Изучение параметров модели диода.

 

 

Рисунок 1 – Схема измерения входных токов и их температурного дрейфа

 

 

Рисунок 2 – Схема для снятия ДАХ, измерения напряжения смещения, температурного дрейфа напряжения смещения, коэффициента влияния нестабильности источника питания, дифференциального входного сопротивления, минимального и максимального выходных напряжений, токов короткого замыкания выходов, потребляемого тока.

 

Рисунок 3 – Схема измерения выходного сопротивления

 

 

Рисунок 4 – Схема для снятия САХ и СВХ, измерения синфазного коэффициента усиления и синфазных входных сопротивлений

 

Рисунок 5 – Схема для снятия АЧХ, ФЧХ, переходных характеристик, нелинейных искажений, дифференциального коэффициента усиления.

 

 

Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования «Полоцкий государственный университет»

Радиотехнический факультет

Кафедра КиТРЭС

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2

по дисциплине «Электронные приборы»

тема:«Исследование полупроводниковых диодов »

Выполнил:студент гр.11-ЭС-1

Коптик О.И.

Проверил:Бульбенкова Т.А.

Новополоцк 2012г.

 

Эксперимент 1

Изучение параметров модели диода.

Выбранный диод 1N4933.

Параметры выбранного диода:

 

 

Прямое включение:

 

 

Обратное включение:

 

 

R(пр)=U(пр)/I(пр)=830/34=24.4(Ом);

∆U(пр)=847.8-804.2=43.6(мВ);

∆I(пр)=50.4-19.2=31.2(мА);

R(пр)= ∆U(пр)/∆I(пр)=43.6/31.2=1.4(Ом).

 

Вывод:

· Изучили параметры диода, используя справочную литературу;

· Сравнили справочные данные с данными модели;

· Получили ВАХ диода;

· Измерили статическое и дифференциальное сопротивление диода в указанных точках.