Рабочее задание. 3.3.1. Снять осциллографическим методом семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ Iк =f (Uкэ) при 4-х базовых токах
3.3.1. Снять осциллографическим методом семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ Iк =f (Uкэ) при 4-х базовых токах: - собрать схему, приведенную на рис. 12. - включить источник постоянного тока. Установить определенный ток базы. Получить ВАХ на экране осциллографа. Переснять ее на масштабную форматку, предварительно поместив начало характеристики в левом верхнем углу осциллографа. - Установить другие значения тока базы и зарисовать последовательно соответствующие ВАХ, помещая начала их в одной точке. - Отключить приборы в следующей последовательности: генератор сигналов, источник постоянного напряжения. Затем провести градуировку по току и напряжению по описанной методике. 3.3.2. Снять осциллографическим методом семейства статических входных характеристик транзистора в схеме с ОЭ Uбэ = f (Iб) при 4-х коллекторных напряжениях.
Рис.13 Схема для снятия входных характеристик транзистора в схеме с ОЭ и вид характеристик - Собрать схему, приведенную на рис. 13. - Включить источник постоянного напряжения. Установить определенное коллекторное напряжение. Получить ВАХ на экране осциллографа. Переснять на новую масштабную форматку. - Установить последовательно другие значения коллекторного напряжения. Последовательно зарисовать ВАХ на форматку, совмещая начала характеристик. - Отключить приборы в следующей последовательности: источник питания, генератор сигналов. Затем провести градуировку по току и напряжению (Iб=Uбэ/Rб). 3.3.3. Снять осциллографическим методом семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ Iк =f (Uкб) при 4-х значениях эмиттерного тока. - собрать схему, приведенную из рис.14. - Включить источник постоянного напряжения. Установить последовательно определенные значения тока эмиттера и зарисовать на новую форматку семейство выходных характеристик. Провести градуировку.
Рис.14 Схема для снятия выходных характеристик транзистора в схеме с ОБ и вид характеристик
Рис.15 Схема для снятия входных характеристик транзистора в схеме с ОБ и вид характеристик
3.3.4. Снять осциллографическим методом семейство статических входных характеристик транзистора в схеме с ОБ - Собрать схему, приведенную на рис.15. - Включить источник постоянного напряжения. Установить определенные значения напряжения на коллекторе и зарисовать на новую форматку семейство входных характеристик. Провести градуировку. 3.3.5. Перенести снятые семейства на миллиметровую бумагу в увеличенном масштабе. Из характеристик определить динамический диапазон по входу и выходу транзистора, включенного по схеме с ОБ и ОЭ, считая Rк =0,5 кОм. 3.3.6. Определить из характеристик H- параметры для каждой схемы включения. Сравнить их. 3.3.7. Рассчитать H- параметры транзистора для схемы с ОБ по H – параметрам, определенным экспериментально для схемы с ОЭ, и сравнить с экспериментальными H- параметрами для схем с ОБ. Отчет
Отчет должен содержать: 4.1. Исследуемые схемы, рабочие задания и методику измерений. 4.2. Форматки и графики семейства статических характеристик. 4.3. Расчеты, указанные в пунктах 3.3.5-3.3.7. Выводы.
Контрольные вопросы
5.1. Какой полярности подаются напряжения на эмиттерный и коллекторный переходы? 5.2. Что называется явлением инжекции и при каких условиях оно возникает? 5.3. Объяснить с точки зрения физических процессов передачу тока из эмиттера в коллектор. 5.4. Чем объясняется обратный ток? 5.5. Почему транзистор чаще всего характеризуют H-параметрами? 5.6. Объяснить ход статических характеристик в схемах с ОЭ и ОБ, уметь объяснить разницу. 5.7. Как выбирается рабочая точка транзистора? 5.8. Чем отличается нагрузочная прямая от динамической? Литература
6.1. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. М.: 1990. 6.2. Ушаков В.М. Электроника. М.: 1993. 6.3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: 2000. Лабораторная работа №3
|
при 4-х значениях коллекторного напряжения.
