Оптические свойства наноструктур

Интерес к исследованию оптических свойств квантовых точек (КТ) обусловлен ярко выраженной практической направленностью и рядом преимуществ таких объектов по сравнению с двумерными квантовыми долинами. Особенностью КТ является, во-первых, возможность управления спектральной полосой фотоотклика путем предварительного заселения дискретных состояний с требуемой энергией переходов; во-вторых, наличие латерального квантования в нуль-мерных системах снимает запрет на оптические переходы, поляризованные в плоскости фотоприемника, а значит, предоставляет возможность осуществить поглощение света при нормальном падении фотонов; в-третьих, в КТ ожидается сильное увеличение времени жизни фотовозбужденных носителей вследствие так называемого эффекта «узкого фононного горла» (phonon bottleneck effect).

Поглощение в инфракрасном диапазоне излучения. Поглощение фотонов инфракрасного (ИК) спектрального диапазона в многослойных гетероструктурах Ge-Si с самоорганизующимися КТ изучалось в работах [43, 44]. Размеры островков в обоих случаях составляли ~40-50 нм в основании и 2-4 нм высотой. Плотность островков ~10⁸ см^-2. Авторы [43] использовали подлегирование островков Ge бором с тем, чтобы заселить основное состояние КТ дырками. В спектрах поглощения в области длин волн 5-6 мкм наблюдалась широкая (~100 мэВ) линия, амплитуда которой сильно уменьшалась при переходе к поляризации света, перпендикулярной плоскости слоев, и была объяснена переходами между двумя низшими уровнями поперечного квантования тяжелых дырок в КТ.

В работе [44] для активизации оптических переходов внутри нелегированной КТ использовалась дополнительная световая накачка. Фотоиндуцированное поглощение, поляризованное параллельно плоскости слоев, имело асимметричный максимум в районе 4.2 мкм и связывалось с переходом дырок из основного состояния КТ в делокализованные состояния валентной зоны. Необычайно высоким оказалось определенное авторами [44] значение сечения поглощения (2×10^-13 см²), что превышает по крайней мере на порядок известные сечения фотоионизации для локальных центров в Si и на 3 порядка превышает аналогичную величину для КТ InAs-GaAs. Эти данные свидетельствуют о перспективности системы Ge-Si для ИК детекторов.

Фотопроводимость. Впервые о регистрации фототока, генерированного фотонами с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны кремния, в гетероструктурах Ge/Si с КТ сообщалось в работах [45, 46]. Возможность реализации фотоприемника с КТ, перестраиваемого под ближний и средний ИК диапазоны, была продемонстрирована в работе [47]. Фотоприемник представлял собой кремниевый pin -диод, в базу которого был введен двумерный массив нанокластеров Ge. Средний латеральный размер КТ составлял 15 нм, высота 1,5 нм. Спектры фототока при различном обратном смещении показаны на рис. 5.22.

В образце со сплошной пленкой Ge (6 МС) фотоотклик отсутствовал. В структуре с КТ при энергиях, меньших края собственного поглощения в кремнии (~1.12 эВ), наблюдались два максимума на длинах волн 1.7 и 2.9 мкм. Интенсивность обоих максимумов сильно зависела от величины обратного смещения, причем эти зависимости коррелировали между собой. А именно, при увеличении смещения до величины 1,4 В происходило исчезновение отклика в среднем ИК диапазоне (при 2.9 мкм, линия Т ₁), и появлялся сигнал в ближней ИК области спектра (при 1.7 мкм, линия Т ₂). Значение энергии в максимуме Т ₁(430 мэВ) соответствует энергии залегания основного состояния дырки в КТ. Поэтому процесс Т ₁был идентифицирован как переход дырки из основного состояния, локализованного в КТ, в делокализованные состояния валентной зоны. По мере увеличения обратного смещения дырочные уровни в КТ заполняются электронами. В области напряжений около 1,4 В происходит полная разрядка КТ дырками, и переход Т ₁становится «запрещенным». Начиная с этого момента, возникает возможность межзонных переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости (процесс Т ₂). Поскольку исследуемая система относится к гетероструктурам второго рода (дырки локализуются в областях Ge, в то время как для электронов области Ge представляют собой потенциальный барьер), то межзонный оптический переход является непрямым в координатном пространстве и сопровождается перебросом электрона из Ge в Si. Энергия перехода должна определяться разницей между шириной запрещенной зоны Si (1,12 эВ) и энергией дырочного состояния в КТ Ge (0,43 эВ), т.е. равняться 700 мэВ, что согласуется с экспериментальным положением линии Т ₂(»730 мэВ).

Фотолюминесценция. Традиционно для контроля формирования слоев самоорганизующихся КТ используют измерения спектров фотолюминесценции (ФЛ), позволяющие определить энергии основного и возбужденных состояний в КТ. Для гетеросистемы InAs/GaAs было показано, что энергия свечения КТ определяется эффективной толщиной осажденного слоя InAs и, следовательно, размером КТ. Во многих работах, посвященных эпитаксии структур Ge-Si, также приводятся результаты измерения ФЛ в качестве иллюстрации «рождения» и эволюции КТ. С формированием островков Ge связывают появление в спектрах ФЛ полосы в районе
800–900 мэВ. Ширина этой полосы составляет десятки мэВ, и лишь в работе [48] наблюдались узкие (~2–10 мэВ) линии ФЛ, наблюдение которых объяснялось образованием массива однородных по размеру (~3%) КТ. Тем не менее, интерпретация спектров ФЛ для структур Ge-Si, на наш взгляд, не лишена противоречий. На рис. 5.23 приведено положение пика ФЛ, отнесенного авторами к островкам Ge, как функция латерального размера нанокластеров. В отличие от системы InAs/GaAs в данном случае не наблюдается явной зависимости энергии излучающих переходов от размера КТ, тогда как разумно было ожидать, что с увеличением размеров максимум ФЛ будет сдвигаться в низкоэнергетическую область спектра вследствие уменьшения энергии размерного квантования в островках. Кроме того, удивительными кажутся данные работы [49], в которой наблюдалось свечение с энергией, большей ширины запрещенной зоны кремния (крайняя левая точка на рис. 5.23). Все эти обстоятельства не имеют сложившегося в настоящий момент удовлетворительного объяснения и стимулируют проведение детальных дальнейших исследований механизмов фотолюминесценции структур Ge-Si.