Принципиальная электрическая схема измерений. 3.2.Рассчитать цену деления измерительных приборов и записать в Табл.1
3.2.Рассчитать цену деления измерительных приборов и записать в Табл.1 Табл.1
.3.5. Снять входные характеристики транзистора для чего: 3.5.1. Установить напряжение источника Е2 0…15В по вольтметру PV2 Uкэ= 0В. 3.5.2. Изменяя значения Uбэ на источнике Е1 0…3 В по PV1 согласно табл.2 и записывать значения Iб помиллиамперметру РА1. 3.5.3. Аналогично измерение Iб произвести при Uкэ= 10В. 3.6. Снять выходные характеристики транзистора для чего: 3.6.1.Установить на источнике Е1 0…3 В помиллиамперметру РА1 Iб= 0,1мА 3.6.2. Изменяя значения Uкэ на источнике Е1 0…15 В по PV2 согласно табл.2 и записывать значения Iк помиллиамперметру РА2 3.6.3.. Аналогично измерение Iк произвести при Iб= 0,3мА Таблица 2. измерений и расчетов.
5. Расчетные формулы: h 11= ∆ Uбэ/ ∆ Iб Ом при Uкэ= const; h 12= ∆ Uбэ/ ∆ Uкэ при Iб=const; h21= ∆ Iк/ ∆ Iб при Uкэ= const; h 22= ∆ Iк / ∆ Uкэ при Iб=const 6. По данным замеров и расчетов построить графики зависимостей: Iб = f (Uбэ); Iк = f (Uкэ) 7. Отчет должен содержать: 7.1. Наименование работы 7.2. Цель работы 7.3. Графики 7.4. Ответы на контрольные вопросы К каждому отчету должна прилагаться ксерокопия описания лабораторной работы. 8.Контрольные вопросы: .8.1.Поясните структуру биполярных транзисторов, наименование и назначение электродов. 8.2. Типы биполярных транзисторов по структурному построению, наименование переходов, их условное графическое обозначение. 8.3. Приведите схемы включения транзисторов с ОБ, ОЭ, ОК. Приведите формулы и величины коэффициентов усиления по току и напряжению и применение этих схем включения.
Литература 1. «Электротехника и электроника» под редакцией Б.И. Петленко Москва «Академия» 2007 год. 2. М.В. Немцов, М. Л. Немцова «Электротехника и электроника» Москва «Академия» 2007 год. 3. Ф.Е. Евдокимов. Общая электротехника. Учебник. М.: Высшая школа, 1990г. 4. Ю.П. Черкасов, Э.М. Моисеевич. Учебное пособие. Электротехника и электрооборудование киноустановок. М.: Высшая школа, 1991 г. 5. Л. А. Частоедов. Электротехника. Учебник. М.: Высшаяшкола, 1989 г. 6.Е.О. Федосеева «Основы электроники и микроэлектроники» М., Высшая школа, 1990г
Преподаватель Губская Н. А. Лаборатория электронной техники Лабораторная работа № 4 Полевой транзистор Цель работы. Изучить свойства полевого транзистора.Снять и исследовать стоковые и стоко-затворную характеристики. Рассчитать основные параметры.
Оборудование лабораторного стенда СЛИ -1 В соответствии с приведенной принципиальной электрической схемой 3. Порядок выполнения работы. 3.1 Собрать принципиальную электрическую схему.
|