Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Описание лабораторной установки. Для изготовления туннельных p-n-переходов испльзуют такие полупроводниковые материалы как германий Ge





Для изготовления туннельных p-n-переходов испльзуют такие полупроводниковые материалы как германий Ge, арсенид галлия GaAs и др. Эти полупроводники имеют различные значения ширины запрещенной зоны, эффективной массы электрона и т.д. Но для вида вольт-амперной характеристики туннельного p-n-перехода нибольшее значение имеют величины плотности состояний в зоне проводимости NC и валентной зоне NV. Эти величины при заданном значении концентрации легирующей примеси определяют положение уровня Ферми. Чем меньше величина NC или NV, тем больше значение ЕFn – ЕС или EV – ЕFр в вырожденном полупроводнике (рис. 8).

В лабораторной работе в качестве туннельных p-n-переходов используются германиевый и арсенид галлиевый туннельные диды, которые размещены в термостате. Подключение к измерительным цепям одного их диодов осуществляется переключателем «Диоды» с положениями «1» и «2».

Для снятия вольт-амперной характеристики используются стрелочные индикаторы: «Измерение V» с пределом 0,1 и 1 В; «Измерение J» с пределом 100 mA. Изменение напряжения смещения, подаваемого на диод, осуществляется ручкой «Регулировка U». Тумблер «Полярность U» с положениями «+» и «-» служит для подачи на диод прямого или обратного смещения. Нагрев диодов происходит при включении тумблера «Нагрев» и при достижении температуры 600С загорается сигнальная лампочка. Включение установки в сеть осуществляется тумблером «сеть вкл».

Исходное положение ручек управления: напряжение смещения в крайнем левом положении, тумблер «Полярность» в положении «+», тумблер «Нагрев» в положении «выкл», переключатель «Диоды» в положении «1».

 

2. Порядок выполнения работы

Включить установку в сеть и прогреть в течении 5 минут.

1. Исследование вольт-амперных характеристик p-n-переходов при комнатной температуре.

a. Вращая ручку «Регулировка U» снять 10 – 12 точек прямой ветви характеристи ки. Обратить особое внимание на точки максимального и минимального значения туннельного тока. Ручку «Регулировка U» установить в крайнее левое положение.

b. Тумблер «Полярность» установить в положение «-». Вращая ручку «Регулировка U» снять 5 – 7 точек обратной ветви характеристики.

c. Повторить измерения для второго туннельного диода.

2. Исследование вольт-амперных характеристик p-n-переходов при температуре 600С.

Включить тумблер «Нагрев». После загорания сигнальной лампочки повторить измерения п.1.

3. По результатам измерений построить для каждого диода на одном графике вольт-амперные характеристики при комнатной температуре и при 600С.

4. По графикам определить: а) полупроводниковый материал из которого изготовлен диод; б) величину отрицательного дифференциального сопротивления. (Ge: NС ≈ NV ≈ 1019-3; GaAs: NС ≈ NV ≈ 1017 -3).

5. Рассчитать прозрачность потенциального барьера используя следующие данные:

a) Ge Eg = 0.66 эВ, m*=1,49*10-30 кг

b) GaAs Eg = 1,42 эВ, m*=0,06*10-30 кг

ћ = 1,054*10-34 Дж*с h = 6,626*10-34 Дж*с d = 100 Å

 

Содержание отчета

1. Цель и задачи исследования.

2. Результаты экспериментов в виде таблиц, графиков и результаты расчетов.

3. Анализ полученных данных и выводы по работе.

 







Дата добавления: 2015-06-29; просмотров: 460. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...


Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Методика исследования периферических лимфатических узлов. Исследование периферических лимфатических узлов производится с помощью осмотра и пальпации...

Роль органов чувств в ориентировке слепых Процесс ориентации протекает на основе совместной, интегративной деятельности сохранных анализаторов, каждый из которых при определенных объективных условиях может выступать как ведущий...

Лечебно-охранительный режим, его элементы и значение.   Терапевтическое воздействие на пациента подразумевает не только использование всех видов лечения, но и применение лечебно-охранительного режима – соблюдение условий поведения, способствующих выздоровлению...

Тема 5. Анализ количественного и качественного состава персонала Персонал является одним из важнейших факторов в организации. Его состояние и эффективное использование прямо влияет на конечные результаты хозяйственной деятельности организации.

Билет №7 (1 вопрос) Язык как средство общения и форма существования национальной культуры. Русский литературный язык как нормированная и обработанная форма общенародного языка Важнейшая функция языка - коммуникативная функция, т.е. функция общения Язык представлен в двух своих разновидностях...

Патристика и схоластика как этап в средневековой философии Основной задачей теологии является толкование Священного писания, доказательство существования Бога и формулировка догматов Церкви...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.014 сек.) русская версия | украинская версия