Студопедия — Задачи для самостоятельного решения. 3.1. Определить коэффициент насыщения транзистора VT2 в схеме рис
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Задачи для самостоятельного решения. 3.1. Определить коэффициент насыщения транзистора VT2 в схеме рис






3.1. Определить коэффициент насыщения транзистора VT2 в схеме рис. 2, если R 1 = 3 кОм; R 2 = 2 кОм; R 3 = 1,35 кОм; R 4 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h 21э = 20. Входные сигналы отвечают высокому уровню напряжения U вх1 = U вх2 = 2,5 В. Напряжение питания U п = 5 В. Нагрузкой схемы служат три таких же элемента, соединенных параллельно. Считать, что для открытого транзистора U бэ = 0,7 В, U кэ нас = 0,2 В.

3.2. Определить коэффициент насыщения транзистора VT3 в схеме рис. 2, если R 1 = 3 кОм; R 2 = 2 кОм; R 3 = 1,35 кОм; R 4 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h 21э = 20. Входные сигналы отвечают высокому уровню напряжения U вх1 = U вх2 = 2,5 В. Напряжение питания U п = 5 В. Нагрузкой схемы служат три таких же элемента, соединенных параллельно. Считать, что для открытого транзистора U бэ = 0,7 В, U кэ нас = 0,2 В.

3.3. Определить выходное сопротивление логического элемента ТТЛ (рис. 2) при U вх1 = U вх2 = 0,1 В. Принять, что сопротивление диода R D = 100 Ом; R 1 = 4 кОм; R 2 = 1,5 кОм; R 3 = 1 кОм; R 4 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзистора VT4 h 21э = 40. Ток, текущий из схемы в нагрузки, равен 0,8 мА. Входная характеристика транзистора VT4 изображена на рис. 6.

3.4. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). U вх1 = U вх2 = 2,8 В; R 1 = 3,5 кОм; R 2 = 1,2 кОм; R 3 = 0,3 кОм; R 4 = 400 Ом; R 5 = 4 кОм; R 6 = 50 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h 21э = 50. Входная характеристика транзисторов изображена на рис. 6. Определить токи через резисторы R 1, R 2, R 3, R 4.

3.5. В условиях задачи 3.4. определить коэффициент насыщения транзистора VT6, если ток, текущий из нагрузок на выход элемента, равен 6 мА.

3.6. В условиях задачи 3.4. определить коэффициент насыщения транзистора VT3, если ток, текущий из нагрузок на выход элемента, равен 6 мА.

 

Рисунок 6. Входная характеристика транзистора (к задачам 3.3, 3.4)

 

3.7. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). X 1 = X 2 = 0. Определить режим работы транзистора VT5 и токи через резисторы R 2, R 5, R 6, если I н = 2,2 мА; R 2 = 1 кОм; R 5 = 2,2 кОм; R 6 = 150 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h 21э = 35. Входная характеристика транзистора VT4 изображена на рис. 5. Принять, что U кэ.нас = 0,2 В.

3.8. В условиях задачи 3.7. определить выходное сопротивление логического элемента.

3.9. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). U вх1 = U вх2 = 3,6 В; R 1 = 4 кОм; R 2 = 1 кОм; R 3 = 400 Ом; R 4 = 400 Ом; R 5 = 4 кОм; R 6 = 100 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h 21э = 20. Входная характеристика транзисторов изображена на рис. 7. Определить токи через резисторы R 1, R 2, R 3, R 4.

Рисунок 7. Входная характеристика транзистора (к задачам 3.9, 3.10)

3.10. Дан элемент 2И-НЕ ТТЛ (рис. 3). U вх1 = U вх2 = 3 В; R 1 = 4,5 кОм; R 2 = 1,3 кОм; R 3 = 1,6 кОм; R 4 = 300 Ом; коэффициент передачи тока транзисторов h 21э = 40. Входная характеристика транзисторов изображена на рис. 7. Определить токи через резисторы R 1, R 2, R 3, R 4.

3.11. Сопротивление транзисторов (рис. 5) в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 40 кОм. Определить потенциал на выходе инвертора и ток через нагрузку, если нагрузка сопротивлением 400 Ом подключена между выходом элемента и клеммой U п; U п = 5 В. Напряжение на входе соответствует уровню логической единицы, т. е. X = 1.

3.12. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 40 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 400 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы в режиме холостого хода, т. е. при токе нагрузки равном нулю. U п = 5 В.

3.13. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 35 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 300 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логического нуля в режиме холостого хода, т. е. при токе нагрузки равном нулю. U п = 5 В.

3.14. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 40 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 400 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы , если нагрузка сопротивлением 2 кОм подключена между выходом инвертора и землей.

3.15. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 35 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 300 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логического нуля , если нагрузка сопротивлением 2 кОм подключена между выходом инвертора и землей.

3.16. Сопротивление транзисторов (рис. 5) в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 50 кОм. Определить потенциал на выходе инвертора и ток через нагрузку, если нагрузка сопротивлением 500 Ом подключена между выходом элемента и клеммой U п; U п = 5 В. Напряжение на входе соответствует уровню логической единицы, т. е. X = 1.

3.17. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 30 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 300 Ом и 150 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы в режиме холостого хода, т. е. при токе нагрузки равном нулю. U п = 5 В.

3.18. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 100 Ом, в закрытом – 50 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 250 Ом и 150 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логического нуля в режиме холостого хода, т. е. при токе нагрузки равном нулю. U п = 5 В.

3.19. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 200 Ом, в закрытом – 50 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 300 Ом и 150 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логической единицы , если нагрузка сопротивлением 3 кОм подключена между выходом инвертора и землей.

3.20. В инверторе на КМОП транзисторах (рис. 4) Сопротивление n -канала в открытом состоянии составляет 150 Ом, в закрытом – 35 кОм. Сопротивление p -канала равно соответственно 200 Ом и 100 кОм для открытого и закрытого транзистора. Определить выходное напряжение логического нуля , если нагрузка сопротивлением 1,5 кОм подключена между выходом инвертора и землей.

Тема 4







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 1196. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...

Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

Тема: Изучение приспособленности организмов к среде обитания Цель:выяснить механизм образования приспособлений к среде обитания и их относительный характер, сделать вывод о том, что приспособленность – результат действия естественного отбора...

Тема: Изучение фенотипов местных сортов растений Цель: расширить знания о задачах современной селекции. Оборудование:пакетики семян различных сортов томатов...

Тема: Составление цепи питания Цель: расширить знания о биотических факторах среды. Оборудование:гербарные растения...

Основные структурные физиотерапевтические подразделения Физиотерапевтическое подразделение является одним из структурных подразделений лечебно-профилактического учреждения, которое предназначено для оказания физиотерапевтической помощи...

Почему важны муниципальные выборы? Туристическая фирма оставляет за собой право, в случае причин непреодолимого характера, вносить некоторые изменения в программу тура без уменьшения общего объема и качества услуг, в том числе предоставлять замену отеля на равнозначный...

Тема 2: Анатомо-топографическое строение полостей зубов верхней и нижней челюстей. Полость зуба — это сложная система разветвлений, имеющая разнообразную конфигурацию...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.007 сек.) русская версия | украинская версия