Модуль, блоктардың пайдаланушы тоқтау жиілігін есептеу
5.3.1 Модульдердің, блоктың пайдаланушы тоқтау жиілігін келесі
өрнекпен анықталады:
(5.5),
мұндағы N – блоктағы, модульдегі ЭТТЖ түрлері саны;
ni – блоктағы, модульдегі i- типті элементтер саны;
li –i- блогінің тұтынушы тоқтау жиілігі.
5.3.2 Таразы модулі мен блок құрамына кіретін элементтер номенклатурасы, және олардың пайдаланушы тоқтау жиілігін есептеу 5.2 -5.6 кестеде көрсетілген.
5.2 к е с т е – Өлшегіштің пайдаланушы тоқтау жиілігін есептеу
Элемент түрі (номинал түрі және кқнструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана
| lэ·10-6,
1/сағ
| Ақпарат көзі
| ҚБ қоректендіру көзі
|
|
|
| Құжат
| ӨКБ айналдыру және күшейту блогі
| 1,6
|
| 3,2
| Құжат
| МАД магнитті анизотропты датчик
| 0,99
|
| 3,96
| Құжат
| СРU 314С-DC микроконтроллер модулі
| 8,3
|
| 8,3
| Сатып ал. бұйым "Siemensl" фирмасы Құжат
| АО16 –V8 Ұқсас шығу платасы
| 8,3
|
| 8,3
| Сатып ал. бұйым "Siemensl" фирмасы Құжат
| DV – 16230S2FBVLY – H/R сұйық кристалды индикатор
| 0,33
|
| 0,38
| Сатып ал. бұйым "Siemensl" фирмасы Құжат
| СК06 TESTA STNDSRT пернетақтасы
ТУ 4236-001-45579016-99
| 0,5
|
| 0,5
| Құжат
| Дабыл қалыптастырушы
| 0,30
|
| 0,3082
| Кесте
| Орын ауысу датчигі
| 1,0
|
|
|
|
[1/сағ].
5.3 к е с т е – Қоректендіру блогінің қолданудағы тоқтау жиілігін есептеу
Элемент түрі (номинал түрі және кқнструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана.
| lэNi·10-6, 1/сағ
| Ақпарат көзі
| Резисторлар
| Резистор 10 Вт – 0,1 Ом
МЛТ 0,25 – 510 Ом
МЛТ 0,25 – 620 Ом
МЛТ 0,25 – 750 Ом
МЛТ 0,25 – 1,2 кОм
МЛТ 0,25 – 1,5 кОм
МЛТ 0,25 – 2,2 кОм
МЛТ 0,25 – 3,9 кОм
МЛТ 0,25 – 5,1 кОм
МЛТ 0,25 – 7,5 кОм
МЛТ 0,25 – 9,1 кОм
| 0,02
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
|
| 0,04
0,0004
0,0008
0,0008
0,0008
0,0004
0,0008
0,0016
0,0008
0,0008
0,0008
| 16 кесте
Сол с.
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| Конденсаторлар
| К10 – 7В – М47 – 39 пФ
К73 – 9-100В – 1200 пФ
К21 – 7-3000 ПФ
МБМ-160В – 0,1 мкФ
К73-9 – 100В – 0,082 мкФ
К50-16 – 1-25В – 10 мкФ
К50-16 – 1-16В 100 мкФ
К50-16 – 16В – 2000 мкФ
К50-20 – 50В – 2000 мкФ
| 0,002
0,0028
0,004
0,0036
0,0028
0,010
0,010
0,010
0,010
|
| 0,004
0,0028
0,0080
0,0036
0,0112
0,06
0,010
0,010
0,020
| 15 кесте
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| Микросызбалар
|
|
|
|
| КР140 УД14Б
КР140 УД6
КР142 ЕН5А
| 0,23
0,23
1,00
|
| 0,46
0,46
1,00
| 10 кесте
-"-
-"-
| | | | | | | 5.3 к е с т е н і ң жалғасы
Транзисторлар
| КП103 М1
КТ315Д
КТ361Д
КТ502Д
КТ503Д
КТ814В
КТ815В
КТ816В
КТ817В
КТ818ГМ
КТ819ГМ
| 0,035
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,035
0,035
|
| 0,035
0,044
0,044
0,044
0,044
0,022
0,022
0,022
0,022
0,035
0,035
| 14 кесте
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| Диодтар
| КД510А
КД521А
КД243А
КД202В
АЛ307БМ
АОУ115А
| 0,012
0,012
0,012
0,012
0,03
0,04
|
| 0,012
0,144
0,048
0,096
0,12
0,04
| 13 кесте
-"-
-"-
-"-
11 кесте
-"-
| Стабилитронар
|
|
|
|
| КС133А
КС191А
Д818Е
ТП-1-2
Трансформатор 7673.02.200
Трансформатор 7673.02.210
Вилка РП14 – 30ЛО бро.364.024 ТУ
Гнездо ГИ4 ГаО.364.008 ТУ
| 0,02
0,02
0,02
0,098
0,99
0,99
0,01
0,01
|
| 0,04
0,02
0,04
0,098
0,99
0,99
0,01
0,06
| 1 кесте 3
сол.с.
