Эффект Холла
Гальваномагнитным эффектом Холла в полупроводниках называется явление, возникновения ЭДС на боковых гранях полупроводниковой пластины при одновременном действии электрического и магнитных полей.
Рис.3.12. Пластина полупроводника n - типа в электрическом и магнитном поле.
На рис.3.12 изображена пластинка полупроводника n – типа. На движущийся в полупроводнике под действием электрического поля электрон в магнитном поле действует сила Лоренца, которая отклоняет его в направлении, перпендикулярном направлению магнитного поля. В результате электроны накапливаются на правой боковой грани. На противоположной грани создаётся положительный заряд, обусловленный ионами донорной примеси. Накопление зарядов происходит до тех пор, пока электрическое поле этих зарядов не уравновесит силу Лоренца.
где R Х ― коэффициент Холла; в ― толщина пластины; В ― магнитная индукция в образце; Е Х ― напряжённость возникшего электрического поля; I ― ток. Знак минус означает, что носителями заряда в данном полупроводнике n – типа являются электроны. Эффект Холла используется для: – определения характеристик полупроводниковых материалов; – создания датчиков Холла; – как принцип действия приборов нашедших техническое применение.
|
,
