Порядок виконання роботи. 1. Ознайомитись з лабораторною установкою і приладами, якими вона обладнана

1. Ознайомитись з лабораторною установкою і приладами, якими вона обладнана. Привести установку в робочий стан (рис. 8.6.9).

Виділені пунктиром частини лабораторної схеми вмонтовані в корпусі джерела живлення ВИП-010.

Рис. 8.6.7 Рис. 8.6.8

Рис. 8.6.9

2. Зняти вхідну характеристику транзистора I=f(U_d) при U_K=const. Подавати напругу на колектор (між колектором і емітером) можна лише після наявності напруги на базі (між базою і емітером).

Для одержання вхідних характеристик транзистора необхідно установити постійну напругу на колекторі U_K; за допомогою потенціометра R₁ змінювати напругу на базі U_d і записати відповідні значення сили струму бази. Вимірювання виконати для двох різних значень напруги на колекторі. Всі виміряні величини занести до таблиці.

	Ud, B
UK= B	IK, mA
UK= B	IK, mA

 

3. Зняти сім'ю вихідних характеристик транзистора І_K=f(U_K) при I_d=const.

Подавати напругу на колектор можна лише при наявності напруги на базі.

Установити постійний струм I_d. Потенціометром R₂ змінювати напругу на колекторі U_K і записати відповідні значення струму в колі колектора І_K. Вимірювання провести для двох значень струму бази. Всі виміряні величини занести до таблиці.

	Uк, B
Id= mA	IK, mA
Id= mA	IK, mA

 

4. За даними таблиць на міліметровому папері побудувати вхідні і вихідні характеристики транзистора. Зробити необхідні висновки.

Контрольні запитання

1. Власна і домішкова провідності відносно зонної теорії.

2. Контакт електронного і діркового напівпровідників. Як працює
р-n-перехід?

3. Як працює транзистор n - р - n типу в активному режимі?

4. Принцип роботи транзистора при різних схемах включення.