Порядок виконання роботи. 1. Установити границі вимірювальних приладів на 20 мА для міліамперметра і 1,5 В — для вольтметра
1. Установити границі вимірювальних приладів на 20 мА для міліамперметра і 1, 5 В — для вольтметра. Перемикачі П1, П2, П3 поставити в положення " Пр". 2. Змінюючи напругу через кожні 0, 01 В записати в таблицю відповідні їм значення прямого струму. При деякій характерній для кожного типу діода напрузі (0, 06¸ 0, 07 В) спостерігається стрибкоподібна зміна напруги до величини 0, 6¸ 0, 7 В. При цьому дещо зменшиться величина прямого струму. Збільшуючи величину напруги до 1, 0 В легко одержати точки для побудови ділянки АВ характеристики (рис. 8.5.7) 3. Шляхом зменшення напруги в зворотному напрямку від точки В (рис. 8.5.7) можна досягти точки С. Після цієї точки напруга знову стрибкоподібно зменшиться з переходом до точки Д. Всі виміри занести до таблиці.
4. Виконані вимірювання дозволяють побудувати ділянки ОМ і СВ вольт-амперної характеристики. З'єднавши точки М і С пунктирною лінією, схематично добудуємо ділянку характеристики з від'ємним диференціальним опором. Рис. 8.5.7
5. Змінивши полярність зовнішньої напруги перемикачем П1 а також полярність вольтметра і міліамперметра, переключивши при цьому перемикачі П2 і П3 в положення «Зв», виміряти значення зворотного струму через кожні 0, 01 В. Результати вимірювань занести до таблиці. 6. Побудувати за даними вимірювань вольт-амперну характеристику тунельного діода згідно з рис. 8.5.7. 7. Зробити висновки про точність вимірювань. Контрольні запитання 1. Власна провідність напівпровідників відносно зонної теорії. 2. Домішкова провідність напівпровідників. 3. Як працює р - n – перехід в тунельному діоді при створенні зовнішньої різниці потенціалів для: а) випадку прямого включення; б) випадку зворотного включення. 4. Розподіл електронів за енергіями Фермі-Дірака і його характеристика. Енергія Фермі. 5. Тунельний ефект і його використання. Лабораторна робота № 8.6 Мета роботи: вивчити власну і домішкову провідність напівпровідників; контакт електронного і діркового напівпровідників. Прилади і матеріали: змонтована установка з необхідними електровимірювальними приладами і транзистором.
|