Модуляторы на варикапах
Используют автотрансформаторную или емкостную связь модулятора с контуром автогенератора. Приводимые ниже формулы справедливы при следующих условиях: а) динамическая составляющая емкости модулятора, пересчитанная в контур автогенератора, гораздо меньше контурной емкости автогенератора б) переход закрыт, т.е. сумма амплитуд модулирующего и высокочастотного напряжений, приложенных р-п- переходу, не превышает напряжения смещения на переходе в) амплитуда модулирующего напряжения значительно меньше напряжения смещения на варикапе UMO=
г) частота модулирующего сигнала значительно меньше генерируемой частоты На рис. 4.4 показаны временные диаграммы постоянного UMO= Рис. 4.4. Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики варикапа и действующие на нем напряжения
· Амплитуда изменения емкости модулятора
· Резонансное сопротивление колебательного контура автогенератора при подключенном варикапе
где
Схема с емкостной связью частотного модулятора с контуром автогенератора показана на рис. 4.5. · Емкость модулятора (варикапа), пересчитанная в контур автогенератора, равна
где Рис. 4.5. Емкостная связь частотного модулятора с контуром автогенератора
· Крутизна модуляционной характеристики
· Коэффициенты нелинейных искажений по второй и третьей гармоникам сигнала при
Два последних расчетных соотношения удобно использовать при экспериментальном определении коэффициента Так как варикапы являются элементами колебательной системы автогенератора, они, кроме полезного изменения частоты колебаний, вносят определенный вклад в температурную нестабильность частоты автогенератора и вызывают появление паразитной амплитудной модуляции (ПАМ), которая в этом случае наиболее опасна, так как непосредственно преобразуется в паразитную частотную модуляцию за счет сильного влияния амплитуды колебаний на частоту. Кроме того, нелинейная зависимость барьерной емкости варикапа от модулирующего напряжения приводит к появлению гармоник частот модуляции, т.е. нелинейных искажений. Рассмотрим эти процессы подробнее. При подаче на варикап управляющего напряжения происходит изменение емкости варикапа и, соответственно, резонансной частоты контура с варикапом и частоты автоколебаний. Изменение резонансной частоты контура с варикапом неизбежно сопровождается изменением характеристического сопротивления контура Одним из способов уменьшения влияния амплитуды Рис. 4.6. Частотный модулятор со встречновключенными варикапами уменьшением в 2 раза амплитуды напряжения
4.2. Описание лабораторного стенда РПУ -1 Структурная схема стенда приведена на рис.4.7. Он состоит из стойки с источниками питания и измерительными приборами и сменного блока с исследуемым автогенератором и модуляторами, размещенными в правом отсеке блока. Модулятор с одним варикапом М1 может иметь три коэффициента включения в контур АГ (р=0, 6; 0, 4 и 0, 3), что соответствует положениям переключателя П1 – 1, 2 и 3. Модулятор М2 на встречновключенных варикапах имеет один коэффициент включения р=0, 4 (П1-4), такой же как для модулятора М1 в положении 2. В положении 5 к контуру подключена постоянная емкость, т.е. автогенератор не управляется по частоте. На передней панели стойки размещены стрелочные измерительные приборы (см.рис. 4.8): прибор №1 показывает величину амплитуды напряжения прибор №2 показывает напряжение смещения прибор №3 показывает величину амплитуды напряжения прибор №5 показывает знак и величину постоянного тока, протекающего через модулятор (варикап). Вся шкала прибора соответствует Показания приборов №1 и №3 позволяют экспериментально определить коэффициент включения модулятора в контур АГ Рис. 4.7. Структурная схема лабораторного стенда Измерение частоты производится цифровым частотомером Ч3-33, Ч3-67 или другого типа. Звуковой генератор (ЗГ) типа Г3-33 используется для подачи гармонического модулирующего напряжения на варикапы. Оценка коэффициента ПАМ и наблюдение осциллограмм колебаний осуществляется с помощью осциллографа С1-55, С1-83 или другого типа. Принципиальная схема стенда приведена на рис.4.8. Автогенератор собран по схеме Клаппа с заземленной базой. Частота автоколебаний выбрана близкой к 1 МГц. Модулятор М2 со встречновключенными диодами выполнен на двух парах диодов того же типа, что использованы в модуляторе М1. В такой схеме средняя емкость модулятора М2 близка к средней емкости модулятора М1. Амплитуда колебаний АГ регулируется изменением напряжения смещения на базе транзистора. (E+10+…+25В).
|