Студопедия — Тринистор
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Тринистор






Прибор имеет дополнительный вывод от управляющего электрода, от n1 или р2 (рисунок 7.4) – обычно от тонкой базы n1 (α ≈1). Поэтому возможно управление моментом включения прибора. На рисунке 7.5 приведена ВАХ тиристора. Здесь Iу ‑ ток управления, при Iy0 характеристика совпада ет с характеристикой динистора. Изменяя Iу, можно менять Uвкл независимо от внешнего напряжения.

С увеличением Iу увеличивается α, Мα = 1 наступает раньше при меньшем Uвкл. При некотором Iу участок отрицательного сопротивления исчезает и получается спрямленная характеристика.

 

Достоинством тиристора является возможность управления моментом его включения. Применяются тиристоры в импульсных схемах, усилителях, генераторах, выпрямителях и др.

Обычные триодные тиристоры не запираются с помощью управляющей цепи, необходимо уменьшить ток в тиристоре до тока удерживающего или до тока выключения.

Используются разновидности:

а) запираемые триодные тиристоры – запираются при подаче через управляющий электрод короткого импульса Uобр на эмиттерный переход;

б) симисторы или симметричные тиристоры проводят ток в оба направления.

 

На рисунке 7.6,а) приведена структура симметричного динистора – диака, а на рисунке 7.6,б) ‑ его вольт-амперная характеристика.

 

 

В таблице 6.1 приведены условные графические обозначения тиристоров.

 

Таблица 6.1

Наименование прибора Обозначение
Динистор
Тиристор с управлением по тонкой базе
Тиристор с управлением по толстой базе
Запираемый тиристор с управлением по тонкой базе
Запираемый тиристор с управлением по толстой базе
Диак
Триак
     

7. 3Однопереходный транзистор

Однопереходный транзистор ‑ это полупроводниковый прибор с одним р-n переходом и тремя выводами. Также называется двухбазовым диодом, т.к. он имеет один р-n переход и два базовых вывода, но это менее точное название. Представляет собой кристалл n -типа (база), в котором создается эмиттерная область р -типа. Однопереходный транзистор напоминает по структуре полевой транзистор с управляющим p-n переходом, но принцип действия другой. Здесь база не является каналом, меняющим свое сопротивление за счет изменения площади поперечного сечения.

Участки n -базы мысленно разделим на верхнюю Б2 и нижнюю Б1. Участок базы Б1 – р-n переход – эмиттер Э выполняют роль диода. Участок базы Б2 – плечо в делителе напряжения смещения Uб.

Вольт-амперная характеристика транзистора IЭ = f(Uэ)| =const приведена на рисунке 7.2.

В точке 0 при UБ > 0 и = 0 через Б1 и Б2 течет небольшой ток смещения и создает падение напряжения UБ1 на участке базы Б1, которое является обратным для эмиттерного перехода. Через переход течет обратный ток IЭ0.

На участке 0А напряжение UБ> 0, 0 ≤ UЭ ≤ UБ1, переход (ЭБ1) смещен в обратном направлении и течет ток IЭ0, причем при увеличении UЭ ток IЭ0 уменьшается.

В точке А ток IЭ0 = 0 при UЭ0 = UБ1.

На участке АВ (UЭ > UЭ0) р-n переход смещается в прямом направлении и течет прямой ток IЭ, который увеличивается с ростом UЭ.

В точке В при протекании прямого тока IЭ в базе Б1 идет накопление носителей, сопротивление RБ1 и напряжение UБ1 уменьшаются, а уменьшение UБ1 равносильно увеличению UЭ относительно Б1. При UЭ = UВКЛ этот процесс идет лавинообразно: допустим IЭ увеличивается, тогда RБ1 уменьшается, уменьшается UБ1, увеличивается, уменьшается потенциальный барьер φк, увеличивается инжекция и ток Iэ, уменьшается RБ1 и т. д.

На участке ВС резко увеличивается IЭ, уменьшается UЭ, это участок отрицательного сопротивления.

В точке С, когда слой Б1 насыщается зарядами, его сопротивление перестает уменьшаться.

На участке СД ток Iэ увеличивается из-за увеличения .

При увеличении IЭ ВАХ смещается параллельно вправо, при уменьшении UБ ‑ влево, при UБ = 0 ‑ совпадает с характеристикой диода.

На рисунке 7.3 приведена схема включения транзистора.

Однопереходные транзисторы используются как ключевые элементы в генераторах, переключателях, усилительных устройствах.

Достоинствами прибора являются простота и стабильность UЭВКЛ .

Недостатки – низкое быстродействие (100…300 кГц), большие мощность рассеивания и остаточное напряжение, несовместимость по уровню сигналов с другими дискретными элементами.

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 597. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...

Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...

Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Измерение следующих дефектов: ползун, выщербина, неравномерный прокат, равномерный прокат, кольцевая выработка, откол обода колеса, тонкий гребень, протёртость средней части оси Величину проката определяют с помощью вертикального движка 2 сухаря 3 шаблона 1 по кругу катания...

Неисправности автосцепки, с которыми запрещается постановка вагонов в поезд. Причины саморасцепов ЗАПРЕЩАЕТСЯ: постановка в поезда и следование в них вагонов, у которых автосцепное устройство имеет хотя бы одну из следующих неисправностей: - трещину в корпусе автосцепки, излом деталей механизма...

Понятие метода в психологии. Классификация методов психологии и их характеристика Метод – это путь, способ познания, посредством которого познается предмет науки (С...

Ученые, внесшие большой вклад в развитие науки биологии Краткая история развития биологии. Чарльз Дарвин (1809 -1882)- основной труд « О происхождении видов путем естественного отбора или Сохранение благоприятствующих пород в борьбе за жизнь»...

Этапы трансляции и их характеристика Трансляция (от лат. translatio — перевод) — процесс синтеза белка из аминокислот на матрице информационной (матричной) РНК (иРНК...

Условия, необходимые для появления жизни История жизни и история Земли неотделимы друг от друга, так как именно в процессах развития нашей планеты как космического тела закладывались определенные физические и химические условия, необходимые для появления и развития жизни...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия