Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Биполярные транзисторы





а
Биполярным транзисторам называется полупроводниковый прибор с двумя p-n - переходами. Он имеет трехслойную структуру п-р-п (рис. 1.8, а) или р-п-р - типа (рис. 1.8,б).

б
Средняя область между двумя р-n - переходами называется базой. Толщина ее делается достаточно малой. Соседние области называются эмиттером и коллектором. Соответственно р-n - переход эмиттер - база называется эмиттерным, а переход база - коллектор - коллекторным. Биполярные транзис­торы, выпускаемые промышленностью, выполнены на основании кремния и германия. Наибольшее применение в современной аппаратуре получили кремниевые транзисторы.

Различают следующие режимы транзистора:

§ режим отсечки токов (режим закрытого транзистора), когда оба перехода смещены в обратном направлении (закрыты), токи в транзисторе малы;

§ режим насыщения (режим открытого транзистора), когда оба перехода смещены в прямом направле­нии, токи в транзисторах максимальны и не зависят от его параметров;

§ активный режим, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный - в обратном.

На ток I k переданный из цепи эмиттера в цепь коллектора, накладывается об­рат­ный (тепловой) ток I ко коллекторного перехода. Та­ким образом, формулу для коллекторного тока мож­но записать в виде

I k=a I э+ I кo

При работе транзистора в активном режиме внешние напряжения прикладываются между эмиттером и базой и между коллектором и базой. При этом потенциал базы остается неизменным. Такой режим соответствует включению транзистора по схеме с общей базой (ОБ) (рис. 2.9, а). Управляющим током в этой схеме является ток эмиттера, управляемым - ток коллектора.

Кроме схемы ОБ получили широкое применение схемы включения транзистора с общим эмиттером ОЭ (рис. 2.11, а) и общим коллектором ОК (рис. 2.11, 6). Вольт-ам­пер­ными для любой из схем включения являются входные и выходные характеристики.

Рассмотрим вольт-амперные харак­те­рис­тики n-р-n - транзисторов как наиболее широко применяемых (для р-n-р - транзисторов необ­ходимо изменить знаки напряжений и токов на противоположные). Входные харак­терис­тики для схемы с общей базой (см. рис. 2.9, 6) представляют собой зависимости I э = f (Uэб) при U кб =const, а выходные (см. рис. 2.9, в) - зависимости Iк= f(Uкб) при I э =const. Для нормального активного режима выходные характеристики представляют собой семейство параллельных прямых.

В схеме с oбщим эмиттером управляющим током является ток базы. Поэтому входной характеристикой будет зависимость I б= f (U бэ) при фиксированном напряжении между коллектором и эмиттером U кэ (рис. 2.11, в ), а выходной - зависимость I к= f (U кэ) при фиксированном значении тока азы (р ис. 2.11, г). В активном режиме идеализированные выходные характеристики представляют собой параллельные прямые, описываемые уравнением

I k=b I Б+(1+b) I ko,

где b =a/(1- a ) -коэффициент передачи тока базы в коллектор.

Значение коэффициента b много больше единицы. Обычно b = 20 200, а для некоторых типов транзисторов достигает 1000 и более. Реальные характеристики имеют наклон. Ток I к возрастает с увеличением Uкэ. Для оценки реальной зависимости I к = f(U кэ) в активном режиме вводится параметр — дифференциальное сопротивление коллектора в схеме с ОЭ . В схеме с общим коллектором управляющим током является ток базы, а управляемым - ток эмиттера. Вольт-амперные характеристики транзистора в этой схеме практически такие же, как и в схеме с ОЭ, поскольку ток коллектора практически равен току эмиттера.

Выпускаемые промышленностью биполярные транзисторы классифицируют в основном по максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторном переходе Р кmax, максимальному напряжению между коллектором и эмиттером U кэmах и максимальному току коллектора I кmaх.







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 498. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Вычисление основной дактилоскопической формулы Вычислением основной дактоформулы обычно занимается следователь. Для этого все десять пальцев разбиваются на пять пар...


Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...


Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...


Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...

Условия приобретения статуса индивидуального предпринимателя. В соответствии с п. 1 ст. 23 ГК РФ гражданин вправе заниматься предпринимательской деятельностью без образования юридического лица с момента государственной регистрации в качестве индивидуального предпринимателя. Каковы же условия такой регистрации и...

Седалищно-прямокишечная ямка Седалищно-прямокишечная (анальная) ямка, fossa ischiorectalis (ischioanalis) – это парное углубление в области промежности, находящееся по бокам от конечного отдела прямой кишки и седалищных бугров, заполненное жировой клетчаткой, сосудами, нервами и...

Основные структурные физиотерапевтические подразделения Физиотерапевтическое подразделение является одним из структурных подразделений лечебно-профилактического учреждения, которое предназначено для оказания физиотерапевтической помощи...

Общая и профессиональная культура педагога: сущность, специфика, взаимосвязь Педагогическая культура- часть общечеловеческих культуры, в которой запечатлил духовные и материальные ценности образования и воспитания, осуществляя образовательно-воспитательный процесс...

Устройство рабочих органов мясорубки Независимо от марки мясорубки и её технических характеристик, все они имеют принципиально одинаковые устройства...

Ведение учета результатов боевой подготовки в роте и во взводе Содержание журнала учета боевой подготовки во взводе. Учет результатов боевой подготовки - есть отражение количественных и качественных показателей выполнения планов подготовки соединений...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.009 сек.) русская версия | украинская версия