом напряжении).

Наиболее широко применяется схема с общим эмиттером (ОЭ), представленная на рисунке 4.3, б, в которой напряжения на базе U_БЭ и коллекторе U_КЭ отсчитываются относительно эмиттерного электрода, общего для входной (базовой) и выходной (коллекторной) цепей. Так как I_Б = I_Э – I_К << I_К, то эта схема обеспечивает усиление тока (ΔI_К >> ΔI_Б) и напряжения (ΔU_КЭ > ΔU_БЭ). Кроме того, ее входное сопротивление ΔU_БЭ/ΔI_Б = (ΔU_БЭ/ΔI_Э)(ΔI_Э/ΔI_Б) много больше входного сопротивления схемы ОБ.

В схеме с общим коллектором (ОК), представленной на рисунке 4.3, в, напряжения на базе U_БК и эмиттере U_ЭК отсчитываются относительно коллектора – общего электрода для входной (базовой) и выходной (эмиттерной) цепей. Так как I_Б << I_Э, то эта схема обеспечивает усиление тока (ΔI_Э >> ΔI_Б), приблизительно такое же, как и схема ОЭ. В отличие от схем ОБ и ОЭ схема ОК не обеспечивает усиления напряжения и поэтому ее часто называют эмиттерным повторителем. К достоинствам следует отнести высокое входное сопротивление, возрастающее при увеличении сопротивления нагрузочного резистора в цепи эмиттера.

I_Э I_К I_К I_Э

I_Б I_Б

– + + + _ –

U_ЭБ U_КБ U_КЭ U_ЭК

+ I_Б – U_БЭ I_Э – U_БК I_К +

– +

в) а) б)

Рисунок 4.3 – Схемы включения транзистора

4.1.3 Токи в транзисторе

В активном режиме полный ток эмиттера I_Э = I_Эn + I_Эp + I_Эрек состоит из тока I_Эn электронов, инжектированных из эмиттера в базу, тока I_Эp дырок, инжектированных из базы в эмиттер, и тока I_Эрек рекомбинации носителей в эмиттерном переходе. В этой сумме только первый ток является полезным, поскольку он влияет на ток коллектора, два остальных тока являются вредными, и их стремятся уменьшить. С этой целью эмиттер легируют значительно сильнее, чем базу, тогда концентрация электронов в эмиттере будет значительно больше концентрации дырок в базе и I_Эn >> I_Эp.

Движение электронов, инжектированных в базу, сопровождается рекомбинацией части электронов, поэтому ток I_Кn электронов, подходящих к коллекторному переходу, меньше тока I_Эn на величину I_Брек, называемую током рекомбинации в базе, который необходимо уменьшать. I_Брек будет тем меньше, чем меньше толщина базы по отношению к диффузионной длине электронов L_n в базе.

Если напряжение на коллекторном переходе значительно меньше напряжения лавинного пробоя и ударная ионизация отсутствует, то полный ток коллектора I_К = I_Кn + I_КБ0, где I_КБ0 – обратный ток коллектора в схеме с ОБ, не зависящий от тока эмиттера. Как и для одиночного p-n - перехода, обратный ток I_КБ0 состоит из токов термогенерации, теплового и утечки. Ток I_КБ0 может быть измерен при заданном обратном напряжении на коллекторном переходе и отключенном эмиттере (I_Э = 0).

Ток I_Кn – управляемый, т. е. зависит от тока эмиттера и может быть представлен как I_Кn = αI_Э, где α; – статический коэффициент передачи тока эмиттера в схеме ОБ. Поскольку I_Кn < I_Эn < I_Э, то α; < 1. Таким образом, в активном режиме

I_К = I_Кn + I_КБ0 = αI_Э + I_КБ0, (1)

откуда

α = (I_К - I_КБ0)/ I_Э. (2)

Обычно рабочие токи коллектора I_К значительно превышают величину I_КБ0, тогда можно записать

α = I_Кn / I_Э = γ_Э χ_Б, (3)

где

γ_Э = I_Эn / I_Э = I_Эn / (I_Эn + I_Эp + I_Эрек) (4)

– коэффициент инжекции эмиттера;

χ_Б = I_Кn / I_Эn (5)

– коэффициент переноса.

