Список літератури. 2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А
1. Прищепа М.М.. Погребняк В.П. Мікроелектроніка. -Частина 1. Елементи мікроелектроніки - Київ: Вища школа, 2004. - 432 с. 2. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин. – М.: Радио и связь, 1991.–288 с. Заняття 5. Елементи гібридних інтегральних мікросхем
Методичні вказівки. При розв’язуванні задач використовують такі поняття і співвідношення: 1) опір тонкоплівкової резистивної смужки для однорідної за товщиною резистивної плівки визначається за формулою де ρ - питомий опір матеріалу плівки; d -товщина плівки; l, b -довжина і ширина резистивної смужки; R¢ = ρ /d -опір квадрата резистивної плівки, Ом/; k ф = l / b - коефіцієнт форми або число квадратів резистивної смужки; 2) ємність плоского плівкового конденсатора визначають за формулою: де e - діелектрична проникність матеріалу діелектрика; d - товщина діелектрика (0, 2-0, 3 мкм); S - площа перекриття обкладинок; С 0 = (ee0/ d) - питома ємність діелектрика; СP - питома периметрична ємність, спричинена крайовим ефектом; Р - периметр перекриття обкладинок; 3) індуктивність плоскої спіралі круглої форми розраховують за формулою
де D 1, D 2 - внутрішній та зовнішній діаметри спіралі, мм; W - число витків (індуктивність L вимірюється в нГн). Індуктивність плоского прямокутного провідника розраховують за формулою
де L -індуктивність, нГн; l, b, d -відповідно довжина, ширина і товщина прямокутного провідника, мм. Індуктивність круглого витка обчислюють за формулою
де L -індуктивність, нГн; l, b, d -відповідно периметр, ширина і товщина провідника витка, мм. Індуктивність квадратного витка визначають за формулою
де L - індуктивність, нГн; l, b, d -відповідно сторона квадрата, ширина і товщина провідника витка, мм. Відрізок циліндричного провідника може також використовуватись як індуктивний елемент ІМС, його індуктивність розраховують за формулою
де L -індуктивність, нГн; l, d, -відповідно довжина і діаметр провідника, мм.
|