Эффективное электрон-электронное взаимодействие.
Микроскопическая теория сверхпроводимости была создана в работах Купера, Бардина, Шриффера в 1957 году. Причиной возникновения сверхпроводящего состояния является взаимодействие электронов с колебаниями кристаллической решетки. За счет движения ионов кулоновское взаимодействие между электронами может переформироваться и стать эффективным притяжением между электронами, имеющими энергии вблизи поверхности Ферми. Электроны поляризуют решетку, и возникающая поляризация чувствуется другими электронами, в результате чего возникает эффективное притяжение. Строгий расчет межэлектронного взаимодействия в присутствии фононов – очень сложная задача. Будем рассматривать простейшую модель, в которой ионы описываются как набор частиц, взаимодействующих по закону Кулона как между собой, так и с электронами. Учтем экранировку взаимодействия всеми заряженными частицами в металле (электронами и ионами).
Если рассматривать только экранировку электронами, считая потенциал ионов добавкой к внешнему потенциалу и наоборот, можно получить следующее выражение:
Можно показать, что диэлектрическая проницаемость голых ионов (в отсутствии электронов) в пределе высоких частот, когда ионы ведут себя как свободные, определяется следующим выражением:
Выражение (14) можно получить из уравнения: При наличии электронов поля, созданные ионами ослабляются в
Тогда
Таким образом выражение (15) определяет взаимодействие двух электронов, разность энергий которых Второе слагаемое можно интерпретировать, как энергию взаимодействия между электронами, обусловленную виртуальным обменом фононами. Это взаимодействие соответствует притяжению, если При малых значениях Наличие электронов энергетической щели над основным состоянием приводит к устойчивости возбужденных состояний, соответствующих прохождению тока через металл, что и приводи к сверхпроводимости.
|