Обратная корона с порошкового слоя

Для диэлектрических и полупроводящих частиц по мере роста толщины слоя напряженность электрического поля в слое растет и может превысить внешнюю напряженность электрического поля несмотря на то, что

В этом случае в газовых включениях внутри слоя начинаются ионизаци­онные процессы, которые приведут к пробою всего слоя. В результате пробоя образуется кратер, порошок и ионы из которого выбрасываются в межэлек­тродный промежуток. Помимо этого, после пробоя слоя вокруг кратера начи­нается также разряд по поверхности, который снимает поверхностный заряд. Все ионизационные процессы приводят к эмиссии ионов противоположного знака в межэлектродный промежуток. Вся совокупность этих процессов полу­чила название обратного коронного разряда.

После возникновения обратной короны заряд на слое перестает расти. Внешний ток коронного разряда компенсируется тремя механизмами:

1) происходит нейтрализация зарядов с поверхности слоя;

2) отрицательные ионы выбрасываются в промежуток и рекомбинируют с положительными ионами прямой короны;

3) происходит стягивание силовых линий тока прямой короны к месту про­боя.

Время, через которое возникает обратная корона, t_ок определяется моментом, когда напряженность электрического поля в слое достигает пробив­ных значений (Е > Е_проб), образуются кратеры в слое, и происходит сущест­венный рост тока:

, (3.42)

где Е_уст = j/ - установившееся значение напряженности поля в слое.

Для случая, когда Е_уст/Е_про6 > = 3 + 5, формула (2.15) упрощается и приоб­ретает вид:

(3.43)