ВВЕДЕНИЕ. . . 1.3.2 Прямое включение p-n перехода..
Учебное пособие
Редактор доц. Удальцов А.Н. Корректор Шкитина Д.С.
Лицензия №020475, январь 1998 г. Подписано в печать Формат бумаги 62 х 84 1/16 Бумага писчая №1. Уч. изд. л. Тираж экз. Заказ № СибГУТИ, 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 86.
[нет1] [нет2] ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие для специальностей 071 700, 200 700, 200 800, 200 900, 201 000, 201 100, 201 200, 201 400
Новосибирск
УДК 621.385
Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов.
ктн, доц. В.Л. Савиных,
Для студентов дневной и заочной форм обучения специальностей 071700, 200700, 200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201400.
Кафедра технической электроники. Ил. 8, табл. 11, список лит. 4 назв. Рецензент ктн, доц. Матвеев В.А.
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве учебного пособия
@ Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2003 г.
Содержание Введение……………………………………………………… 1 Основы теории электропроводности полупроводников....... 1.1 Общие сведения о полупроводниках.................................... 1.1.1 Полупроводники с собственной проводимостью.............. 1.1.2 Полупроводники с электронной проводимостью............. 1.1.3 Полупроводники с дырочной проводимостью.................. 1.2 Токи в полупроводниках.................................................... 1.2.1 Дрейфовый ток................................................................... 1.2.2 Диффузионный ток........................................................... 1.3 Контактные явления........................................................... 1.3.1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия 1.3.2 Прямое включение p-n перехода...................................... 1.3.3 Обратное включение p-n перехода................................. 1.3.4 Теоретическая характеристика p-n перехода........................... 1.3.5 Реальная характеристика p-n перехода............................ 1.3.6 Ёмкости p-n перехода...................................................... 1.4 Разновидности p-n переходов.......................................... 1.4.1 Гетеропереходы........................................................... 1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа проводимости 1.4.3 Контакт металла с полупроводником.......................................... 1.4.4 Омические контакты................................................................... 1.4.5 Явления на поверхности полупроводника.............................. 2 Полупроводниковые диоды..................................................... 2.1 Классификация....................................................................... 2.2 Выпрямительные диоды....................................................... 2.3 Стабилитроны и стабисторы................................................. 2.4 Универсальные и импульсные диоды................................... 2.5 Варикапы.............................................................................. 3 Биполярные транзисторы........................................................... 3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы..... 3.1.1 Общие сведения.............................................................................. 3.1.2 Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе 3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов......... 3.2.1 Схема с общей базой............................................................... 3.2.2 Схема с общим эмиттером........................................................ 3.2.3 Влияние температуры на статические характеристики БТ..... 3.3 Дифференциальные параметры биполярного транзистора.................. 3.4 Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора...... 3.5 Частотные свойства биполярного транзистора................................... 3.6 Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов. 3.7 Работа транзистора в усилительном режиме...................................... 3.8 Особенности работы транзистора в импульсном режиме.................. 3.8.1 Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды.............................................................................................. 3.8.2 Работа транзистора в режиме переключения................................. 3.8.3 Переходные процессы при переключении транзистора.............. 4 Полевые транзисторы.............................................................. 4.1 Полевой транзистор с p-n переходом........................................ 4.2 Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор).…………………………………………………………… Литература.............................................................................................. ВВЕДЕНИЕ
Главы учебного пособия посвящены физическим основам полупровод-ников, контактным явлениям между полупроводниками различной прово-димости и между полупроводником и металлом. Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры. Для освоения дисциплины ² Физические основы электроники² достаточно знаний по общеобразовательным и общетехническим предметам в объёме, предусмотренном учебными программами. После изучения данной дисциплины студент должен получить базовую подготовку, необходимую для успешного освоения специальных радиотехнических курсов и последующего решения различного рода профессиональных задач, связанных с рациональным выбором электронных приборов и режимов их работы в радиоэлектронной аппаратуре. Подробное рассмотрение физических основ явлений, принципов работы, параметров, характеристик и моделей приборов направлено на развитие у студентов умение самостоятельно решать задачи моделирования, анализа и синтеза радиоэлектронных устройств при их проектировании и эксплуатации. Однако в учебном пособии отсутствуют сведения о большой и постоянно обновляемой номенклатуре электронных приборов. Необходимый материал по этим вопросам можно найти в справочниках, каталогах и других изданиях.
|
