P-n өткелi бар өрiстiк транзистор. Вольтамперлiк сипаттамалары, көрсеткiштерi.

Бір p-n-ауысуы бар транзистор немесе бір өткелді транзистор дегеніміз – бұл үш шықпалары болатын аспап. Оның құрылымы өткізгіштігі n-типті тілімнен (Si -кристаллынан) жасалады. Тілімнің екі шетіне түйіспелер 6.1 а Суретте көрсетілгендей бекітіледі. Эмиттер деп аталатын р-типті аймақ диффузия көмегімен тілімнің ортасында қалыптастырылған.

а) б) в)

Егер эмиттер тізбегі айырылған (ажыратылған) болса V₁ деп белгіленген кернеудің мәні (шамасы) тілім бойымен кернеудің үлестірілуімен анықталады. Бұл үлестірілген кернеу V _EO деп белгіленген (6.1 б – Сурет). Егер V _EВ1 кернеу V _EO кернеуден асып түссе, яғни V _EВ1 >V _EO болса, онда тілім ішіне кемтіктердің инжекциясы басталады да, бұл жағдай өткізгіштіліктің өсуіне келтіреді. Осының нәтижесінде R _B1 кедергі кемиді, ал бұл өз жағынан R _B1 мен R _B2 өткелде кернеу түсуінің пайда болуына себепші болады. Сонымен, үдей түсіп өсу эффекті басталады да, R _B1 кедергі елеусіз аз шама болғанға дейін бұл эффект жүреді.

Жоғарыда 6.1 в – Суретте бірөткелді транзистор негізінде жиналған релаксациялық генератор көрсетілген. Бірөткелді транзисторлардағы генераторлар тиристорлық тұтандыру схемаларында кеңінен қолданыс тауып жүр.

Шығыс сигналдарының формасына тәуелді генераторларды екі түрге бөледі:

гармоникалық тербелістер генераторы;

релаксациялық (импульстік) тербелістер генераторы.

Гармоникалық тербелістер генераторы беретін сигналдық спектрінде бір немесе бірнеше гармоникалар болады. Релаксациялық (импульстік) генератордың шығысындағы тербелістер амплитудалары өлшеулесті болатын гармоникалардың кең спектрінен тұрады. Импульстік (релаксациялық) генераторлардың өздері де импульстердің периодты реттілік (тізбек) генераторы және импульстердің кодалық топ генераторы болып бөлінеді.