Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Список літератури. 1. Хоружний В.А. Функціональна мікроелектроніка, опто- та акустоелектроніка / В.А




Доверь свою работу кандидату наук!
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

1. Хоружний В.А. Функціональна мікроелектроніка, опто- та акустоелектроніка / В.А. Хоружний, В.О. Письмецький.- Харків, 1995.- 186 с.

2. Стахів П.Г. Основи електроніки: функціональні елементи та їх застосування / П.Г. Стахів, В.І. Коруд, О.Є. Гамола. - Львів: Новий світ, 2003. - 128 с.

3. Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энерго-атомиздат, 1989. - 242 с.

 

 

Лабораторна робота 2

ВИМІРЮВАННЯ КОЕФІЦІЄНТА ПЕРЕДАЧІ СТРУМУ ДІОДНОЇ ОПТОПАРИ

 

Мета роботи – вивчення фізичних процесів та конструктивно-технологічних особливостей діодної оптопари, освоєння методики вимірювання коефіцієнта передачі струму.

Елементи теорії. Конструктивно діодна оптопара складається із приймального елемента (Si-фотодіод) і випромінювача (інфрачервоний випромінювальний GaAs-діод), максимум спектральної характеристики якого відповідає довжині хвилі близько 1 мкм. Випромінювання з такою довжиною хвилі викликає генерацію пар носіїв заряду в напівпровіднику (Si), електрони і дірки розділяються електричним полем переходу і заряджають р-область позитивно, а n-область негативно, на електродах фотодіода виникає фотоЕРС (фотогенераторний режим роботи фотодіода). Якщо до фотодіода прикладено зворотню різницю потенціалів більше 0,5 В, то електрони і дірки, що генеруються випромінюванням, збільшують його зворотний струм (фотодіодний режим роботи приймального елемента). Діодні оптопари можуть працювати як у фотогенераторному, так і фотодіодному режимі. Значення зворотного фотоструму практично лінійно зростає із збільшенням сили світла випромінювального діода.

Діоди випромінювача і приймача виготовляються за планарно-епітаксійною технологією. Структури з'єднуються між собою оптично прозорим клеєм, шар якого забезпечує надійну ізоляцію вхідного ланцюга оптопари – випромінювача від вихідної – фотодіода.

Для підвищення швидкодії створюються фотодіоди із структурою p-i-n, де i - шар Si власної провідності (напівізолюючий) між легованими областями р- і n-типу. Сильне електричне поле, яке виникає в i-області, призводить до скорочення часу прольоту носіїв заряду через цю область і швидкого наростання і спаду фотоструму. Час наростання і спаду фотоструму в таких фотодіодах може становити менше наносекунди.

При використанні діодних оптопар у складних радіоелектронних схемах враховується ряд їх особливостей: найвища швидкодія фотоприймачів на p-i-n-структурах, малі темнові струми у вихідному ланцюзі, високий опір гальванічної розв'язки.

Для надійної роботи діодної оптопари протягом тривалого часу в колах, де використовуются каскади підсилення сигналу, важливе значення має величина коефіцієнта передачі струму , де Iвих, вх – вихідний та вхідний струми відповідно. Для визначення коефіцієнта передачі струму використовується лабораторний стенд на основі оптопари АОД101Б, схема якого наведена на рис.1.

Рисунок 1 – Схема лабораторного стенда

 

Електричними параметрами діодної оптопари є вхідна напруга при Iвх=10 мА (1,5 В); час наростання і спаду вихідного імпульсу при Iвх=20 мА (не більше 500 нс); вихідний зворотний темновий струм (не більше 8 мкА) та опір ізоляції (109 Ом). Граничні експлуатаційні параметри діодної оптопари АОД101Б: вхідний постійний струм (20 мА); вхідний імпульсний струм при tі = 100 мкс (100 мА); вхідна зворотна напруга (3,5 В) і вихідна зворотна напруга (100 В).

Діодні оптопари широко використовуються в імпульсних безобмоткових трансформаторах, при передачі сигналів між блоками складної радіоелектронної апаратури, для керування роботою ІМС на МДН-транзисторах.







Дата добавления: 2014-11-10; просмотров: 396. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2022 год . (0.016 сек.) русская версия | украинская версия