Модуль, блоктардың пайдаланушы тоқтау жиілігін есептеу
5.3.1 Модульдердің, блоктың пайдаланушы тоқтау жиілігін келесі
өрнекпен анықталады:
 (5.5),
мұндағы N – блоктағы, модульдегі ЭТТЖ түрлері саны;
ni – блоктағы, модульдегі i- типті элементтер саны;
li –i- блогінің тұтынушы тоқтау жиілігі.
5.3.2 Таразы модулі мен блок құрамына кіретін элементтер номенклатурасы, және олардың пайдаланушы тоқтау жиілігін есептеу 5.2 -5.6 кестеде көрсетілген.
5.2 к е с т е – Өлшегіштің пайдаланушы тоқтау жиілігін есептеу
| Элемент түрі (номинал түрі және кқнструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана
| lэ·10-6,
1/сағ
| Ақпарат көзі
| | ҚБ қоректендіру көзі
|
|
|
| Құжат
| | ӨКБ айналдыру және күшейту блогі
| 1,6
|
| 3,2
| Құжат
| | МАД магнитті анизотропты датчик
| 0,99
|
| 3,96
| Құжат
| | СРU 314С-DC микроконтроллер модулі
| 8,3
|
| 8,3
| Сатып ал. бұйым "Siemensl" фирмасы Құжат
| | АО16 –V8 Ұқсас шығу платасы
| 8,3
|
| 8,3
| Сатып ал. бұйым "Siemensl" фирмасы Құжат
| | DV – 16230S2FBVLY – H/R сұйық кристалды индикатор
| 0,33
|
| 0,38
| Сатып ал. бұйым "Siemensl" фирмасы Құжат
| | СК06 TESTA STNDSRT пернетақтасы
ТУ 4236-001-45579016-99
| 0,5
|
| 0,5
| Құжат
| | Дабыл қалыптастырушы
| 0,30
|
| 0,3082
| Кесте
| | Орын ауысу датчигі
| 1,0
|
|
|
|
 [1/сағ].
5.3 к е с т е – Қоректендіру блогінің қолданудағы тоқтау жиілігін есептеу
| Элемент түрі (номинал түрі және кқнструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана.
| lэNi·10-6, 1/сағ
| Ақпарат көзі
| | Резисторлар
| | Резистор 10 Вт – 0,1 Ом
МЛТ 0,25 – 510 Ом
МЛТ 0,25 – 620 Ом
МЛТ 0,25 – 750 Ом
МЛТ 0,25 – 1,2 кОм
МЛТ 0,25 – 1,5 кОм
МЛТ 0,25 – 2,2 кОм
МЛТ 0,25 – 3,9 кОм
МЛТ 0,25 – 5,1 кОм
МЛТ 0,25 – 7,5 кОм
МЛТ 0,25 – 9,1 кОм
| 0,02
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
|
| 0,04
0,0004
0,0008
0,0008
0,0008
0,0004
0,0008
0,0016
0,0008
0,0008
0,0008
| 16 кесте
Сол с.
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| | Конденсаторлар
| | К10 – 7В – М47 – 39 пФ
К73 – 9-100В – 1200 пФ
К21 – 7-3000 ПФ
МБМ-160В – 0,1 мкФ
К73-9 – 100В – 0,082 мкФ
К50-16 – 1-25В – 10 мкФ
К50-16 – 1-16В 100 мкФ
К50-16 – 16В – 2000 мкФ
К50-20 – 50В – 2000 мкФ
| 0,002
0,0028
0,004
0,0036
0,0028
0,010
0,010
0,010
0,010
|
| 0,004
0,0028
0,0080
0,0036
0,0112
0,06
0,010
0,010
0,020
| 15 кесте
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| | Микросызбалар
|
|
|
|
| | КР140 УД14Б
КР140 УД6
КР142 ЕН5А
| 0,23
0,23
1,00
|
| 0,46
0,46
1,00
| 10 кесте
-"-
-"-
| | | | | | | | 5.3 к е с т е н і ң жалғасы
| Транзисторлар
| | КП103 М1
КТ315Д
КТ361Д
КТ502Д
КТ503Д
КТ814В
КТ815В
КТ816В
КТ817В
КТ818ГМ
КТ819ГМ
| 0,035
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,022
0,035
0,035
|
| 0,035
0,044
0,044
0,044
0,044
0,022
0,022
0,022
0,022
0,035
0,035
| 14 кесте
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| | Диодтар
| | КД510А
КД521А
КД243А
КД202В
АЛ307БМ
АОУ115А
| 0,012
0,012
0,012
0,012
0,03
0,04
|
| 0,012
0,144
0,048
0,096
0,12
0,04
| 13 кесте
-"-
-"-
-"-
11 кесте
-"-
| | Стабилитронар
|
|
|
|
| | КС133А
КС191А
Д818Е
ТП-1-2
Трансформатор 7673.02.200
Трансформатор 7673.02.210
Вилка РП14 – 30ЛО бро.364.024 ТУ
Гнездо ГИ4 ГаО.364.008 ТУ
| 0,02
0,02
0,02
0,098
0,99
0,99
0,01
0,01
|
| 0,04
0,02
0,04
0,098
0,99
0,99
0,01
0,06
| 1 кесте 3
сол.с.