Коэффициент инжекции γ_Э показывает, какую часть составляет полезный ток инжекции электронов из эмиттера в базу в полном токе эмиттера. Коэффициент переноса χ_Б показывает, какая часть электронов, инжектируемых из эмиттера в базу, достигает коллекторного перехода; значение χ_Б тем ближе к единице, чем меньше электронов рекомбинирует в базе при их движении к коллектору. На коэффициент переноса помимо значений толщины базы и диффузионной длины неосновных носителей существенное влияние оказывает площадь коллекторного перехода. Это объясняется особенностями диффузионного движения носителей заряда. Диффузия происходит как в сторону коллектора, так и в направлении вывода базы и поверхности кристалла, что сопровождается дополнительной рекомбинацией и уменьшением коэффициента переноса. Для уменьшения рассеивания неосновных носителей площадь коллекторного перехода делают значительно больше площади эмиттерного перехода.

Значение коэффициента α; зависит от тока эмиттера и напряжения U_КБ. В области малых токов эмиттера коэффициент инжекции значительно меньше единицы, поскольку диффузионные токи эмиттерного перехода значительно меньше рекомбинационных. При увеличении тока эмиттера диффузионные токи возрастают быстрее рекомбинационных, поэтому коэффициенты инжекции и переноса увеличиваются, что приводит к росту α;. Область больших токов соответствует высокому уровню инжекции, при котором проявляется несколько физических эффектов, приводящих к уменьшению α;. Одним из таких эффектов является уменьшение удельного сопротивления базы, вызванное увеличением концентрации инжектированных в базу носителей. Это сопровождается уменьшением коэффициента инжекции и α;.

Зависимость α; от напряжения U_КБ определяется изменением (модуляцией) толщины базы и лавинным умножением носителей зарядов в запирающем слое коллекторного p-n -перехода; то и другое приводит к росту α; при увеличении напряжения U_КБ.

Из соотношения I_Б = I_Э – I_К и выражения (1) получаем

I_Б = (1 – α)I_Э – I_КБ0.

При некотором очень малом токе эмиттера, равном I_КБ0 / (1 - α), ток базы равен нулю. Однако рабочие токи эмиттера значительно превышают I_КБ0 / (1 - α), и тогда

I_Б = (1 – α)I_Э = I_Э – I_Кn = I_Эp + I_Эрек + I_Брек. (6)

Для схемы ОЭ в активном режиме из (1) и условия I_Э = I_К + I_Б получаем

I_К = βI_Б + (1+β) I_КБ0 = βI_Б + I_КЭ0, (7)

где

β = α / (1 – α) = (I_К – I_КБ0) / (I_Б + I_КБ0) (8)

– статический коэффициент передачи тока базы.

ГОСТ 20003-74 вводит термин «статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора» с обозначением h_21Э как «отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером». Фактически h_21Э = β;. По аналогии можно ввести обозначение h_21Б = α;.

В то время как α; < 1, значения β; могут быть очень большими, напрмер α; = 0,99 соответствует β; = 100.

Учитывая соотношение между коэффициентами α; и β; (8), можно сделать вывод о том, что β; также зависит от тока эмиттера и напряжения на коллекторном переходе, причем эта зависимость более сильная, чем у α;.

Ток I_КЭ0 = (1+β) I_КБ0 представляет собой неуправляемую (т. е. не зависящую от тока базы) составляющую коллекторного тока и называется обратным током коллектора в схеме с ОЭ. Таким образом, в схеме с ОЭ неуправляемый ток коллектора в β + 1 раз больше, чем в схеме с ОБ. Причина заключается в том, что ток I_КБ0 является одной из составляющих базового (входного) тока, усиливаемого транзистором при его включении с ОЭ. Большое значение тока I_КЭ0 является существенным недостатком схемы с ОЭ.

4.1.4 Статические вольт-амперные характеристики (ВАХ)

Статическими ВАХ называют графики, выражающие функциональную связь между токами и напряжениями транзистора. В зависимости от того, какие напряжения и токи принимаются за независимые переменные, возможны различные системы функциональной связи и соответствующие им семейства статических характеристик. Среди этих семейств характеристик наибольшее распространение получили статические характеристики, относящиеся к системе, в которой в качестве независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение:

U_вх = f (I_вх, U_вых);

I_вых = f (I_вх, U_вых).