-"-
12 кесте
сол.с.
-"-
-"-
-"-
|
5.4 к е с т е. ӨКБ айналдыру және күшейту қолданудағы тоқтау жиілігін есептеу
Элемент түрі (номинал түрі және кқнструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана
| lэNi·10-6, 1/сағ
| Ақпарат көзі
| П2Г-3 П4Н ажыратқышы
РП143 ОЛО айырғышы
Гнездо ГИ4
| 0,098
0,01
0,01
|
| 0,098
0,01
0,04
| 18 кесте
-"-
-"-
| Конденсаторлар
| К73-17-250В-0,068 мкФ
К10-17-2б-Н60-0,1 мкФ
К73-17-63В-1,0 мкФ
К73-17-63В-4,7 мкФ
К73-14-20В-10 мкФ
| 0,004
0,002
0,004
0,004
0,004
|
| 0,004
0,012
0,004
0,008
0,008
| 20-кесте
сол с.
-"-
-"-
-"-
| Микросхемалар
| КР140УД708
К1401УД4
КР590КН3
| 0,23
0,22
0,22
|
| 0,92
0,22
0,22
| 17 кесте
Сол.с
-"-
| Диод КД521В
Стабилитрон КС191А
| 0,012
0,02
|
| 0,024
0,02
| 19-кесте
Сол. С
| Резисторлар
МЛТ-0,125-620 Ом
МЛТ-0,125-1,2 кОм
МЛТ-0,125-8,2 кОм
МЛТ-0,125-10 кОм
МЛТ-0,125-15 кОм
МЛТ-0,125-20 кОм
МЛТ-0,125-62 кОм
С2-29В-0,125-135 Ом
С2-29В-0,125-825 Ом
С2-29В-0,125-10,2 кОм
С2-29В-0,125-56,2 кОм
СП5-16ВБ-1Вт-1кОм
СП5-16ВБ-1Вт-4,7 кОм
СП5-22-1Вт-47кОм
|
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,002
0,001
0,002
|
|
0,0004
0,0004
0,0008
0,0008
0,0016
0,0016
0,0004
0,0008
0,0004
0,0024
0,0004
0,008
0,001
0,002
|
22 кесте
Сол с.
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| Транзисторлар
КТ3102Е
КТ3107А
| 0,0225
0,0225
|
| 0,045
0,045
| 21 кесте
Сол с.
| 

5.5 к е с т е. МАД магнитті анизотропты датчиктің қолданудағы тоқтау жиілігін есептеу
Элемент түрі (номинал түрі және конструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана.
| lэNi·10-6, 1/сағ
| Ақпарат көзі
| Магнитті анизотропты күш датчигі
| 0,99
|
| 0,99
| 23-кесте
|

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...
|
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при которых тело находится под действием заданной системы сил...
|
Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...
|
Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...
|
Закон Гука при растяжении и сжатии
Напряжения и деформации при растяжении и сжатии связаны между собой зависимостью, которая называется законом Гука, по имени установившего этот закон английского физика Роберта Гука в 1678 году...
Характерные черты официально-делового стиля Наиболее характерными чертами официально-делового стиля являются:
• лаконичность...
Этапы и алгоритм решения педагогической задачи Технология решения педагогической задачи, так же как и любая другая педагогическая технология должна соответствовать критериям концептуальности, системности, эффективности и воспроизводимости...
|
Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод исследования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом растворе...
Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...
Сущность, виды и функции маркетинга персонала Перснал-маркетинг является новым понятием. В мировой практике маркетинга и управления персоналом он выделился в отдельное направление лишь в начале 90-х гг.XX века...
|
|