Понятие статической (SRAM) и динамической (DRAM). На каких элементах строится

(принцип действия), где применяется. Сравнить по быстродействию,

энергопотреблению, габаритам, энергозависимости (л12).

 

1. Статическая. Обозначается статическая (SRAM - Static RAM,гдеRandom Access Memory -память с произвольным доступом); она или динамическая (DRAM – Dynamic RAM).

В статической памяти элементы (ячейки) построены на различных вариантах схем (триггеров) с двумя устойчивыми состояниями. После записи бита в ячейку она может пребывать в этом состоянии столь угодно долго - необходимо только наличие питания. Ячейки статической памяти имеют малое время срабатывания (единицы-десятки наносекунд), однако микросхемы на их основе имеют низкую удельную плотность данных (порядка единиц Мбит на корпус) и высокое энергопотребление. Поэтому статическая память используется в основном в качестве буферной (кэш-память).

 

 

 

1. Динамическая. (DRAM – Dynamic RAM - Random Access Memory).

В динамической памяти ячейки построены на основе областей (занимающих гораздо меньшую площадь, нежели триггеры) с накоплением зарядов (конденсаторов) и практически не потребляющих энергии при хранении. При записи бита в такую ячейку в ней формируется электрический заряд, который сохраняется в течение нескольких миллисекунд; для постоянного сохранения заряда ячейки необходимо регенерировать - перезаписывать содержимое для восстановления зарядов. Ячейки динамической памяти имеют большее время срабатывания (десятки-сотни наносекунд), но большую удельную плотность (порядка десятков Мбит на корпус) и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется в качестве оперативной.

Пояснение работы элемента динамической памяти:

Для хранения информации используется условный конденсатор С (это паразитная емкость транзистора)

Конденсатор заряжен – это «1»;

Конденсатор разряжен – это «0».

Свойство конденсатора:

- он может хранить информацию максимум 2нс затем требуется подзарядка (регенерация);

- также при считывании информации конденсатор разряжается и требуется восстановление информации.

 

45. На какие четыре типа делится память по методу доступа? Кратко охарактеризовать каждый. (л12).

1. Последовательный – ЗУ такое, что для доступа к нужному элементу, необходимо прочитать все предшествующие данные. (стример);
2. Прямой – каждая запись имеет свой адрес. Размещение на носителе инф-ции, обращение осуществляется к началу записи к последовательному доступу к ед. инф-ции. (маг.диск);
3. Произвольный – каждая ячейка, имеет уникальный физ. Адрес, обращения к любой ячейки займет время (flash память) ОП;
4. Ассоциативный доступ – этот вид доступа производится не по адресу, а по ассоциативным признакам (признакам опроса). Поиск производится одновременно по всем ячейкам ЗМ.