В статическом режиме эти зависимости выражаются четырьмя семействами характеристик:

– входными:

U_вх = f (I_вх) при U_вых = const;

– выходными:

I_вых = f (U_вых) при I_вх = const;

– обратной связи:

U_вх = f (U_вых) при I_вх = const;

– прямой передачи:

I_вых = f (I_вх) при U_вых = const.

Вид характеристик зависит от способа включения транзистора. Для однозначного установления зависимости между токами и напряжениями транзистора достаточно иметь два семейства характеристик. Наибольшее применение получили входные и выходные характеристики. Характеристики обратной связи и прямой передачи применяются редко и могут быть получены из входных и выходных характеристик путем перестроения.

4.1.4.1 Входные характеристики

–U_ЭБ U_КБ = 0

10 В

U_КБ

0 I_Э

Рисунок 4.4 – Семейство входных характеристик транзистора, включенного с ОБ

Входными характеристиками транзистора, включенного с ОБ, называют семейство характеристик, выражающих зависимость U_ЭБ = f (I_Э) при постоянных значениях напряжения U_КБ, которое является параметром семейства входных характеристик. Типичное семейство входных характеристик для маломощного n-p-n транзистора показано на рисунке 4.4. Отрицательные значения напряжения U_ЭБ соответствуют прямому включению эмиттерного перехода. Характеристика для U_КБ = 0 практически совпадает с ВАХ p-n -перехода. В активном режиме (U_ЭБ < 0, U_КБ > 0) при увеличении U_КБ происходит смещение входной характеристики в область меньших напряжений (вниз). Это обусловлено уменьшением толщины базы за счет расширения области пространственного заряда при увеличении обратного напряжения на коллекторном переходе (эффект Эрли). Если поддерживать постоянным ток I_Э, то градиент концентрации электронов в базе должен оставаться неизменным, т. е. должна уменьшаться концентрация электронов на границе эмиттерного перехода n_БЭ (рисунок 4.5,а). Это может происходить только за счет уменьшения напряжения U_ЭБ.

В режиме насыщения (U_ЭБ < 0, U_КБ < 0) происходит инжекция электронов в базу не только из змиттера, но и из коллектора. Концентрация электронов на границе коллекторного перехода n_БК будет возрастать с увеличением прямого напряжения U_КБ. Для сохранения постоянного значения тока I_Э необходимо поддерживать постоянство градиента концентрации электронов в

n_P I_Э = const

U'_КБ > U_КБ

U'_ЭБ< U_ЭБ

n_БЭ

U_КБ > 0

n'_БЭ

U'_КБ Коллектор

n_P0

w'_Б x

h₁₂ = / при = 0 – коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей (т. е. при I₁ = I₁₌ = const);

h₂₁ = / при = 0 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании выхода по переменному току (т. е. при U₂ = U₂₌ = const);

h₂₂ = / при = 0 – выходная проводимость при разомкнутом входе для переменной составляющей (т. е. при I₁ = I₁₌ = const).Значения h-параметров зависят от постоянных составляющих входного тока (I₁₌) и выходного напряжения (U₂₌), от частоты, а также от схемы включения, что отмечается третьим индексом Б, Э, К соответственно для схем ОБ, ОЭ, ОК.

На низких частотах, когда емкостные составляющие токов пренебрежимо малы, h -параметры являются действительными величинами и представляют собой дифференциальные параметры, которые легко определить по статическим характеристикам.

Достоинством системы h -параметров является простота их измерения на низких частотах, поэтому в технических условиях (ТУ) и справочниках по транзисторам низкочастотные параметры приводятся в системе h -параметров. На высоких частотах из-за влияния паразитных емкостей трудно осуществить режим разомкнутого входа для переменных составляющих, что сильно снижает точность измерений.

