Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

ОСНОВНЫЕ ФОРМУЛЫ





1) Сопротивление провода:

 

, (1)

где ρ; – удельное сопротивление, Ом·мм2/м; l – длина проводника, м; S – площадь его поперечного сечения, мм2.

 

2) Зависимость сопротивления проводника от температуры:

 

, (2)

где R1 – сопротивление проводника при температуре T1, Ом; R2 – сопротивление проводника при температуре T2, Ом; α; – температурный коэффициент сопротивления, численно равный приращению сопротивления при нагревании проводника на 1 ˚С.

 

3) Потеря напряжения в проводах линии электропередачи. Разность напряжений в начале и конце линии U1 – U2, равная паданию напряжения в линии, называют потерей напряжения:

 

, (3)

где Rпр – сопротивление проводов в линии:

 

, (4)

где l – длина одного провода двухпроводной линии, м; S – сечение провода, мм2.

 

4) Напряженность поля, при которой происходит пробой диэлектрика, называют электрической прочностью диэлектрика Eпр, а напряжение при пробое – пробивным напряжением Uпр, причем

 

, (5)

где h – толщина диэлектрика.

 

5) Емкость конденсатора зависит от геометрических размеров, формы, взаимного расположения и расстояния между обкладками, а также от свойств диэлектрика.

Емкость плоского конденсатора

 

, (6)

где S – площадь пластины, м2; h – расстояние между пластинами, м.

 

6) Напряженность электрического поля плоского конденсатора:

 

, (7)

где U – напряжение, приложенное к зажимам конденсатора, В.

 

7) Удельное объемное ρv сопротивление:

 

, (8)

где Rv – объемное сопротивление диэлектрика, Ом; S – площадь пластины, м2; h – толщина диэлектрика, м.

 

8) Удельное поверхностное ρs сопротивление:

 

, (9)

где Rs – поверхностное сопротивление, Ом; p – периметр пластины, между которыми находится диэлектрик, м; l – расстояние между электродами, м.

 

9) При малых изменениях температуры и давления газа пробивное напряжение пропорционально плотности газа. Поэтому для расчета пробивных напряжений газа (воздуха) применяется формула

 

, (10)

где Uпр – пробивное напряжение при данных температуре и давлении; Uпр0 - пробивное напряжение при нормальных условиях (t = 20 ˚C и p = 0,1 МПа); δ; - относительная плотность воздуха, рассчитанная по соотношению:

 

, (11)

где p – атмосферное давление, мм. рт. ст; t – температура, ˚С; при нормальных условиях δ; = 1.

 

10) Диэлектрические потери:

 

, (12)

где U – приложенное напряжение, В; Ia – активная составляющая тока, А; Ic - емкостная составляющая тока, А; tgδ; – тангенс угла диэлектрических потерь; ω = 2πf – угловая частота приложенного напряжения, рад/с; C – емкость диэлектрика, Ф.

 

11) Энергия заряженного конденсатора вычисляется по формуле

, (13)

где С – емкость конденсатора, Ф; U – разность потенциалов между обкладками конденсатора, В.

 

12) Мощность, развиваемая источником или генератором:

. (14)

Справочные данные приведены в Приложении А.







Дата добавления: 2015-04-16; просмотров: 552. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Кишечный шов (Ламбера, Альберта, Шмидена, Матешука) Кишечный шов– это способ соединения кишечной стенки. В основе кишечного шва лежит принцип футлярного строения кишечной стенки...

Принципы резекции желудка по типу Бильрот 1, Бильрот 2; операция Гофмейстера-Финстерера. Гастрэктомия Резекция желудка – удаление части желудка: а) дистальная – удаляют 2/3 желудка б) проксимальная – удаляют 95% желудка. Показания...

Ваготомия. Дренирующие операции Ваготомия – денервация зон желудка, секретирующих соляную кислоту, путем пересечения блуждающих нервов или их ветвей...

Классификация потерь населения в очагах поражения в военное время Ядерное, химическое и бактериологическое (биологическое) оружие является оружием массового поражения...

Факторы, влияющие на степень электролитической диссоциации Степень диссоциации зависит от природы электролита и растворителя, концентрации раствора, температуры, присутствия одноименного иона и других факторов...

Йодометрия. Характеристика метода Метод йодометрии основан на ОВ-реакциях, связанных с превращением I2 в ионы I- и обратно...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2026 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия