Индексы МиллераПусть плоскость отсекает на осях координат отрезки ОА, ОВ и ОС (в единицах периода решетки). Рассчитаем обратные им величины H = 1/ОА, K = 1/ОВ, L = 1/ОС и определим наименьшие целые числа с таким же соотношением, как H: K: L = h: k: l. Целочисленные (hkl) называются индексами Миллера плоскости. В кубических кристаллах индексы (100) относятся к плоскости, параллельной осям У и Z; индексы (010) — к плоскости, параллельной осям X и Z, а (001) — к плоскости, параллельной осям X и Y. В кристаллах с ортогональными осями эти плоскости вместе с тем перпендикулярны соответственно осям X, Y и Z. Для обозначения направлений в кристалле применяют индексы в виде наименьших целых чисел, относящихся между собой как компоненты вектора, параллельного данному направлению. В отличие от обозначения плоскостей их пишут в квадратных скобках. В кубических кристаллах эти направления перпендикулярны плоскости с теми же индексами. Положительное направление оси X обозначают [100], положительное направление оси Y — [010], отрицательное направление оси Z — [001], диагональ куба — [111] и т.д. Обозначения кристаллографических плоскостей и направлений приведены на рисунке. Плоскости, отсекающие равные отрезки, но расположенные в других октантах, эквивалентны в кристаллографическом и физико-химическом отношениях. Они образуют совокупность эквивалентных плоскостей – {hkl} или систему плоскостей, у которых h, k, l могут быть записаны в любом порядке и с любым числом минусов перед индексами. Минус записывается над индексом. Положение направления в пространственной решетке может быть легко определено координатами атома, ближайшего к началу координат и лежащего на данном направлении. Координаты этого узла [[hkl]] и будут индексами Миллера этого направления [hkl]. Совокупность эквивалентных направлений или система направлений обозначается <hkl>, где h, k, l могут быть записаны в любом порядке и с любым числом минусов: <100> ‑ совокупность направлений, параллельных всем ребрам куба; {100} ‑ совокупность плоскостей, параллельных всем граням куба.
Примеры обозначения кристаллографических плоскостей и направлений в кубических кристаллах с помощью индексов Миллера
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Щука А.А. Электроника: учеб. пособие / А.А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2006. 2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. М.: Радио и связь, 1991. 3. Парфенов О.Д. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986. 4. Лозовский В.Н. Нанотехнология в электронике. Введение в специальность / В.Н. Лозовский, Г.С. Константинова, С.В. Лозовский. СПб.: Лань, 2008. 5. Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. СПб.: Лань, 2003 6. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.1. Общая технология / И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов, Ю.С. Чернозубов, А.С. Пономарев. М.: Высш.. шк., 1989. 7. Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю.А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005.
ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ 3 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 4 1.1. Исторический обзор 4 1.2. Полупроводниковые ИМС 9 1.3. Основные принципы интегральной технологии 13 1.4. Гибридные и совмещенные интегральные схемы 17 1.5. Степень интеграции 20 2. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ 22 2.1. Собственные и примесные полупроводники 22 2.2. Контакт электронного и дырочного полупроводников (p-n переход) 29 3. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС. ТИПЫ СТРУКТУР ИМС 32 3.1. Основные этапы технологии ИМС 32 3.2. Выбор полупроводникового материала 32 3.3. Получение полупроводникового материала 33 3.4. Получение полупроводниковых пластин 36 3.5. Получение эпитаксиальных структур 38 3.6. Методы формирования элементов ИМС 39 3.7. Общая характеристика технологического процесса производства ИМС 41 3.8. Типы структур ИМС 43 3.9. Требования к кремниевым пластинам 56 3.10. Схема технологического процесса 57 3.11. Микроклимат и производственная гигиена 60 4. ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ 64 4.1. Термическая диффузия примесей 64 4.2. Ионное легирование 69 4.3. Эпитаксия 74 4.4. Термическое окисление. Свойства пленки двуокиси кремния 77 4.5. Травление 79 4.6. Нанесение тонких пленок 84 4.7. Проводники соединений и контакты в полупроводниковых ИМС 91 4.8. Литография 95 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 100 ПРИЛОЖЕНИЕ 102 БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 104
Учебное издание
Новокрещенова Елена Павловна
ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ
В авторской редакции
Подписано к изданию 12.11.2012
Объем данных 3,03 Мб
ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет» 394026 Воронеж, Московский просп., 14
|
