Студопедия — Пример выполнения заданий 2 и 3
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Пример выполнения заданий 2 и 3






Транзистор типа p-n-р включён по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если напряжение база-эмиттер U БЭ = - 0,4В и напряжение коллектор-эмиттер UКЭ = - 0,3В?

Так как UЭБ + UБK + UКЭ = 0, а UЭБ = - UБЭ = 0,4 B, то

UБK = - UЭБ - UKЭ = - 0,4 + 0,3 = - 0,1 В

на эмиттерном переходе прямое напряжение (UЭБ = 0,4В), на коллекторном переходе тоже прямое напряжение (U КБ = 0,1 В), значит, транзистор работает в режиме насыщения.

 

Транзистор типа n-p-п включён по схеме ОБ. Напряжение эмиттер-база UЭБ== - 0,5В; напряжение коллектор-база U КБ = 12B. Определить напряжение коллектор-эмиттер UКЭ .

 

UЭБ + UБК + UКЭ = 0

Откуда U КЭ = - UЭБ – U БК = 0,5 + 12 = 12,5В

 

ВАРИАНТ 1

1.Изобразить схемы включения транзистора ОБ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в активном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = - 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа n-p-n включен по схеме ОБ.

UЭБ = 0,8В и UКБ = 10В. Определить UКЭ.

 

 

ВАРИАНТ 2

1.Изобразить схемы включения транзистора ОБ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в режиме насыщения.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. UБЭ = - 0,5В и UКЭ = 12В.

Определить UКБ.

 

ВАРИАНТ 3

1.Изобразить схемы включения транзистора ОБ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в инверсном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОБ. UЭБ = - 0,5В и UКБ = 9,7В.

Определить UКЭ.

 

ВАРИАНТ 4

1.Изобразить схемы включения транзистора ОБ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в режиме отсечки.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = - 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. UБЭ = 0,5В и UКЭ = - 10В.

Определить UКБ.

ВАРИАНТ 5

1.Изобразить схемы включения транзистора ОЭ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в активном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОБ. UЭБ = - 0,8В и UКБ = - 10В.

Определить UКЭ.

 

ВАРИАНТ 6

1.Изобразить схемы включения транзистора ОЭ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в режиме отсечки.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа n-p-n включен по схеме ОЭ. UБЭ = - 0,6В и UКЭ = 11В.

Определить UКБ.

ВАРИАНТ 7

1.Изобразить схемы включения транзистора ОЭ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в инверсном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = - 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОК. UБК = - 0,5В и UЭК = 9,7В.

Определить UБЭ.

 

ВАРИАНТ 8

1.Изобразить схемы включения транзистора ОЭ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в режиме насыщения.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОК. UБК = 0,5В и UЭК = - 10В.

Определить UЭБ.

ВАРИАНТ 9

1.Изобразить схемы включения транзистора ОК для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в активном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОБ. UЭБ = - 0,8В и UКБ = - 10В.

Определить UКЭ.

 

ВАРИАНТ 10

1.Изобразить схемы включения транзистора ОК для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в инверсном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = - 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа n-p-n включен по схеме ОЭ. UБЭ = - 0,6В и UКЭ = 11В.

Определить UКБ.

ВАРИАНТ 11

1.Изобразить схемы включения транзистора ОК для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в режиме отсечки.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = 10В?

3.Транзистор типа n-p-n включен по схеме ОБ. UЭБ = 0,8В и UКБ = 10В.

Определить UКЭ.

 

 

ВАРИАНТ 12

1.Изобразить схемы включения транзистора ОК для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в режиме насыщения.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. UБЭ = - 0,5В и UКЭ = 12В.

Определить UКБ.

ВАРИАНТ 13

1.Изобразить схемы включения транзистора ОЭ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в активном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = - 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОК. UБК = - 0,5В и UЭК = 9,7В.

Определить UЭБ.

 

 

ВАРИАНТ 14

1.Изобразить схемы включения транзистора ОБ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в режиме насыщения.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОК. UБК = 0,5В и UЭК = - 10В.

Определить UЭБ.

 

 

ВАРИАНТ 15

1.Изобразить схемы включения транзистора ОБ для транзисторов типов p-n-p и n-p-n. Показать полярности питающих напряжений для работы транзистора в инверсном режиме.