4.1.6 Определение h -параметров по статическим характеристикам

Рассмотрим пример определения h -параметров транзистора, включенного по схеме с ОЭ. Для нахождения h_11э, h_12э используются входные характеристики (рисунок 4.10). Пусть I₁₌ = I_Б = 20 мкА, U₂₌ = U_КЭ = 10 В. Через точку А, соответствующую этим значениям, проводим горизонтальную прямую до пересечения с соседней характеристикой в точке В, получаем приращение ΔU_БЭ = 0,04 В, соответствующее изменению ΔU_КЭ = 9 В, следовательно, h_12э = ΔU_БЭ / ΔU_КЭ = 0,04 / 9 = 0,0044. Далее проводим через точку А вертикальную прямую до пересечения с соседней характеристикой в точке С и получаем приращение ΔI_Б = 12 мкА, соответствующее изменению ΔU_БЭ = 0,04 В. В этом случае h_11э = ΔU_БЭ / ΔI_Б = 3,3 кОм.

Для определения h_21э, h_22э используем выходные характеристики (рисунок 4.11). Проводя через точку А вертикальную прямую до пересечения с соседней характеристикой в точке В, получаем ΔI_К1 = 2мА при изменении тока базы от 20 до 40 мкА (ΔI_Б = 20 мкА) и U_КЭ = 10 В, следовательно, h_21э = ΔI_К1 / ΔI_Б = 100. Выберем в окрестности точки А точку С, лежащую на той же характеристике так, чтобы в пределах отрезка АС характеристика была линейной. Получим приращение тока ΔI_К2 = 0,4 мА и соответствующее ему приращение напряжения ΔU_КЭ = 4 В при заданном токе базы 20 мкА, следовательно, h_22э = ΔI_К2 / ΔU_КЭ = 4*10^-4/ 4 = 10^-4 См.

Примечание. Обратите внимание на то, что h_21э – дифференциальный (малосигнальный) параметр, а h_21Э – статический параметр.

I_Б, мкА

1В

10В

С

U_КЭ= 0 ΔI_Б

20 В А

ΔU_БЭ

0 0,2 0,4 0,6 0,8 U_БЭ, В

Рисунок 4.10 – Определение h_11э, h_12э по входным характеристикам

I_К, мА

8 I_Б= 40 мка

6 B

I_Б= 20 мка

4 ΔI_К1

A

2 C ΔI_К2

ΔU_КЭ

10 20 U_КЭ, В

Рисунок 4.11 – Определение h_21э, h_22э по выходным характеристикам

4.2 Цель работы

Научиться определять статические и дифференциальные параметры БТ.

4.3 Задачи

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

– провести измерения и построить статические вольтамперные характеристики (ВАХ) БТ, включенного по схеме с общей базой (ОБ) или по схеме с общим эмиттером (ОЭ) (по заданию преподавателя);

– определить и рассчитать статические параметры БТ;

– рассчитать дифференциальные параметры БТ.

4.4 Порядок работы и методы решения задач

4.4.1 Из справочника /1/ выпишите кратко основные электрические и эксплуатационные параметры исследуемого БТ, выполните эскиз внешнего вида с указанием расположения выводов, запишите маркировку и зарисуйте условное графическое обозначение /5/.

4.4.2. Изобразите включение БТ по схеме с ОБ или с ОЭ в активном режиме /2, раздел 4.1/, укажите токи и напряжения во входной и выходной цепях. Дайте эскиз структуры БТ.

4.4.3 С помощью лабораторного макета проведите измерения семейств статических входных и выходных характеристик БТ /2, раздел 4.3; 3, раздел 4.8/.

Измерение статических характеристик с помощью лабораторного макета производится по точкам методом вольтметра-амперметра. При измерении статических входных характеристик БТ необходимо задавать различные значения входного тока и измерять соответствующие им значения напряжения на входных электродах БТ. В случае схемы с ОБ изменение входного тока проводится от нуля до максимального показания измерительного прибора «Ток на входе» на самом грубом пределе измерения (9 мА). При включении транзистора с ОЭ входной ток необходимо изменять от нуля до значения, при котором выходной ток (ток коллектора) достигнет значения 20 мА. В процессе измерения входных характеристик напряжение на выходе БТ поддерживайте постоянным. Входную характеристику измерьте при напряжениях на выходе (напряжение коллектора) U_вых = 0; 0,5; 5; 10 В.

