Прямая ветвь ВАХ.
При подаче прямого напряжения дырки и электроны движутся навстречу друг другу, и часть их рекомбинирует в p-n- переходе, образуя дополнительный прямой ток, называемый током рекомбинации. Полный ток складывается из тока инжекции, определяемого из (2.21) и тока рекомбинации. Следовательно, ток реального p-n- перехода больше, чем идеализированного. Ток рекомбинации пропорционален ni и exp(U/2jT), тогда как ток инжекции пропорционален ni2 и exp(U/jT) и поэтому более резко зависит от температуры, ширины запрещенной зоны и приложенного напряжения. Ток рекомбинации следует учитывать в полупроводниках с широкой запрещенной зоной при работе в области малых токов и при пониженных температурах. При работе в нормальном режиме током рекомбинации можно пренебречь. Одной из особенностей реальной ВАХ является омическое падение напряжения в слое базы. Приложенное внешнее напряжение не полностью падает на p-n -переходе, а распределяется между ним и слоем базы. Тогда
Падение напряжения в слое базы сказывается при больших токах. Пренебрегая единицей в формуле (2.25) при I>>I 0, можно записать U= j T× ln(I/I 0)+ I×r б (2.30)
|
. (2.29)