-"-
12 кесте
сол.с.
-"-
-"-
-"-
|
5.4 к е с т е. ӨКБ айналдыру және күшейту қолданудағы тоқтау жиілігін есептеу
| Элемент түрі (номинал түрі және кқнструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана
| lэNi·10-6, 1/сағ
| Ақпарат көзі
| | П2Г-3 П4Н ажыратқышы
РП143 ОЛО айырғышы
Гнездо ГИ4
| 0,098
0,01
0,01
|
| 0,098
0,01
0,04
| 18 кесте
-"-
-"-
| | Конденсаторлар
| | К73-17-250В-0,068 мкФ
К10-17-2б-Н60-0,1 мкФ
К73-17-63В-1,0 мкФ
К73-17-63В-4,7 мкФ
К73-14-20В-10 мкФ
| 0,004
0,002
0,004
0,004
0,004
|
| 0,004
0,012
0,004
0,008
0,008
| 20-кесте
сол с.
-"-
-"-
-"-
| | Микросхемалар
| | КР140УД708
К1401УД4
КР590КН3
| 0,23
0,22
0,22
|
| 0,92
0,22
0,22
| 17 кесте
Сол.с
-"-
| | Диод КД521В
Стабилитрон КС191А
| 0,012
0,02
|
| 0,024
0,02
| 19-кесте
Сол. С
| | Резисторлар
МЛТ-0,125-620 Ом
МЛТ-0,125-1,2 кОм
МЛТ-0,125-8,2 кОм
МЛТ-0,125-10 кОм
МЛТ-0,125-15 кОм
МЛТ-0,125-20 кОм
МЛТ-0,125-62 кОм
С2-29В-0,125-135 Ом
С2-29В-0,125-825 Ом
С2-29В-0,125-10,2 кОм
С2-29В-0,125-56,2 кОм
СП5-16ВБ-1Вт-1кОм
СП5-16ВБ-1Вт-4,7 кОм
СП5-22-1Вт-47кОм
|
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,0004
0,002
0,001
0,002
|
|
0,0004
0,0004
0,0008
0,0008
0,0016
0,0016
0,0004
0,0008
0,0004
0,0024
0,0004
0,008
0,001
0,002
|
22 кесте
Сол с.
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
-"-
| | Транзисторлар
КТ3102Е
КТ3107А
| 0,0225
0,0225
|
| 0,045
0,045
| 21 кесте
Сол с.
| 
5.5 к е с т е. МАД магнитті анизотропты датчиктің қолданудағы тоқтау жиілігін есептеу
| Элемент түрі (номинал түрі және конструкторлық құжат белгісі
| lэ·10-6, 1/сағ
| Ni, дана.
| lэNi·10-6, 1/сағ
| Ақпарат көзі
| | Магнитті анизотропты күш датчигі
| 0,99
|
| 0,99
| 23-кесте
|
Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...
|
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при которых тело находится под действием заданной системы сил...
|
Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...
|
Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...
|
ОСНОВНЫЕ ТИПЫ МОЗГА ПОЗВОНОЧНЫХ Ихтиопсидный тип мозга характерен для низших позвоночных - рыб и амфибий...
Принципы, критерии и методы оценки и аттестации персонала
Аттестация персонала является одной их важнейших функций управления персоналом...
Пункты решения командира взвода на организацию боя. уяснение полученной задачи; оценка обстановки; принятие решения; проведение рекогносцировки; отдача боевого приказа; организация взаимодействия...
|
МЕТОДИКА ИЗУЧЕНИЯ МОРФЕМНОГО СОСТАВА СЛОВА В НАЧАЛЬНЫХ КЛАССАХ В практике речевого общения широко известен следующий факт: как взрослые...
СИНТАКСИЧЕСКАЯ РАБОТА В СИСТЕМЕ РАЗВИТИЯ РЕЧИ УЧАЩИХСЯ В языке различаются уровни — уровень слова (лексический), уровень словосочетания и предложения (синтаксический) и уровень
Словосочетание в этом смысле может рассматриваться как переходное звено от лексического уровня к синтаксическому...
Плейотропное действие генов. Примеры. Плейотропное действие генов - это зависимость нескольких признаков от одного гена, то есть множественное действие одного гена...
|
|
