Параметры варикапов
Эквивалентная схема варикапа показана на рис. 4.1, где обозначено: C – нелинейная емкость перехода; R – сопротивление, шунтирующее переход. У германиевых приборов это сопротивление достигает 1...10 МОм, а у кремниевых – более 10 МОм. Величина этого сопротивления резко уменьшается при повышении температуры; r – последовательное сопротивление, состоящее из сопротивлений толщи проводника, контактных соединений и выводов диода; Lв – индуктивность выводов (в основном индуктивность токоподводящих проводников); Cк – емкость корпуса (обычно Ск < < С). Рис. 4.1. Эквивалентная схема варикапа Барьерная емкость перехода равна , где – напряжение смещения (положительное для случая обратных смещений на переходе); – емкость при =0; – контактная разность потенциалов, равная 0, 11...0, 4В для германиевых диодов и 0, 7...0, 8 В для кремниевых; – показатель степени, зависящий от типа варикапа. Для варикапов с плавным переходом =0, 3; с резким = 0, 5; со сверхрезким . Коэффициент перекрытия барьерной емкости варикапа , где – максимальное напряжение смещения; его величина не должна превышать пробивного напряжения; – минимальное напряжение смещения; его величина определяется допустимым снижением добротности перехода, а также допустимыми значениями ТКЕ емкости перехода и амплитуды высокочастотного напряжения на переходе. Упрощенные эквивалентные схемы варикапа показаны на рис. 4.2, а, б, где ; . Схему, показанную на рис. 4.2, а, удобно использовать в области низких частот, где добротность варикапа увеличивается прямо пропорционально частоте. В этой области частот значения элементов Cэ и Rэ не зависят от частоты и совпадают со значениями элементов C и R эквивалентной схемы (рис. 4.1). Схему, изображенную на рис. 4.2, б, удобно использовать в области высоких частот, где добротность варикапа обратно пропорциональна частоте. В этой области частот значения элементов C и r не зависят от частоты и совпадают со значениями элементов C и r эквивалентной схемы (рис. 4.1). а б Рис. 4.2. Упрощенные эквивалентные схемы варикапа: а – параллельная; б – последовательная · Добротность варикапа: на низких частотах ; на высоких частотах . На средней частоте рабочего диапазона добротность варикапа достигает максимального значения . Температурный коэффициент емкости Cэ кремниевых приборов при комнатной температуре (300 К) равен , где ТКЕб – температурный коэффициент барьерной емкости. Зависимость температурного коэффициента барьерной емкости от напряжения смещения для кремниевых приборов с резким переходом при температуре 300 К приведена на рис. 4.3. В типичном случае высокой добротности варикапа влиянием второго слагаемого в формуле для ТКЕэ можно пренебречь и считать . Рис. 4.3. Зависимость температурного коэффициента барьерной емкости от напряжения смещения
Сведения о некоторых конкретных типах варикапов и варикапных сборок большой емкости (С≥ 200 пФ) при Т=25º С можно найти в прил. 4, где обозначено: С – номинальная емкость варикапа при заданном значении обратного напряжения ; - добротность варикапа при заданном значении обратного напряжения или емкости С; - коэффициент перекрытия по емкости при заданных значениях обратного напряжения и ; - обратный ток варикапа при заданном обратном напряжении ; - максимальное допустимое обратное напряжение, при котором не происходит пробоя p-n-перехода. Обычно ≤ 0, 8 , где - значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода. При использовании в качестве варикапов стабилитронов или выпрямительных диодов, имеющих низкую добротность, величина ТКЕэ существенно зависит от добротности, что затрудняет использование этих приборов в широкодиапазонных генераторах. В узком же диапазоне частот такая зависимость может быть использована как явление полезное – она позволяет осуществить термокомпенсацию.
Максимальная амплитуда напряжения на варикапе: · из условия однозначности резонансной кривой контура с варикапом ; · из условия электрической прочности , где – добротность нагруженного контура с варикапом; – напряжение смещения на варикапе; Uобр max – максимально допустимое обратное напряжение на варикапе.
|