Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Конструктивно-технологические особенности РЭА.





 

Этапы развития РЭА по мере изменения технического уровня элементной базы, конструкции и технологии принято разделять на поколения.

В аппаратуре 1-го поколения основу конструкции составляли блоки с металлическими шасси и панелями, на которых крепились электровакуумные приборы, реле, резисторы, конденсаторы, дроссели, трансформаторы. Монтаж осуществляется проводниками. Основными техническими процессами были металлообработка и малопроизводительный ручной проводной монтаж.

 

г.г.

Рисунок 16

РЛ - реле и лампы, ПП - полупроводниковые приборы, ИС - интегральные микросхе­мы, БИС - большие ИС, СБИС - сверхбольшие БИС, ОПП - односторонние печатные платы, ДПП - двусторонние печатные платы, МПП - многослойные печатные платы, ПДПП - прецизионные ДПП. ПМПП - прецизионные МПП, СПМПП - сверхпрецизион­ные МПП

С появлением транзисторов создается аппаратура 2-го поколения. Здесь в качестве несущих конструкций и монтажа начали использовать одно- и двухсторонние ПП.

Разработка электронной аппаратуры 3-го поколения связана в первую очередь с проблемой уменьшения длины электрических соединений, так как время переключения элементов ИС стало соизмеримым с временем задержки сигналов в линиях связи. Это достигается применением специализации слоев МПП – «земля-питание», выполняющих одновременно роль электрических экранов для слоев с трассами логических цепей.

Аппаратура 4-го и 5-го поколений на основе БИС и СБИС характеризуется еще более высокими требованиями к плотности монтажа. Чтобы удовлетворить этим требованиям создают, например, прецизионные ПП (трассировка 3-х проводников между сквозными отверстиями, крупноформатные (до 600×700 мм), многослойные (до 24 слоев) ПП с проводниками и зазорами шириной 75…100 мкм. Для монтажа БИС в керамических кристалло-держателях вводится дополнительный конструктивный уровень между БИС и МПП в виде многослойной (до 33 слоев) керамической платы и др. Таким образом увеличение плотности размещения монтажных элементов и уменьшение линейных размеров ПП требует пропорционального увеличения плотности соединений, которая определяется плотностью трассировки, то есть числом проводников, прокладываемых между отверстиями, коэффициентом использования трасс, а в МПП – еще и числом сигнальных слоев.

Виды изделия в ЕСТПП определяется ГОСТ23887-79 и подразделяются на детали, сборочные единицы, комплексы, комплекты. Во всех системах, где требуется представить информацию в удобной форме для визуального восприятия человеком применяют средство отображения информации (СОИ). Основная часть СОИ – это индикатор, то есть электронный прибор для преобразования электрических сигналов в пространственное распределение яркости. Вторая часть СОИ – это приборы первичной информации.

По функциональному признаку: все элементы и компоненты ПК и СОИ можно отнести к одной из 2-х групп:

1) Схемотехнические элементы (микросхемы в корпусах и без них, дискретные резисторы, конденсаторы, трансформаторы, переключатели, соединители, индикаторы и т д.).

2) Конструктивные элементы, входящие в состав ПК и СОИ, обеспечивают механическую прочность, защиту от внешних воздействий (основания, крышки корпусов и т д.), механическое управление узлов ПК и СОИ (кнопки, рычаги, ручки, механизмы перемещения подвижных рабочих элементов (отсчетные устройства, облучатели и зеркала антенн, пленочные и другого типа носителей информации, электродвигатели, сельсины, электромагнитные муфты приводов и т д.)).

Условия эксплуатации ПК и СОИ существенно влияют на их конструктивно-технологические особенности (механические, климатические условия, внешних радиационных, электрических и магнитных полей). Выделяют три класса РЭА для которых разработана и используется единая конструкторская база в виде комплекта универсальных типовых конструкций (УТК):

УТК – I – для стационарной аппаратуры (в отапливаемых и не отапливаемых помещениях).

УТК – II – для стационарной, полустационарной и подвижной РЭА (на открытом воздухе, в палатках, во временных помещениях и укрытиях, на колесном и гусеничном транспорте).

УТК – III – для РЭА преимущественно на ИМС, микросборках (на подвижных объектах, в труднодоступных местах и работающей в жестких условиях эксплуатации).

Конструкции УТК созданы по модульному принципу, то есть по принципу входимости корпусов и модулей младшего КУ в корпуса модулей старшего уровня. Использование конструкторской иерархии на стадии создания ПК и СОИ современной схемотехнической базы и комплексов УТК ведет к сокращению сроков и стоимости проектирования, так как используют САПР РЭА и подготовку производства на ЭВМ, серийность производства компонентов ПК и СОИ, единство их типоразмеров и применения отработанных базовых и прогрессивных технологических процессов изготовления деталей и узлов ПК и СОИ.

