Тринистор
Прибор имеет дополнительный вывод от управляющего электрода, от n1 или р2 (рисунок 7.4) – обычно от тонкой базы n1 (α ≈1). Поэтому возможно управление моментом включения прибора. На рисунке 7.5 приведена ВАХ тиристора. Здесь Iу ‑ ток управления, при Iy0 характеристика совпада С увеличением Iу увеличивается α, Мα = 1 наступает раньше при меньшем Uвкл. При некотором Iу участок отрицательного сопротивления исчезает и получается спрямленная характеристика.
Обычные триодные тиристоры не запираются с помощью управляющей цепи, необходимо уменьшить ток в тиристоре до тока удерживающего или до тока выключения. Используются разновидности: а) запираемые триодные тиристоры – запираются при подаче через управляющий электрод короткого импульса Uобр на эмиттерный переход; б) симисторы или симметричные тиристоры проводят ток в оба направления.
На рисунке 7.6,а) приведена структура симметричного динистора – диака, а на рисунке 7.6,б) ‑ его вольт-амперная характеристика.
В таблице 6.1 приведены условные графические обозначения тиристоров.
Таблица 6.1
7. 3Однопереходный транзистор Однопереходный транзистор ‑ это полупроводниковый прибор с одним р-n переходом и тремя выводами. Также называется двухбазовым диодом, т.к. он имеет один р-n переход и два базовых вывода, но это менее точное название. Представляет собой кристалл n -типа (база), в котором создается эмиттерная область р -типа. Однопереходный транзистор напоминает по структуре полевой транзистор с управляющим p-n переходом, но принцип действия другой. Здесь база не является каналом, меняющим свое сопротивление за счет изменения площади поперечного сечения.
Вольт-амперная характеристика транзистора IЭ = f(Uэ)|
На участке 0А напряжение UБ> 0, 0 ≤ UЭ ≤ UБ1, переход (ЭБ1) смещен в обратном направлении и течет ток IЭ0, причем при увеличении UЭ ток IЭ0 уменьшается. В точке А ток IЭ0 = 0 при UЭ0 = UБ1. На участке АВ (UЭ > UЭ0) р-n переход смещается в прямом направлении и течет прямой ток IЭ, который увеличивается с ростом UЭ.
На участке ВС резко увеличивается IЭ, уменьшается UЭ, это участок отрицательного сопротивления. В точке С, когда слой Б1 насыщается зарядами, его сопротивление перестает уменьшаться. На участке СД ток Iэ увеличивается из-за увеличения Uэ. При увеличении IЭ ВАХ смещается параллельно вправо, при уменьшении UБ ‑ влево, при UБ = 0 ‑ совпадает с характеристикой диода. На рисунке 7.3 приведена схема включения транзистора. Однопереходные транзисторы используются как ключевые элементы в генераторах, переключателях, усилительных устройствах. Достоинствами прибора являются простота и стабильность UЭВКЛ . Недостатки – низкое быстродействие (100…300 кГц), большие мощность рассеивания и остаточное напряжение, несовместимость по уровню сигналов с другими дискретными элементами.
|
ет с характеристикой динистора. Изменяя Iу, можно менять Uвкл независимо от внешнего напряжения.
Достоинством тиристора является возможность управления моментом его включения. Применяются тиристоры в импульсных схемах, усилителях, генераторах, выпрямителях и др.
Участки n -базы мысленно разделим на верхнюю Б2 и нижнюю Б1. Участок базы Б1 – р-n переход – эмиттер Э выполняют роль диода. Участок базы Б2 – плечо в делителе напряжения смещения Uб.
=const приведена на рисунке 7.2.
В точке 0 при UБ > 0 и Uэ = 0 через Б1 и Б2 течет небольшой ток смещения и создает падение напряжения UБ1 на участке базы Б1, которое является обратным для эмиттерного перехода. Через переход течет обратный ток IЭ0.
В точке В при протекании прямого тока IЭ в базе Б1 идет накопление носителей, сопротивление RБ1 и напряжение UБ1 уменьшаются, а уменьшение UБ1 равносильно увеличению UЭ относительно Б1. При UЭ = UВКЛ этот процесс идет лавинообразно: допустим IЭ увеличивается, тогда RБ1 уменьшается, уменьшается UБ1, Uэ увеличивается, уменьшается потенциальный барьер φк, увеличивается инжекция и ток Iэ, уменьшается RБ1 и т. д.
