Упрощенная динамическая модель ПТ для малого сигнала, имеющая одинаковый – вид как для МОП-транзистора, так и для транзистора с управляющим р-n -переходом, приведена на рис.4.5. На этой схеме усилительные свойства транзистора моделируются генератором тока i = SuЗИ, где S = diс/du3И|uCИ = = const - крутизна статической сток - затворной характеристики (имеет значения от 0,5 до нескольких десятков миллиампер на вольт). Ri = duCИ/dic|u3И = const - внутреннее (дифференциальное) сопротивление (составляет величину от нескольких десятков до сотен килоОм).
Частотные (инерционные) свойства ПТ моделируются емкостями Сзи, Сзс и Сси. Здесь Сзи - барьерная емкость управляющего р - n - перехода, Сзс - распределенная вдоль канала барьерная емкость (проходная емкость). Через эту емкость часть сигнала с цепи стока попадает в цепь затвора, т.е. возникает внутренняя обратная связь (ОС). Для транзисторов с управляющим p-n-переходом С3C ≈ С3И/2. Основной составляющей емкости ССИ является емкость между стоком и подложкой (подложка, как правило, соединена с истоком).
Для малого переменного сигнала (а именно эти модели рассматриваются курсе) широко используется формальная модель полевого транзистора (рис.4.2), где
Здесь C
11 = C
3И + C
3С – входная статическая емкость; C
12 = С
зс -проходная емкость; С
22 = С
зс + С
си – выходная статическая емкость; g
21 = S; g
22 = l/R
i.
Параметры S и ri являются низкочастотными параметрами полевого транзистора, а емкости СЗС, СЗИ и ССИ – высокочастотными. Чем высокочастотный транзистор, тем меньше значения барьерных емкостей.
