Интересные физические явления в твердых телах (п/п) .
Эффект Ганна (1963 г.) в п/п на примере GaAs. В большинстве п/п структур наблюдается постоянство проводимости и подвижности носителей заряда, а так же предполагается линейная зависимость плотности тока j и скорости дрейфа v от напряженности поля Е:
и
Для некоторых п/п веществ, например GaAs, энергетические характеристики кристалла могут меняться. Физики говорят о наличии 'нижней (основной) глубины долины' где µ i = 5000 см2/(в с) mi=0.07m0 от Е=0 и 'верхней долины' плоской, где µ 2 = 100 см2/(в с) m2 эфф=1.2m0 от E>Econst при разности их энергетических уровней W=0,36эB при этом δW<∆W.
Тогда существует интервал перехода с одной зависимости к другой. Ганн обнаружил это явление, объяснив наличие падающего участка характеристики: 'отрицательная проводимость (сопротивление) ∆Е увеличивается ∆;j уменьшается: Практическое значение эффекта Ганна - использование падающего участка ВАХ в генераторах и усилителях СВЧ. Для получения такой ВАХ надо выполнить ряд условий (t стремится к tmin, m1эфф<< m2эфф
|
.
) Тогда 
приведет к образованию 'домена', идущего от катода к аноду. После достижения им анода катод эмитирует следующий домен и т. д. Таким образом происходит процесс тунеллирования в диодах Ганна.