При измерении выходных ВАХ БТ (за исключением соответствующих нулевому входному току) необходимо различать режим насыщения и активный режим. В режиме насыщения необходимо, регулируя напряжение на выходе, задавать различные значения выходного тока, начиная с нуля, и фиксировать соответствующие им значения напряжения на выходе. В активном режиме следует задавать различные значения напряжения на выходе (максимальное – 10 В) и фиксировать соответствующие им значения выходного тока. Входной ток в обоих случаях поддерживается постоянным. Помните, что в схеме с ОБ режим насыщения наблюдается при прямом напряжении на выходе, активный – при обратном, поэтому при измерении выходной ВАХ необходимо переключать полярность напряжения на выходе. В схеме с ОЭ режим насыщения соответствует небольшим значениям обратного напряжения на выходе (от нуля до десятых долей вольта), о переходе в активный режим будет свидетельствовать слабая зависимость выходного тока от выходного напряжения. Измерения в режиме насыщения проводите на самом чувствительном пределе прибора «Напряжение коллектора» (1,6 В).

Выходную характеристику БТ измерьте при следующих постоянных значениях входного тока:

- для схемы с ОБ I_э = 0; 0,3; 1,0; 6,0; 9,0 мА;

- для схемы с ОЭ I_б = 0; 0,05; 0,1; 0,15 мА.

4.4.4 Используя результаты полученных измерений, постройте семейства входных и выходных характеристик БТ, покажите на них области, соответствующие режиму отсечки, режиму насыщения и активному режиму. Оси координат должны быть обозначены в соответствии со схемой включения транзистора, т. е. в качестве входных и выходных величин указаны конкретные напряжения и токи (например, U_кб, I_э и т. д.).

4.4.5 По статическим ВАХ БТ определите (рассчитайте) его статические параметры /3, раздел 4.6; 4/:

а)для схемы с ОБ: б)для схемы с ОЭ:

- h_21Б и h_21Э при U_кб = 5 В и I_э = 1 мА; - h_21Э при U_кэ = 5 В и I_э = 1 мА;

- I_кбо при U_кб = 5 В; - I_кэо при U_кэ = 5 В;

- U_{кэ нас} при I_б = 0,1 мА и I_к = 1 мА.

В случае схемы с ОБ при расчете h_21Э используйте соотношение, связывающее h_21Б и h_21Э /3, формула 4.48/.

Используя построенные статические ВАХ БТ, рассчитайте его дифференциальные (малосигнальные) параметры /2, раздел 4.4; 3, раздел 4.10; 4/:

а)для схемы с ОБ: б)для схемы с ОЭ:

h_11б; h_12б; h_22б; h_21б h_11э; h_12э; h_22э; h_21э

при I_э = 1 мА; U_кб = 5 В; при I_б = 0,1 мА; U_кэ = 5 В.

При расчете дифференциальных параметров БТ методом графического дифференцирования величины приращений токов и напряжений на электродах БТ необходимо выбрать такими, чтобы в пределах этих приращений участок статической ВАХ БТ оставался линейным.

Отчет о выполненной работе должен содержать информацию об исследуемом транзисторе (пункты 4.4.1, 4.4.2), результаты измерений (в виде таблиц), расчеты, графики ВАХ. обязательно наличие поясняющих записей.

Для успешной защиты выполненной работы вы должны знать основные статические и дифференциальные параметры БТ, уметь пояснить ход его статических ВАХ, эффект усиления с его помощью, уметь изобразить условное обозначение БТ, сравнить с другими типами усилительных приборов.

Литература

1 Аксенов А. И. Отечественные полупроводниковые приборы. Транзисторы биполярные. Диоды. Варикапы. Стабилитроны и стабисторы. Тиристоры. Оптоэлектронные приборы. Аналоги отечественных и зарубежных приборов: Справ. изд. – 6-е изд., доп. и испр. – М.: Солон-Пресс, 2008.–589 с.: ил.

2 Шишкин Г. Г. Электроника: Учеб. для вузов / Г. Г. Шишкин, А. Г. Шишкин. – М.: Дрофа, 2009. – 703 с.: ил.

3 Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учеб. пособие. – 8-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2006. – 480 с.: ил.

4 ГОСТ 20003-74. Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

5 ГОСТ 2.730-73. Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые.