Обратная корона с порошкового слоя
Для диэлектрических и полупроводящих частиц по мере роста толщины слоя напряженность электрического поля в слое растет и может превысить внешнюю напряженность электрического поля несмотря на то, что В этом случае в газовых включениях внутри слоя начинаются ионизационные процессы, которые приведут к пробою всего слоя. В результате пробоя образуется кратер, порошок и ионы из которого выбрасываются в межэлектродный промежуток. Помимо этого, после пробоя слоя вокруг кратера начинается также разряд по поверхности, который снимает поверхностный заряд. Все ионизационные процессы приводят к эмиссии ионов противоположного знака в межэлектродный промежуток. Вся совокупность этих процессов получила название обратного коронного разряда. После возникновения обратной короны заряд на слое перестает расти. Внешний ток коронного разряда компенсируется тремя механизмами: 1) происходит нейтрализация зарядов с поверхности слоя; 2) отрицательные ионы выбрасываются в промежуток и рекомбинируют с положительными ионами прямой короны; 3) происходит стягивание силовых линий тока прямой короны к месту пробоя. Время, через которое возникает обратная корона, tок определяется моментом, когда напряженность электрического поля в слое достигает пробивных значений (Е > Епроб), образуются кратеры в слое, и происходит существенный рост тока:
где Еуст = j/ Для случая, когда Еуст/Епро6 > = 3 + 5, формула (2.15) упрощается и приобретает вид:
|
, (3.42)
- установившееся значение напряженности поля в слое.
(3.43)
