Транзистрлардың құрылысы, вольтамперлік сипаттамасы, жұмысы.

Транзистор (ағылш. transfer — тасымалдау және resistor — кедергіш) — токты күшейтуге, түрлендіруге арналған үш электродты жартылай өткізгіш құрал. Транзисторға жіберілген аз ток (кернеу) үлкен ток ағынын басқарады.

Транзистор — электр тербелістерін күшейтуге, оны тудыруға және түрлендіруге арналып жартылай өткізгіш кристалл негізінде жасалған электрондық прибор. Электрондық лампа сияқты қызмет атқаратын транзисторлар одан өлшемінің едәуір кішілігімен, электр энергиясын тұтынудағы аса үнемділігімен, механикалық аса беріктігімен және бүлінбей ұзақ жұмыс істейтіндігімен, бірден әсер етуге әзірлігімен ерекшеленеді. Радиолампа орнына қолданылатын жартылай өткізгіш аспаптар (транзисторлар) негізінде жасалған өте кішкентай радиоқабылдағыштарды көбінесе транзисторлар деп дұрыс атамайды; оның дұрыс атауы — транзисторлы қабылдағыш немесе транзистор негізінде жасалған қабылдағыш

Транзистор дегеніміз электрлік қуатты күшейтуге қабілетті, үш және одан да көп шықпалары, бір немесе одан көп p-n өткелдері бар шала өткізгішті аспап. Олар электр тербелістерін күшейтуге, генерациялауға және түрлендіруге арналған. Тасушылардың бір немесе екі типінің де ток түзуге қатысуына байланысты, бір полюсті және екі полюсті транзисторлар болып бөлінеді.

Транзисторлардың топталуы:

 

 

5.1Сурет

а) құрылымы және жұмыс істеу принципі бойынша (5.1- сурет);

б) коллектордан таралатын ең үлкен қауіпсіз қуат бойынша:

– аз қуатты – 0,3 Вт-тан аз;

– орташа қуатты – 0,3…3 Вт;

– үлкен қуатты – 3 Вт-тан жоғары;

в) қуат бойынша көрсетілген топтардың әрқайсысындағы шектік жиілік бойынша:

– төменгі жиілікті – 3 МГц-тен аз;

– орташа жиілікті – 3…30 МГц;

– жоғары жиілікті – 30…300 МГц;

– аса жоғары жиілікті– 300 МГц-тен жоғары;

г) конструкциясы және жасалу технологиясы бойынша:

– балқытып ендірілген жазық транзисторлар;

– диффузиялық базасы бар жазық транзисторлар;

– мезатранзисторлар;

– планарлық;

– эпитаксиалды-планарлық және т.с.с;

д) жасалу материалы бойынша:

– кремнийден, германийден, галий арсенидінен жасалған;

е) өткізгіштік облыстарының өзара орналасуы бойынша– транзисторлар

n-p-n және p-n-p болып бөлінеді.