Проводниковые материалы
Плотность тока в проводнике с одним типом носителей заряда где γ - удельная электрическая проводимость, См*м-1; E = U/l - напряженность электрического поля в проводнике длиной l, м, при разности потенциалов между его концами U, В. Удельная электрическая проводимость металла где n - концентрация свободных электронов, м-3; е = 1, 6*10-19 Кл – заряд электрона; μ = v/Е - подвижность электронов, м2 /(В*с); v - скорость, приобретаемая электронами в электрическом поле, м/с. Удельное электрическое сопротивление - это величина, обратная удельной электрической проводимости В соответствии с классической электронной теорией металлов выражение для удельного электрического сопротивления имеет вид где m0 = 0, 91*10-30 кг - масса электрона; 1ср - средняя длина свободного пробега электронов, м; vT - средняя скорость теплового движения электронов, м/с, которая определяется из соотношения где k = 1, 38*10-23 Дж/К - постоянная Больцмана, Т - температура, К. Если атомы в металле ионизированы однократно, то концентрация свободных электронов n будет равна концентрации атомов N и может быть рассчитана по формуле где d - плотность вещества, кг/м3; М - молярная масса, кг/моль; NA = 6, 02*1023 1/моль - постоянная Авогадро. В соответствии с квантовой теорией удельное электрическое сопротивление металлов где h = 6, 63*10-34 Дж*с - постоянная Планка. Средняя скорость дрейфа за время свободного пробега где τ 0 – время свободного пробега. Среднюю скорость можно также найти по формулам В промежутках между столкновениями с узлами кристаллической решетки электрон при воздействии электрического поля движется с ускорением а = e*E/m0. Удельная проводимость проводника может быть определена как g = (e2 * n * l)/(m0 * u), где u – средняя скорость теплового движения (температуре 300 К соответствует средняя скорость порядка 105 м/с). Время дрейфа электрона по проводнику t = l/v. Время пролета при движении электрона без соударений tпр = Влияние примесей и структурных дефектов на удельное сопротивление. Примеси и структурные дефекты увеличивают удельное сопротивление металлов. В соответствии с правилом Маттиссена ρ = ρ т + ρ ост, Ом*м, где ρ т - удельное электрическое сопротивление, обусловленное рассеянием электронов на тепловых колебаниях узлов кристаллической решетки; ρ ост = ρ пр + ρ деф - остаточное удельное сопротивление, обусловленное рассеянием электронов на статических дефектах структуры: примесных атомах (ρ пр) и собственных дефектах структуры (ρ деф). Наиболее существенный вклад в остаточное сопротивление вносит рассеяние на примесях. При малом содержании примесей удельное сопротивление возрастает пропорционально концентрации примесных атомов. Кроме примесей, некоторый вклад в остаточное сопротивление вносят собственные дефекты структуры - вакансии, атомы внедрения, дислокации, границы зерен. Остаточное сопротивление представляет собой характеристику химической чистоты и структурного совершенства металла. Для оценки содержания примесей измеряют отношение удельного сопротивления металла при комнатной температуре и температуре жидкого гелия: β = ρ 300/ρ 4, 2. Удельное сопротивление металлических сплавов, имеющих структуру неупорядоченного твердого раствора, ρ ост может существенно превышать ρ т. Для многих двухкомпонентных сплавов металлов, не принадлежащих к числу переходных или редкоземельных элементов, зависимость ρ ост от состава описывается законом Нордгейма ρ ост = CXAXB = CXА(1 - XB), Ом*м, где C - константа, зависящая от природы сплава; XA, XB - атомные доли компонентов в сплаве. Влияние температуры на сопротивление и длину проводника. В диапазоне температур, где зависимость ρ от Т близка к линейной, справедливо выражение ρ = ρ 0[1 + α ρ (T – T0)], Ом*м, где ρ 0 - удельное сопротивление в начале температурного диапазона;
ρ - удельное сопротивление при температуре Т. Температурные коэффициенты удельного сопротивления ar, сопротивления aR и удлинения al связаны соотношением ar = aR + al. Температурный коэффициент сопротивления aR = (R2 – R1)/[R1 * (T2 – T1)]. Зависимость длины проводника от температуры l = l0 * [1 + al * (T – T0)], где l0 – начальная длина проводника при температуре Т0; l – длина при температуре Т; α l – температурный коэффициент линейного удлинения. Теплопроводность металлов. В металлах благодаря высокой концентрации свободных электронов преобладает электронная теплопроводность. Экспериментальный закон Видемана – Франца - Лоренца устанавливает связь между удельной теплопроводностью λ, Вт*м/К, и удельной электрической проводимостью γ, См/м: l/g = L0T, где L0 – число Лоренца. Количество теплоты Q, выделяющееся в единицу времени в единице объема проводника, по которому протекает ток плотностью J, при напряженности электрического поля E, выражается формулой Q = J*E = γ *E2, Вт/м-3. Внутренняя контактная разность потенциалов при соприкосновении металлов А и В eUk = WFB - WFA, причем уровни Ферми отсчитываются от дна зоны проводимости. Связь между концентрацией электронов и энергией Ферми n = (8p/3) * (2m0/h2)3/2 * (WF)3/2 Разность потенциалов на концах последовательной разнородной цепи E = (Ан – Ак)/(e*l), где Ан, Ак – работа выхода электронов из начального и конечного проводников; l – расстояние между ними. Примечание: если работа выхода выражена в эВ, величина е в знаменателе отсутствует. Термоэлектродвижущая сила (термоЭДС). В однородном проводнике при наличии градиента температуры на его концах возникает разность потенциалов. Ее значение, отнесенное к единичной разности температур на концах проводника, называют абсолютной удельной термоЭДС. В термоэлектрической цепи, составленной из разнородных проводников (термопаре), относительная удельная термоЭДС представляет собой разность абсолютных удельных термоЭДС составляющих проводников где α ТА и α ТВ - абсолютные удельные термоЭДС контактирующих металлов А и В. Сопротивление проводников на высоких частотах. На высоких частотах наблюдается неравномерное распределение электрического тока по сечению проводника: плотность тока максимальна на поверхности и убывает по мере проникновения вглубь проводника. Распределение тока по сечению проводника описывается уравнением где J0 - плотность тока на поверхности; z - координата по нормали к поверхности в глубь проводника, м; Δ - глубина проникновения поля в проводник, м. Плотность тока изменяется по тому же закону, что и напряженность электрического поля E, так как J = γ E. Связь глубины проникновения поля с физическими характеристиками вещества определяется выражением где μ 0 = 4π *10-7 Гн/м - магнитная постоянная; μ - относительная магнитная проницаемость вещества; f - частота, Гц. Так как центральная часть сечения проводника почти не используется, активное сопротивление провода R~ при прохождении по нему переменного тока больше, чем его активное сопротивление R0 при постоянном токе. Коэффициент увеличения сопротивления kR рассчитывается по формуле
где S0 - площадь поперечного сечения проводника, м2; Se - эквивалентная площадь сечения проводника, занятая током при воздействии высокочастотного поля (для круглого проводника Se = π dΔ, для плоского - Se = bΔ, где d - диаметр круглого проводника, м; b - ширина плоского проводника, м).
|