Оптроны
8.4.1 Элементарный оптрон – пара с фотонной связью Оптрон - это активный элемент, сочетающий источник света и согласованный с ним фотоприемник, в котором внешний электрический сигнал преобразуется в оптический, усиливается, затем снова преобразуется в электрический, либо наоборот, но обязательно коэффициент усиления должен быть больше единицы. Основное достоинство – возможность разделения входной и выходной цепей, т.е. имеет место гальваническая или оптическая развязка.
Оптроны подразделяются на два вида: а) оптрон с внешней фотонной связью и внутренней электрической. На рисунке 8.14 ФП – фотоприемник, У – усилитель электрических сигналов, ИС – источник света.
Если ВВЫХ > ВВХ при одинаковом спектральном составе, то имеет место гомохроматическое усиление излучения, при ВВЫХ > ВВХ и разных спектрах – гетерохроматическое усиление или преобразование излучения. Можно преобразовывать одну длину волны в другую. При оптических ФП и ИС происходит усиление света.
Оптрон – основа оптоэлектронных усилителей и преобразователей изображения. Изображение на входе матрицы, состоящей из большого числа оптронов, будет на выходе усилено или преобразовано (например, невидимое в видимое);
Здесь ИС – источник света, С – световод, ФП – фотоприемник. Все это помещено в герметичный светонепроницаемый корпус. Электрический сигнал преобразуется в оптический, усиливается и вновь преобразуется в электрический. Оптроны используются для преобразования, усиления, генерирования, формирования электрического сигнала и т.д. Если оптрон имеет один излучатель и один приемник, он называется оптопарой или элементарным оптроном. Микросхема из нескольких оптопар с дополнительными согласующими и усилительными устройствами называется оптоэлектронной интегральной микросхемой. Достоинствами оптронов являются: а) электрическая развязка приемника и излучателя; б) широкая полоса частот (0…1014 Гц); в) повышенная помехозащищенность от внешних электромагнитных полей; г) возможность совмещения с другими полупроводниковыми приборами. К недостаткам относятся: а) большая потребляемая мощность; б) невысокая температурная стабильность и радиационная стойкость; в) старение и изменение параметров; г) высокий уровень собственных шумов.
8.4.2 Разновидности оптронов В основном в качестве источника света в а) резисторная оптопара (рисунок 8.17,а), в которой источник света – светодиод, фотоприемник – фоторезистор из селенида кадмия, сульфида кадмия или свинца;
б) диодный оптрон (рисунок 8.17,б) представляет сочетание светодиода (GaAs) с фотодиодом (Si); в) фотоварикапный оптрон (рисунок 8.17,в); г) транзисторный оптрон – арсенидгаллиевый светодиод с кремниевым фототранзистором (рисунок 8.17,г); д) оптрон с составным транзистором, у него выше чувствительность, но мало быстродействие (рисунок 8.17, д); е) транзисторный оптрон с диодом (рисунок 8.17,е), быстродействие выше, чем у предыдущего оптрона; ж) оптрон с однопереходным транзистором (рисунок 8.17,з). Однопереходный фототранзистор можно использовать: 1)как фоторезистор при включении только баз; 2) как фотодиод при включении только эмиттерного перехода; 3) как однопереходный транзистор при включении всех трех электродов; и) оптрон с полевым транзистором имеет хорошие линейные выходные характеристики, удобен для использования в аналоговых схемах; к) тиристорный оптрон. От фоторезисторных и фотодиодных оптронов отличается высокой нагрузочной способностью при повышенных рабочих напряжениях. Оптоэлектронные интегральные схемы (ОЭ ИС) имеют оптическую связь между отдельными компонентами. В этих микросхемах на основе диодных, транзисторных и тиристорных оптопар кроме источников света и фотоприемников содержатся устройства для обработки сигналов от фотоприемника. Особенность ОЭ ИС ‑ однонапрвленная передача сигнала и отсутствие обратной связи. Техника оптоэлектронных приборов перспективна и непрерывно развивается. Список использованной литературы 1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2000. – 488 с. 2. Пасынков В.П., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. 5-е издание. – СПб.: Лань, 2006. – 479 с. 3. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Полупроводниковые приборы и их применение - Вып. 5. ‑ М.: Альтекс, 2004. ‑ 304 с. 4. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с. 5. Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов В.Т. Электронные приборы: Учебник для вузов. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 416 с. 6. Бериков А.Б., Ордабаев Б.О. Полупроводниковые приборы. – Алматы: АЭИ, 1992. – 136 с. 7. Лачин В.И., Савельев Н.С. Электроника: Учебное пособие. – Ростов- на-Дону: Феникс, 2000. – 448 с. 8. Гусев В.Г., Гусев М.Ю. Электроника. – М.: Высшая школа, 1991. – 495 с. 9. Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств. – СПб.: Лань, 2001. – 470 с. 10. Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр.отд-ние, 1989. – 352 с. 11. Носов Ю.Р., Сидоров А.С. Оптроны и их применение. – М.: Радио и связь, 1991. – 280 с.
Тамара Маруповна Жолшараева
Микроэлектроника. Полупроводниковые приборы
Редактор Ж.М.Сыздыкова
Сдано в набор _________ Бумага типографская №2 Подписано в печать____________
Копировально – множительное бюро Алматинского института энергетики и связи 050013, Алматы, Байтурсынова, 126 АЛМАТИНСКИЙ ИНСТИТУТ ЭНЕРГЕТИКИ И СВЯЗИ КАФЕДРА
УТВЕРЖДАЮ Проректор по УМР ___________ Сериков Э.А «____» ___________2006 г.
|