2.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если UБЭ = 0,4В и UКЭ = - 10В?

3.Транзистор типа p-n-p включен по схеме ОК. UБК = - 0,8В и UЭК = - 10В.

Определить UЭБ.

 

 


 

В схеме, приведенной на рисунке, транзистор имеет параметры, занесенные в таблицу.

Используя формулу закона Кирхгофа для входной цепи (эмиттер - база) и пренебрегая падением напряжения U(-v, на эмиттерном переходе, получаем формулу:

Eэ + Eб= IэRэ+ IбRб (1)

Ток базы можно найти из соотношения: Iб = Iэ(1-α)-Iкбо (2)

Подставив Iб из формулы (2) в формулу (1) и выразив из полученного равенства Iэ, подсчитать, чему равен ток эмиттера, а затем определить ток коллектора IК, используя полученное значение Iэ и формулу (3):

 

Iк= αIэ+Iкбо(3)

Вариант          
ЕЭ   2,5      
Rэ, кОм     3,5    
Eб, В   3,5     3,5
Rб,кОм          
α 0,98 0,99 0,97 0,98 0,99
I кбо, мкА          

 

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

 

Полевой транзистор с управляющим р-n переходом имеет параметры I с max и U отс, занесенные в таблицу, приведенную ниже. Определить:

1) Какой ток стока будет протекать при определенном значении обратного напряжения смещения затвор - исток?

2) Чему равна максимальная крутизна характеристики транзистора в этом случае?

 

 

При расчетах использовать формулы:

Ток стока определяется из выражения

 

Ic = Ic max (1-Uзи/Uотс)2

Максимальная крутизна характеристики полевого транзистора

Smax=2Ic max/Uотс

 

Вариант                    
Ic max, мА                    
3Uотс, В                    
Uзи, В                    

 


РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ

 

На сурьмяно-цезиевый фотоэлемент с интегральной чувствительностью Кф падает световой поток Ф. Последовательно с фотоэлементом включен резистор сопротив­лением R, с которого сигнал снимается на усилитель, управляющий реле с током срабатывания 1Р при напряжении Up. Определить коэффициенты усиления по мощности и по напряжению, если входной нагрузкой усилителя является сопротивление R и темновой ток фотоэлемента равен 0.

 

Для решении задачи использовать формулы:

 

Ток фотоэлемента Iф = Кф Ф

 

Входная мощность усилителя

Рвх=Iф2R

 

Мощность срабатывания реле

Pp=IpUp

 

Коэффициент усиления по мощности

Кр = Pp/ Pвх

Коэффициент усиления по напряжению

KU = Up /UR =UP /(Iф R)

 

Вариант            
Кф, мкА/Лм            
Ф, Лм 0.15 0.2 0,3 0,2 0,25 0,25
R, к Ом            
1р, мА            
иР, В            

 







Дата добавления: 2015-09-06; просмотров: 4294. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...

Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...

Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Лечебно-охранительный режим, его элементы и значение.   Терапевтическое воздействие на пациента подразумевает не только использование всех видов лечения, но и применение лечебно-охранительного режима – соблюдение условий поведения, способствующих выздоровлению...

Тема: Кинематика поступательного и вращательного движения. 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью, проекция которой изменяется со временем 1. Твердое тело начинает вращаться вокруг оси Z с угловой скоростью...

Условия приобретения статуса индивидуального предпринимателя. В соответствии с п. 1 ст. 23 ГК РФ гражданин вправе заниматься предпринимательской деятельностью без образования юридического лица с момента государственной регистрации в качестве индивидуального предпринимателя. Каковы же условия такой регистрации и...

Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...

Краткая психологическая характеристика возрастных периодов.Первый критический период развития ребенка — период новорожденности Психоаналитики говорят, что это первая травма, которую переживает ребенок, и она настолько сильна, что вся последую­щая жизнь проходит под знаком этой травмы...

РЕВМАТИЧЕСКИЕ БОЛЕЗНИ Ревматические болезни(или диффузные болезни соединительно ткани(ДБСТ))— это группа заболеваний, характеризующихся первичным системным поражением соединительной ткани в связи с нарушением иммунного гомеостаза...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.014 сек.) русская версия | украинская версия