Полупроводниковые транзисторы и тиристоры

При подготовке к ответу на вторую группу вопросов необходимо обратить внимание на физическую сущность процессов, происходящих в полупроводниковых материалах при наличии двух и более p-n переходов.

Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, имеющие три выхода или больше. В транзисторах может быть разное число p-n переходов, однако наиболее распространенными являются транзисторы с двумя p-n переходами. Такие транзисторы называются биполярными, поскольку их работа основана на использовании носителей заряда обоих знаков.

 

 

Транзистор представляет собой пластину кремния, германия, или другого полупроводника, в которой созданы три области с различной проводимостью.

В зависимости от напряжений на переходах транзистор может работать в одном из трех режимов: в активном, а режиме отсечки и в режиме насыщения. В активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном – обратное. В режиме отсечки (запирания) на оба перехода подается обратное напряжение. В режиме насыщения на обоих переходах напряжение прямое.

 

Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток создаётся только основными носителями зарядов под действием продольного электрического поля, а управление этим током осуществляется поперечным электрическим полем, которое создаётся напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Участок полупроводника, по которому движутся основные носители зарядов, между p-n переходом, называется каналом полевого транзистора.

Поэтому полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с каналом p-типа или n-типа.

Вопросы для контроля

2.1. Какова структура биполярных транзисторов?

2.2. Какие вещества используются для изготовления подложки р-n-p транзисторов?

2.3. Какие вещества используются для изготовления подложки n-p-n транзисторов?

2.4. Как обозначаются на электрических схемах р-n-p транзисторы?

2.5. Как обозначаются на электрических схемах n-p-n транзисторы?

2.6. Как называются электроды в биполярных транзисторах?

2.7. Нарисовать схему включения биполярного транзистора с общим эмиттером.

2.8. Нарисовать схему включения биполярного транзистора с общей базой.

2.9. Нарисовать схему включения биполярного транзистора с общим коллектором.

2.10. Как определяется коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером?

2.11. Как определяется коэффициент усиления по току в схеме с общей базой?

2.12. Как связаны между собой коэффициенты усиления по току в схеме с общим эмиттером и в схеме с общей базой?

2.13. Нарисовать примерную входную характеристику биполярного транзистора?

2.14. Как по входной характеристике определить величину напряжения отсечки?

2.15. Нарисовать примерную выходную характеристику биполярного транзистора?

2.16. Как по выходной характеристике определить величину коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером?

2.17. Происходит ли инверсия сигнала в схеме с общим эмиттером? Дать подробный ответ.

2.18. Происходит ли инверсия сигнала в схеме с общим коллектором? Дать подробный ответ.

2.19. Принцип управления сигналом при работе полевого транзистора.

2.20. Какова структура и как называются электроды полевого транзистора?

2.21. Как называется и что представляет собой параметр, характеризующий усиление электронной схемы с полевым транзистором?

2.22. Что представляет собой структура МДП?

2.23. Что представляет собой структура МОП?

2.24. Сравнить достоинства и недостатки биполярных и полевых транзисторов.

2.25. Какова структура диодных и триодных тиристоров? Их условные обозначения на электрических схемах.

2.26. Нарисовать примерную вольт-амперную характеристику диодного тиристора.

2.27. Нарисовать примерную вольт-амперную характеристику триодного тиристора.