ДОДАТОК Г. Таблиця Г.1 – Корпуси мікросхем для поверхневого монтажу
КОРПУСИ МІКРОСХЕМ ДЛЯ ПОВЕРХНЕВОГО МОНТАЖУ
Таблиця Г.1 – Корпуси мікросхем для поверхневого монтажу
| Тип корпусу
| Короткий опис
| Крок виводів, мм
| Зовнішній вигляд корпусу
| - Корпуси для мікросхем низького, середнього і високого ступенів інтеграції
1.1 З виводами уздовж двох бокових сторін корпусу
1.1.1 Із стандартним кроком розташування виводів
| | SO,
SOP,
SOL,
SOIC
| Виводи у вигляді крила чайки або букви “L”
| 1, 27
| 
| | SOJ
| Виводи у вигляді букви “J”
| 1, 27
| 
| | TSOP,
Варіант ІІ
| Корпус із зменшеною висотою над платою (не більше 1, 27 мм), виводи розташовані уздовж довгих сторін корпусу
| 1, 27
| 
| | 1.1.2 Із зменшеним кроком розташування виводів
| | TSOP,
Варіант І
| Корпус із зменшеною висотою над платою (не більше 1, 27 мм), виводи розташовані уздовж коротких сторін корпусу
| 0, 5
|
| | SSOP, SSOL
| Корпус SOP із зменшеним кроком розташування виводів
| 1, 00; 0, 80; 0, 65; 0, 50
| | NSSOP
| Корпус SSOP із зменшеною висотою над платою (не більше 1, 27 мм). Стандартизований EIAJ, JEDEC
| 0, 65; 0, 50
| | TVSOP
| Мініатюрний корпус SOP
| 0, 40
| | mSOIC
| Мініатюрний корпус SOIC
| 0, 65
| | 1.2 З виводами уздовж чотирьох сторін корпусу
1.2.1 Із стандартними розмірами корпусу
| | PLCC
| Кристалоносій з виводами у формі букви “J”. Стандартизований EIAJ, JEDEC
| 1, 27
0, 635
| 
| | QPF
| Виводи у формі крила чайки уздовж чотирьох сторін корпусу
| 1, 00; 0, 80; 0, 65
| | 1.2.2 Із зменшеними розмірами корпусу
| | LQFP, TQFP
| Корпус QFP із зменшеною висотою над платою (не більше 1, 27 мм)
| 0, 80; 0, 65
|
| | Продовження таблиці Г.1
|
| | Тип корпусу
| Короткий опис
| Крок виводів, мм
| Зовнішній вигляд корпусу
| | MQFP
| Корпус QFP з метричним кроком виводів і зменшеною висотою над платою
| 0, 50
|
| | FQFP
| Корпус QFP з малим кроком розташування виводів. Стандартизований EIAJ
| 0, 40
|
| | 1.3 З матрицею виводів на нижній поверхні корпусу
| | BGA
| Мікросхема або багато кристальний модуль на подвійній печатній мікроплаті, забезпечений масивом кулькових виводів
| 1, 27; 1, 00
| 
| | CSP
| Корпус з розмірами, що трохи перевищують розміри кристала. Забезпечений масивом кулькових виводів
| 1, 00; 0, 50
| 
| - Корпуси для транзисторів і мікросхем низького ступеня інтеграції
2.1 З низькою розсіюваною потужністю
| | SOT-23
| Для діодів, транзисторів, мікросхем з малою кількістю виводів. SOT-23 випускається також у варіанті виконання з п’ятьма (SOT-5, SOT-23-5) або шістьма (SOT-6, SOT-23-6) виводами
| 0, 95
| 
| | SOT-143
| 1, 90
| 
| | SOT-323
| 0, 65
| 
| | SOT-363
| 0, 65
| 
| | 2.2 З середньою розсіюваною потужністю
| | SOT-223
| Для транзисторів, мікросхем з малою кількістю виводів (DC/ DC перетворювачів, стабілізаторів напруги)
| 1, 90
| 
| | DPAC
| 4, 80
| 
| | 2.3 З високою розсіюваною потужністю
| | D2PAC
| Для транзисторів і мікросхем з підвищеною розсіюваною потужністю, високою напругою живлення. Як правило, це прилади з імпульсними струмами до 100 А
| 2, 54 / 5, 08
| 
| | D3PAC
| 10, 9
| 
|
Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...
|
Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...
|
Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...
|
Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...
|
Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...
Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...
Йодометрия. Характеристика метода Метод йодометрии основан на ОВ-реакциях, связанных с превращением I2 в ионы I- и обратно...
|
ЛЕЧЕБНО-ПРОФИЛАКТИЧЕСКОЙ ПОМОЩИ НАСЕЛЕНИЮ В УСЛОВИЯХ ОМС 001. Основными путями развития поликлинической помощи взрослому населению в новых экономических условиях являются все...
МЕТОДИКА ИЗУЧЕНИЯ МОРФЕМНОГО СОСТАВА СЛОВА В НАЧАЛЬНЫХ КЛАССАХ В практике речевого общения широко известен следующий факт: как взрослые...
СИНТАКСИЧЕСКАЯ РАБОТА В СИСТЕМЕ РАЗВИТИЯ РЕЧИ УЧАЩИХСЯ В языке различаются уровни — уровень слова (лексический), уровень словосочетания и предложения (синтаксический) и уровень
Словосочетание в этом смысле может рассматриваться как переходное звено от лексического уровня к синтаксическому...
|
|
