Методика проведения опыта. Рис. 7.2.26. Схема исследования усилителя на биполярных транзисторах

1. Собрать схему по рис. 7.2.26.

 

 

Рис. 7.2.26. Схема исследования усилителя на биполярных транзисторах

 

При исследовании схемы усилителя используется осциллограф. Лабораторная установка позволяет изучить амплитудную характеристику усилителя. В этом случае в качестве исследуемого транзистора используется транзистор КТ315Г проводимостью n-p-n с параметрами: I_{K max} =100 мА; Р_{К max} = 150 мВт; U_K.Э. = 35 В; U_{KБ max} = 35 В; U_{ЭБ max} = 6 B; f = 100 МГц.

 

 

Рис. 7.2.27. Амплитудная характеристика усилителя

 

 

На вход усилителя подается входное напряжения через S22.

По результатам измерений определяют допустимую область измерения входного напряжения, используя амплитудную характеристику усилителя U_{ВЫХ max} = f (U_{ВХ max}) (рис. 7.2.27). Эта характеристика не проходит через начало координат. Это объясняется наличием собственных шумов усилителя, создаваемыми внешними электрическими и магнитными полями.

2. Рассчитать параметры

Зависимость тока коллектора транзистора I_K от тока эмиттера I_Э выражается коэффициентом a.

,

так как ,

то .

Коэффициент усиления по току :

,

или ,

следовательно, ,

где K_U – коэффициент усиления по напряжению:

.

На вход подается сигнал , он вызывает выходной сигнал U_ВЫХ той же частоты w, амплитуда которой определяется по осциллограмме (временной диаграмме) экспериментально.

Таблица 7.2.5

 

Измерено	Вычислено
R1, Ом	R23, Ом	Uвх, В	Uвых, В	Твх, с	Твых, с	wвх, с-1	wвых, с-1