Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Параметры варикапов





Эквивалентная схема варикапа показана на рис. 4.1, где обозначено:

C – нелинейная емкость перехода;

R – сопротивление, шунтирующее переход. У германиевых приборов это сопротивление достигает 1...10 МОм, а у кремниевых – более 10 МОм. Величина этого сопротивления резко уменьшается при повышении температуры;

r – последовательное сопротивление, состоящее из сопротивлений толщи проводника, контактных соединений и выводов диода;

Lв – индуктивность выводов (в основном индуктивность токоподводящих проводников);

Cк – емкость корпуса (обычно Ск < < С).

Рис. 4.1. Эквивалентная схема варикапа

Барьерная емкость перехода равна ,

где – напряжение смещения (положительное для случая обратных смещений на переходе);

– емкость при =0;

– контактная разность потенциалов, равная 0, 11...0, 4В для германиевых диодов и 0, 7...0, 8 В для кремниевых;

– показатель степени, зависящий от типа варикапа. Для варикапов с плавным переходом =0, 3; с резким = 0, 5; со сверхрезким .

Коэффициент перекрытия барьерной емкости варикапа

,

где – максимальное напряжение смещения; его величина не должна превышать пробивного напряжения;

– минимальное напряжение смещения; его величина определяется допустимым снижением добротности перехода, а также допустимыми значениями ТКЕ емкости перехода и амплитуды высокочастотного напряжения на переходе.

Упрощенные эквивалентные схемы варикапа показаны на рис. 4.2, а, б,

где ; .

Схему, показанную на рис. 4.2, а, удобно использовать в области низких частот, где добротность варикапа увеличивается прямо пропорционально частоте. В этой области частот значения элементов Cэ и Rэ не зависят от частоты и совпадают со значениями элементов C и R эквивалентной схемы (рис. 4.1).

Схему, изображенную на рис. 4.2, б, удобно использовать в области высоких частот, где добротность варикапа обратно пропорциональна частоте. В этой области частот значения элементов C и r не зависят от частоты и совпадают со значениями элементов C и r эквивалентной схемы (рис. 4.1).

а б

Рис. 4.2. Упрощенные эквивалентные схемы варикапа:

а – параллельная; б – последовательная

· Добротность варикапа:

на низких частотах ;

на высоких частотах .

На средней частоте рабочего диапазона добротность варикапа достигает максимального значения .

Температурный коэффициент емкости Cэ кремниевых приборов при комнатной температуре (300 К) равен

,

где ТКЕб – температурный коэффициент барьерной емкости.

Зависимость температурного коэффициента барьерной емкости от напряжения смещения для кремниевых приборов с резким переходом при температуре 300 К приведена на рис. 4.3.

В типичном случае высокой добротности варикапа влиянием второго слагаемого в формуле для ТКЕэ можно пренебречь и считать .

Рис. 4.3. Зависимость температурного коэффициента барьерной емкости от напряжения смещения

 

Сведения о некоторых конкретных типах варикапов и варикапных сборок большой емкости (С≥ 200 пФ) при Т=25º С можно найти в прил. 4, где обозначено:

С – номинальная емкость варикапа при заданном значении обратного напряжения ;

- добротность варикапа при заданном значении обратного напряжения или емкости С;

- коэффициент перекрытия по емкости при заданных значениях обратного напряжения и ;

- обратный ток варикапа при заданном обратном напряжении ;

- максимальное допустимое обратное напряжение, при котором не происходит пробоя p-n-перехода. Обычно ≤ 0, 8 , где - значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода.

При использовании в качестве варикапов стабилитронов или выпрямительных диодов, имеющих низкую добротность, величина ТКЕэ существенно зависит от добротности, что затрудняет использование этих приборов в широкодиапазонных генераторах. В узком же диапазоне частот такая зависимость может быть использована как явление полезное – она позволяет осуществить термокомпенсацию.

 

Максимальная амплитуда напряжения на варикапе:

· из условия однозначности резонансной кривой контура с варикапом

;

· из условия электрической прочности

,

где – добротность нагруженного контура с варикапом;

– напряжение смещения на варикапе;

Uобр max – максимально допустимое обратное напряжение на варикапе.







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 1439. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Репродуктивное здоровье, как составляющая часть здоровья человека и общества   Репродуктивное здоровье – это состояние полного физического, умственного и социального благополучия при отсутствии заболеваний репродуктивной системы на всех этапах жизни человека...

Случайной величины Плотностью распределения вероятностей непрерывной случайной величины Х называют функцию f(x) – первую производную от функции распределения F(x): Понятие плотность распределения вероятностей случайной величины Х для дискретной величины неприменима...

Схема рефлекторной дуги условного слюноотделительного рефлекса При неоднократном сочетании действия предупреждающего сигнала и безусловного пищевого раздражителя формируются...

Травматическая окклюзия и ее клинические признаки При пародонтите и парадонтозе резистентность тканей пародонта падает...

Подкожное введение сывороток по методу Безредки. С целью предупреждения развития анафилактического шока и других аллергических реак­ций при введении иммунных сывороток используют метод Безредки для определения реакции больного на введение сыворотки...

Принципы и методы управления в таможенных органах Под принципами управления понимаются идеи, правила, основные положения и нормы поведения, которыми руководствуются общие, частные и организационно-технологические принципы...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2026 год . (0.011 сек.) русская версия | украинская версия