Изучение параметров модели диода.
Рисунок 1 – Схема измерения входных токов и их температурного дрейфа
Рисунок 2 – Схема для снятия ДАХ, измерения напряжения смещения, температурного дрейфа напряжения смещения, коэффициента влияния нестабильности источника питания, дифференциального входного сопротивления, минимального и максимального выходных напряжений, токов короткого замыкания выходов, потребляемого тока.
Рисунок 3 – Схема измерения выходного сопротивления
Рисунок 4 – Схема для снятия САХ и СВХ, измерения синфазного коэффициента усиления и синфазных входных сопротивлений
Рисунок 5 – Схема для снятия АЧХ, ФЧХ, переходных характеристик, нелинейных искажений, дифференциального коэффициента усиления.
Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования «Полоцкий государственный университет» Радиотехнический факультет Кафедра КиТРЭС ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2 по дисциплине «Электронные приборы» тема:«Исследование полупроводниковых диодов » Выполнил:студент гр.11-ЭС-1 Коптик О.И. Проверил:Бульбенкова Т.А. Новополоцк 2012г.
Эксперимент 1 Изучение параметров модели диода. Выбранный диод 1N4933. Параметры выбранного диода:
Прямое включение:
Обратное включение:
R(пр)=U(пр)/I(пр)=830/34=24.4(Ом); ∆U(пр)=847.8-804.2=43.6(мВ); ∆I(пр)=50.4-19.2=31.2(мА); R(пр)= ∆U(пр)/∆I(пр)=43.6/31.2=1.4(Ом).
Вывод: · Изучили параметры диода, используя справочную литературу; · Сравнили справочные данные с данными модели; · Получили ВАХ диода; · Измерили статическое и дифференциальное сопротивление диода в указанных точках.
|
