Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Выполнение лабораторной работы. Рис.2. Пиктограмма биполярного транзистора IGBT





 

Рис.2. Пиктограмма биполярного транзистора IGBT

 

 

 

Рис.3. Биполярный транзистор с изолированным затвором, его SPS-модель,

статические вольтамперные характеристики

 

На пиктограмме биполярного транзистора IGBT показан выходной порт m, который формирует векторный Simulink-сигнал из двух составляющих – ток «коллектор-эмитер», напряжения «коллектор-эмитер» транзистора. Модель IGBT-транзистора состоит из резистора Ron , индуктивности Lon , источника постоянного напряжения Vf и ключа SW. Работой ключа управляет блок логики. Включение прибора происходит при положительном напряжении «коллектор-эмитер, которое превышает Vf и на затвор g транзистора подается положительный сигнал. Выключение прибора происходит при уменьшении сигнала на затворе g до нуля. Транзистор находится в выключенном состоянии при отрицательном напряжении «коллектор-эмитер». В модели параллельно самому прибору включена демпфирующа цепь из последовательно соединенных резистора и индуктивности. На рис.2 приведены статические вольтамперные характеристики транзистора во включенном и выключенном состоянии.

В моделе учитывается инерционность выключающегося транзистора введением конечного времени выключения. Процесс выключения содержит два интервала: спад, с длительностью Tf в пределах которого ток «коллектор - ємитер» уменьшается до 0,1 от тока в момент выключения, и затягивание с длительностью Tt , где ток спадает до нуля.

Во вторй части необходимо провести исследования модели биполярного транзистора IGBT однотактного выпрямителя с RLC- нагрузкой и измерить токи и напряжения на нагрузке.

Исходные данные для модели: Питающее переменное напряжения 110В с частотой 50Гц, нагрузка с сопротивлением 12 Ом и индуктивностью 5мГн.

Запускаем MATLAB и выполняем теже операции, что и в предыдущей работе.

 

 

 

 

Рис.4. Схема замещения транзистора MOSFET в виде набора элементов и его

аппроксимированная вольтамперная характеристика

 

 

 

Транзистора MOSFET имеет выходной порт m, который формирует векторный Simulink-сигнал из двух составляющих – ток «сток-исток», напряжения «сток-исток» транзистора. Модель MOSFET аналогична модели биполяного транзистора. Включение прибора происходит положительном напряжениина «сток-исток» и положительном сигнале на затворе. Выключается прибор при уменьшении сигнала на затворе до нуля. В случае отрицательного напряжения «сток-исток» транзистор находится в выключенном состоянии, а ток проходит через обратный диод. В модели такжк наличествует демпфирующая цепь. Статические вольтамперные характеристики приведены на рис.4.

Необходимо для обеих моделей получить временные диаграммы напряжений и токов на нагрузке при различных значениех параметров нагрузки

 

 

В отчете по второй части представить:

 

Схему SPS-моделей, IGBT-транзистора, MOSFET- транзистора временные диаграммы процессов при различных параметрах нагрузки.

В отчете привести временные диаграммы процессов при 3-х различных параметров нагрузки.

Обьяснить различие полученных результатов

Контрольные вопросы по второй части

1. Как выбрать параметры транзисторов?

2. Как выключить IGBT-транзистор?

3Как выключить MOSFET -транзистор?

4. Что дает инерционность, введенная в модель транзистора?

 







Дата добавления: 2015-09-18; просмотров: 445. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2022 год . (0.02 сек.) русская версия | украинская версия