Компоненты ПК и СОИ на базе УТК включают в себя модули нескольких конструктивных уровней (КУ):

КУ-0 (нулевой уровень) – бескорпусные микроэлементы, используемые в ИС, фрагменты схем, выполненные по полупроводниковой технологии.

УТК – III – база для РЭА этого КУ.

КУ-1 – корпусированные ИС со штыревыми и планарными выводами, бескорпусные ГИС (микросборки), транзисторы и диоды в корпусах, конденсаторы в дискретном исполнении. В РЭА на базе на базе УТК – III к КУ-1 относятся корпусированные и бескорпусные однослойные и многослойные микроэлектронные узлы.

КУ-2 на базе УТК – I, УТК – II это ячейки в виде унифицированных печатных плат (140×150 мм) обычной и многослойной конструкции с установленными на них схемотехническими элементами и элементами контактирования (разъем на ПП), фиксации и крепления. На базе УТК – III может быть типовой элемент конструкции (ТЭК) в состав которого входит еще ряд элементов, обеспечивающих прочность, экранирование, герметизацию, теплоотвод для ПП и монтаж ТЭК в конструктивной единице старшего уровня. Обычно элементы КУ-2 называют типовыми элементами замены (ТЭЗ).

КУ-3 блоки и панели, состоящие из несущих конструкций, на которых монтируют по нескольку единиц или десятков ТЭК или ТЭЗ. Сюда же входят устройства питания, индикаторные сигнализирующие элементы, механические и электромеханические устройства управления и вспомогательного назначения, элементы для внутриблочного и межблочного соединения (коммутационные многослойные печатные платы, кабели, соединители, оптоэлектронные устройства). Блоки РЭА на базе УТК – III после сборки, настройки и регулировки подвергаются вакуумной герметизации и заполнению инертным газом, а блоки на базе УТК – I и II не герметизируют. Поэтому они резко отличаются по внешнему виду и составу конструктивных элементов.

КУ-4 на базе УТК – I и II реализуется в виде стоек, шкафов, пультов управления или приборных корпусов. На базе УТК – III – в виде каркасов стоек с дополнительными амортизирующими и уплотняющими устройствами, дверки специальной формы с запирающими, поворотными и фиксирующими механизмами, воздухоотводами с каналами входа-выхода и др., то есть с децентрализованной (индивидуальной защитой от внешней среды каждого блока) и централизованной защитой.

Дальнейшее совершенствование конструкций (уменьшение веса, объема) возможно лишь за счет комплексной миниатюризации, то есть увеличение доли микроэлектронных узлов, перехода от интеграции узлов к интеграции комплексов.

Для электромонтажа в модулях КУ-3 используют МПП, выполняющие одновременно функции оснований и несущие розетки разъемов. Однако основным методом монтажа модулей КУ-3 и 4 является проводной монтаж жгутами и плоскими кабелями. Гибкость кабелей обеспечивает возможность монтажа относительно подвижных блоков и узлов ПК и СОИ.

Основным методом получения контактных соединений, применяемых в модулях всех уровней, исключая нулевой и первый, является пайка. В модулях 3 и 4 уровня используют соединение накруткой и разъемы.







Дата добавления: 2015-10-19; просмотров: 1196. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...


Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Упражнение Джеффа. Это список вопросов или утверждений, отвечая на которые участник может раскрыть свой внутренний мир перед другими участниками и узнать о других участниках больше...

Влияние первой русской революции 1905-1907 гг. на Казахстан. Революция в России (1905-1907 гг.), дала первый толчок политическому пробуждению трудящихся Казахстана, развитию национально-освободительного рабочего движения против гнета. В Казахстане, находившемся далеко от политических центров Российской империи...

Виды сухожильных швов После выделения культи сухожилия и эвакуации гематомы приступают к восстановлению целостности сухожилия...

ФАКТОРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА ИЗНОС ДЕТАЛЕЙ, И МЕТОДЫ СНИЖЕНИИ СКОРОСТИ ИЗНАШИВАНИЯ Кроме названных причин разрушений и износов, знание которых можно использовать в системе технического обслуживания и ремонта машин для повышения их долговечности, немаловажное значение имеют знания о причинах разрушения деталей в результате старения...

Различие эмпиризма и рационализма Родоначальником эмпиризма стал английский философ Ф. Бэкон. Основной тезис эмпиризма гласит: в разуме нет ничего такого...

Индекс гингивита (PMA) (Schour, Massler, 1948) Для оценки тяжести гингивита (а в последующем и ре­гистрации динамики процесса) используют папиллярно-маргинально-альвеолярный индекс (РМА)...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия