Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Индексы Миллера





Пусть плоскость отсекает на осях координат отрезки ОА, ОВ и ОС (в единицах периода решетки). Рассчитаем обратные им величины H = 1/ОА, K = 1/ОВ, L = 1/ОС и определим наи­меньшие целые числа с таким же соотношением, как H: K: L = h: k: l. Целочисленные (hkl) называются индексами Мил­лера плоскости.

В кубических кристаллах индексы (100) относятся к плоскости, параллельной осям У и Z; индексы (010) — к плоскости, параллельной осям X и Z, а (001) — к плоскости, параллельной осям X и Y. В кристаллах с ортогональными осями эти плоскости вместе с тем перпендикулярны соответственно осям X, Y и Z.

Для обозначения направлений в кристалле применяют индексы в виде наименьших целых чисел, относящихся между собой как компо­ненты вектора, параллельного данному направлению. В отличие от обозначения плоскостей их пишут в квадратных скобках. В кубических кристаллах эти направления перпендикулярны плоскости с теми же индексами. Положительное направление оси X обозначают [100], положительное направление оси Y — [010], отрица­тельное направление оси Z — [001], диагональ куба — [111] и т.д. Обозначения кристаллографических плоскостей и направлений приведены на рисунке.

Плоскости, отсекающие равные отрезки, но расположенные в других октантах, эквивалентны в кристаллографическом и физико-химическом отношениях. Они образуют совокупность эквивалентных плоскостей – {hkl} или систему плоскостей, у которых h, k, l могут быть записаны в любом порядке и с любым числом минусов перед индексами. Минус записывается над индексом.

Положение направления в пространственной решетке может быть легко определено координатами атома, ближайшего к началу координат и лежащего на данном направлении. Координаты этого узла [[hkl]] и будут индексами Миллера этого направления [hkl].

Совокупность эквивалентных направлений или система направлений обозначается <hkl>, где h, k, l могут быть записаны в любом порядке и с любым числом минусов: <100> ‑ совокупность направлений, параллельных всем ребрам куба; {100} ‑ совокупность плоскостей, параллельных всем граням куба.

 

 

Примеры обозначения кристаллографических

плоскостей и направлений в кубических кристаллах

с помощью индексов Миллера

 

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Щука А.А. Электроника: учеб. пособие / А.А. Щука. СПб.: БХВ-Петербург, 2006.

2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. М.: Радио и связь, 1991.

3. Парфенов О.Д. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986.

4. Лозовский В.Н. Нанотехнология в электронике. Введение в специальность / В.Н. Лозовский, Г.С. Константинова, С.В. Лозовский. СПб.: Лань, 2008.

5. Пасынков В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. СПб.: Лань, 2003

6. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.1. Общая технология / И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов, Ю.С. Чернозубов, А.С. Пономарев. М.: Высш.. шк., 1989.

7. Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю.А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005.

 


ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 3

1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 4

1.1. Исторический обзор 4

1.2. Полупроводниковые ИМС 9

1.3. Основные принципы интегральной технологии 13

1.4. Гибридные и совмещенные интегральные схемы 17

1.5. Степень интеграции 20

2. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ 22

2.1. Собственные и примесные полупроводники 22

2.2. Контакт электронного и дырочного

полупроводников (p-n переход) 29

3. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ИМС. ТИПЫ СТРУКТУР ИМС 32

3.1. Основные этапы технологии ИМС 32

3.2. Выбор полупроводникового материала 32

3.3. Получение полупроводникового материала 33

3.4. Получение полупроводниковых пластин 36

3.5. Получение эпитаксиальных структур 38

3.6. Методы формирования элементов ИМС 39

3.7. Общая характеристика технологического

процесса производства ИМС 41

3.8. Типы структур ИМС 43

3.9. Требования к кремниевым пластинам 56

3.10. Схема технологического процесса 57

3.11. Микроклимат и производственная гигиена 60

4. ОСНОВНЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОПЕРАЦИИ

ПЛАНАРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ 64

4.1. Термическая диффузия примесей 64

4.2. Ионное легирование 69

4.3. Эпитаксия 74

4.4. Термическое окисление. Свойства пленки

двуокиси кремния 77

4.5. Травление 79

4.6. Нанесение тонких пленок 84

4.7. Проводники соединений и контакты

в полупроводниковых ИМС 91

4.8. Литография 95

ЗАКЛЮЧЕНИЕ 100

ПРИЛОЖЕНИЕ 102

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 104

 

Учебное издание

 

Новокрещенова Елена Павловна

 

ВВЕДЕНИЕ

В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

 

 

В авторской редакции

 

Подписано к изданию 12.11.2012

 

Объем данных 3,03 Мб

 

ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет»

394026 Воронеж, Московский просп., 14

 

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 1607. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...


Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...


Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...


Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Ученые, внесшие большой вклад в развитие науки биологии Краткая история развития биологии. Чарльз Дарвин (1809 -1882)- основной труд « О происхождении видов путем естественного отбора или Сохранение благоприятствующих пород в борьбе за жизнь»...

Этапы трансляции и их характеристика Трансляция (от лат. translatio — перевод) — процесс синтеза белка из аминокислот на матрице информационной (матричной) РНК (иРНК...

Условия, необходимые для появления жизни История жизни и история Земли неотделимы друг от друга, так как именно в процессах развития нашей планеты как космического тела закладывались определенные физические и химические условия, необходимые для появления и развития жизни...

Различие эмпиризма и рационализма Родоначальником эмпиризма стал английский философ Ф. Бэкон. Основной тезис эмпиризма гласит: в разуме нет ничего такого...

Индекс гингивита (PMA) (Schour, Massler, 1948) Для оценки тяжести гингивита (а в последующем и ре­гистрации динамики процесса) используют папиллярно-маргинально-альвеолярный индекс (РМА)...

Методика исследования периферических лимфатических узлов. Исследование периферических лимфатических узлов производится с помощью осмотра и пальпации...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.013 сек.) русская версия | украинская версия