Теплофизические свойства материалов
2. Определяем эквивалентный радиус корпуса микросхем:
где S 0ИС – площадь основания микросхемы.
3. Рассчитываем коэффициент распространения теплового потока
где a1 и a2 – коэффициенты теплообмена с 1-й и 2-й сторон ПП; для естественного теплообмена a1+a2=17 Вт/(м2× К); δ п – толщина ПП модуля. 4. Определяем искомый перегрев поверхности корпуса микросхемы:
где В и М – условные величины, введенные для упрощения формы записи: при одностороннем расположении корпусов микросхем на ПП В=8, 5pR2 Вт/К, М=2, при двустороннем расположении корпусов В=0, М=1; k – эмпирический коэффициент: для корпусов микросхем, центр которых отстоит от торцов ПП на расстояние менее 3R, k=i, i4; для корпусов микросхем, центр которых отстоит от торцов ПП на расстояние более 3R, k=1; k a – коэффициент теплоотдачи от корпусов микросхем, определяется по графику (см. рис. 19); K t и К 0 – модифицированные функции Бесселя; N – число i-тых корпусов микросхем, расположенных вокруг корпуса рассчитываемой микросхемы на расстоянии не более 10/m, т.е. ri£ 10/m; Dtв – среднеобъемный перегрев воздуха в блоке,
5. Определяем температуру поверхности корпуса микросхемы
Дискретный ЭРЭ можно считать аналогично микросхеме локальным источником теплоты на пластине, и методика определения температуры поверхности его корпуса будет аналогична. Необходимо лишь ввести соответствующие значения геометрических параметров в (21)—(24).
Дать номер, ссылку и подрисуночную подпись
|
, (21)
, (22)
, (23)
; QИСi – мощность, рассеиваемая i-той микросхемой; S ИСi – суммарная площадь поверхности i-той микросхемы; dзi – зазор между микросхемой и ПП; lзi – коэффициент теплопроводности материала, заполняющего этот зазор.
. (24)
